【英特尔公布技术路线图，启动芯片代工服务】随着芯片制程越来越逼近1nm，英特尔将开启一套全新的命名系统，不再以纳米（nm）命名，

【英特尔公布技术路线图，启动芯片代工服务】随着芯片制程越来越逼近1nm，英特尔将开启一套全新的命名系统，不再以纳米（nm）命名，而是以Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A等进行命名。其中，Intel 7是英特尔此前的10nm Enhanced SuperFin技术、Intel 4是英特尔此前的7nm技术、Intel 3则是更新一代的技术。 #抽屉IT

联电拿下苹果新款iPhone天线模组芯片代工大单 投片量高达上万片

联电拿下苹果新款iPhone天线模组芯片代工大单 投片量高达上万片 此次联电能够赢得这份订单，源于其与苹果功率放大器（PA）协力厂Qorvo的紧密合作。Qorvo为苹果精心设计的新款iPhone天线元件，不仅整合了先进的新芯片，还巧妙地搭配了Qorvo的功率放大器，共同为苹果提供卓越性能。值得一提的是，这款新芯片采用了联电的3DIC技术，并由联电负责代工生产，充分展现了联电在半导体制造领域的强大实力。此前，英特尔公司宣布与联华电子达成新的晶圆代工合作协议，共同致力于开发针对高增长市场的12纳米工艺平台。这一合作不仅有助于推动双方的技术创新，也为未来市场的拓展奠定了坚实基础。联电在去年10月的法说会上透露，公司正积极探讨使用12nm制程生产低功耗逻辑产品的可能性，并计划于2025年初完成12nm制程的开发工作。这一战略决策不仅预示着联电将在技术上实现重要突破，还意味着公司可能将部分28/22nm产能转换为12nm，以降低成本并提高经营效率。这一举措有望为联电带来更加广阔的市场前景和可持续发展动力。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产 SF2 将于六月亮相三星计划在 6 月 19 日举行的 2024 年超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium 2024）上披露其 SF2 制造技术的关键细节。这将是该公司基于全栅极（GAA）多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）的第二个主要工艺节点。与前代产品相比，SF2 将采用"独特的外延和集成工艺"，这将使该工艺节点比基于 FinFET 的传统节点具有更高的性能和更低的漏电率（尽管三星并未透露与之比较的具体节点）。三星表示，SF2 使 N 型和 P 型窄晶体管的性能分别提高了 29% 和 46% ，使宽晶体管的性能分别提高了 11% 和 23%。此外，与 FinFET 技术相比，它还将晶体管的全局变化减少了 26%，并将产品漏电率降低了约 50%。该工艺还通过加强与客户的设计技术合作优化 (DTCO) 为未来的技术进步奠定了基础。在 SF2 的背景下，三星没有提到的一点是背面电源传输，因此至少目前没有迹象表明三星将在 SF2 上采用这种下一代电源路由功能。三星表示，SF2 的设计基础架构（PDK、EDA 工具和授权 IP）将于 2024 年第二季度完成。一旦完成，三星的芯片开发合作伙伴就可以开始为这一生产节点设计产品。同时，三星已经开始与 Arm 合作，针对 SF2 工艺共同优化 Arm 的 Cortex 内核。SF3：2024 年下半年有望实现作为首家推出基于 GAAFET 节点的工厂，三星一直处于芯片制造的最前沿。但与此同时，这也意味着他们是第一个遇到并解决如此重大的晶体管设计变更所带来的不可避免的磨合问题的工厂。因此，虽然三星的第一代 SF3E 工艺技术已经投产不到两年时间，但迄今为止公开披露的采用该工艺制造的芯片都是相对较小的加密货币挖矿芯片这正是在新工艺节点上表现出色的流水线部件。有了这些经验，三星正准备利用 GAAFET 制作更大更好的芯片。作为其财报公告的一部分，该公司已确认其去年推出的更新 SF3 节点仍将按计划于 2024 年下半年投入生产。SF3 从一开始就是一个更加成熟的产品，准备用于制造更大的处理器，包括数据中心产品。与它的前身 SF4 相比，SF3 承诺在相同功耗和晶体管数量下性能提升 22%，或在相同频率和复杂度下功耗降低 34%，逻辑面积减少 21%。总体而言，三星对这项技术寄予厚望，因为这一代 3nm 级技术有望与台积电的 N3B 和 N3E 节点相抗衡。SF4：准备进行 3D 堆叠最后，三星还在准备将其最终 FinFET 技术节点 SF4 的一个变体用于 3D 芯片堆叠。随着晶体管密度的提高不断放缓，三维芯片堆叠已成为不断提高整体芯片性能的一种方法，尤其是在现代多层处理器设计中。有关该节点的详细信息还很有限，但三星似乎正在做出一些改变，以考虑/优化在三维堆叠设计中使用 SF4 芯片的情况，在这种设计中，芯片需要能够上下层通信。根据该公司的第一季度财务报告，三星预计将在本季度（第二季度）完成堆叠芯片 SF4 变体的准备工作。 ... PC版： 手机版：

