铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存 美光宣布正在向客户提供世界上容量最大的 microSD 卡 i400 样品，其容量达到前所未有的 1.5 TB，搭载 176 层 3D NAND，专为工业级视频安全而设计 md图都没个 ======== oem品，暂时没有零售

铠侠发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存 最高512GB容量

铠侠发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存 最高512GB容量 铠侠表示，新产品采用了小型封装，提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于多种新一代车载应用，诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统。铠侠称，新款内存顺序读取速度提升约100%，顺序写入速度也提升约40%，提升幅度明显。由于性能的提升，相关应用能够更好地利用5G连接的优势，带来更快的系统启动速度和更优质的用户体验。这次发布的新型UFS 4.0设备将BiCS FLASH 3D闪存和控制器集成在JEDEC标准封装中，其中UFS 4.0采用MIPI M-PHY 5.0和UniPro2.0技术，支持每条通道高达23.2Gbps或每个设备高达46.4Gbps的理论接口速度，同样能够兼容UFS 3.1。此外，新产品支持高速链路启动序列（HS-LSS）功能，设备和主机之间的传输链路启动（M-PHY和UniPro初始化序列）能够以快于传统UFS的HS-G1 Rate A（1248Mbps）执行。与传统方法相比，预计这将使链路启动时间缩短约70%。 ... PC版： 手机版：

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。