台积电:2nm N2 工艺预计 2025 年量产,N3 家族将成另一大“摇钱树”

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台积电加速迈向 2nm 工艺,消息称高雄工厂正规划量产 N2P - IT之家

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台积电2nm制程量产预计将延迟到2026年底 据经济日报报道,台积电先进制程近况备受各界关注,根据 Counterpoint 研究团队发布的最新报告,预计台积电3纳米旗舰智能手机应用将在2024年下半年增长,但2纳米制程量产将推迟至2026年底。Counterpoint Research 半导体研究副总监 Brady Wang 表示,台积电的主要增长来源于其先进制程技术。随着人工智能半导体的需求急剧增加,台积电在短期内的表现将更加突出。不过该机构分析也提到,预计台积电2纳米技术的量产将推迟至2026年,届时将随着苹果 iPhone 18 系列的推出而问世。

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台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 在 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 期间台积电透露,该公司 1.4 nm制程工艺研发工作进展顺利。与以往制程命名不同,台积电的 1.4nm 制程工艺被命名为 A14。 台积电尚未透露 1.4nm 制程工艺的量产时间和具体参数,但考虑到 2nm 制程工艺在 2025 年量产,而 N2P 则定于 2026 年底量产,因此 1.4nm 制程工艺预计会在 2027 年到 2028 年量产。

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台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 (英文) 虽然台积电方面并未透露1.4nm制程工艺的量产时间和具体参数,但外媒在报道中提到,考虑到2nm制程工艺在2025年量产,N2P制程工艺在2026年年底量产,1.4nm制程工艺预计会在2027年到2028年量产。

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三星:2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm 据悉,三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪,最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用,它采用先进的后端供电网络(BSPDN)技术,可以提高电源效率。值得注意的是,三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺,与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%-46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。值得注意的是,在今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核,尽可能地提高了性能和效率。 ... PC版: 手机版:

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机构:台积电2nm量产将延迟至2026年底 Counterpoint Research半导体研究副总监Brady Wang表示,台积电的主要增长来自于先进制程技术。随着AI芯片的需求急剧增加,台积电在短期内的表现将更加亮眼。该机构表示,预计台积电2nm技术的量产将推迟至2026年,届时将随着苹果iPhone 19系列推出而登场。随着智能手机厂商转向采用入门级5G芯片,特别是新兴市场增长、消费者购买回升以及5G网络覆盖扩大推动下,4~5nm技术将成为另一个手机SoC芯片增长的重要来源。该机构分析,经过两年的显著下跌之后,智能手机SoC芯片市场预计在2024年将迎来复苏。预测2024年智能手机SoC芯片出货量将增长9%。这主要得益于旗舰手机SoC芯片从4~5nm移转至3nm制程,以及高端智能手机市场持续扩大。作为晶圆代工业界的领导者,台积电将持续受益。分析师表示,对于无晶圆厂公司来说,联发科和高通将是4G升级至5G过程中的大赢家。联发科有机会利用其领先技术,而高通则预计到2025年将在4~5nm市场占有近50%的份额。 ... PC版: 手机版:

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