台积电2nm制程即将投产 晶圆代工价格飙升至 3 万美元

台积电2nm制程即将投产 晶圆代工价格飙升至 3 万美元 台积电2nm制程预计将在今年底进入量产阶段，全球多家顶尖芯片设计公司包括苹果、AMD、联发科、高通等已陆续采用此先进技术。据供应链消息，2nm制程从设计到量产成本高达7.25亿美元，每片晶圆代工报价达到3万美元，较上一代技术有明显上涨，显示先进制程门槛不断提高。而更先进的埃米制程如A16（1.6nm）和A14（1.4nm）等，未来报价可能达到每片4.5万美元。

走向独立运营，英特尔代工开启新转变

走向独立运营，英特尔代工开启新转变 近日英特尔宣布一项重大的财务框架调整，从2024年第一季度开始，英特尔的财务架构将拆分为两大板块：英特尔代工和英特尔产品。英特尔代工将成为一个独立的运营部门，拥有自己的损益表。而英特尔产品则将传统的客户端计算事业部（CCG）、数据中心和人工智能事业部（DCAI）以及网络与边缘事业部（NEX）全面整合。深层次来看，这一财务框架的调整不仅是一次简单的结构重组，更是英特尔对未来战略方向的一次明确宣示，体现了英特尔向代工运营模式即Intel Foundry的转变，以加强透明度、降低成本、促进业务增长，英特尔代工迎来了历史性的转变。英特尔代工正式走向“独立”具像来看，英特尔代工将由代工技术研发、代工制造及供应链、代工服务组成，成为一个独立的运营部门。这也表明，英特尔代工将按市场定价核算来自外部客户和英特尔产品的收入，以及过往分配给英特尔产品线部门的研发和制造成本。据之前测算，这可帮助英特尔在2023年节约30亿美元成本，以及在2025年前节约80亿到100亿美元成本的目标。英特尔为此时的“独立”也做足了准备。为推进IDM 2.0转型的顺利进行，去年6月，英特尔即宣布将英特尔制造部门的损益单独核算，英特尔各产品业务部门则将能够自主选择是否与第三方代工厂进行合作，这一计划将从2024年第一季度开始，并将在Q1的财报中体现。但彼时英特尔代工部门尚未正式单独运营，如今英特尔正式划清界限，英特尔代工也将更加直面台积电、三星的竞争压力。而通过将代工业务独立核算，英特尔能够更清晰地展示其在半导体制造领域的竞争力和盈利能力，同时也能够更好地与业界进行业绩对照，推动各部门做出更好的决策。此外，这一调整还将提高运营效率，增强成本竞争力，有助于英特尔在全球半导体市场中重新夺回技术领先地位。2030年底前将实现盈亏平衡尽管英特尔雄心勃勃，但由于四年五个节点及路线演进、生态构建以及产能扩建等巨额的投入，英特尔披露其代工业务运营2023年亏损70亿美元，比前一年的52亿美元运营亏损更大。首席执行官帕特·基辛格在向投资者发表的演讲中表示，2024年预计将是该公司代工业务运营亏损最严重的一年，但是该业务预计将在2030年底之前实现运营盈亏平衡。这一乐观预期的背后，是英特尔对制程工艺重回领先地位的坚定信念以及对EUV技术的积极投入和应用。英特尔表示，随着英特尔完成“四年五个制程节点”计划，将实现制程工艺重回领先地位，通过将产量组合转向领先的EUV节点，运营利润率预计将得到提升。从现在到2030年底之间实现收支平衡的运营利润率，届时公司的目标是40%的非GAAP毛利率和30%的非GAAP运营利润率。不得不说，英特尔的战斗力惊人。全面来看，英特尔不仅“四年五个制程节点”路线图在稳步推进，全新代工路线图包括Intel 3、Intel 18A、Intel 14A技术的演化版本业已划定时间点，计划包括2024上半年引入Intel 20A（相当于2nm）工艺，下半年引入Intel 18A（1.8nm）制造工艺。加之背面供电、玻璃基板等技术先行的加持，以及生态系统的加速构建和大量客户设计案例，预计晶圆代工厂订单上看150亿美元。尤其是前不久美国政府为英特尔提供85亿美元的直接拨款和110亿美元的贷款，以及未来5年25%的税收减免，为英特尔正计划未来5年投资1000亿美元扩大先进芯片制造能力，并在2030年重回先进代工榜眼地位注入了新动能，也为美国加强半导体制造回流、到2030年先进代工占据20%的目标装入了催化剂。值得一提的是，在英特尔产品部门层面，英特尔也十分乐观，认为受益于新的运营模式，英特尔产品部门的利润率有望继续得到改善，目标是到 2030 年底，实现非GAAP毛利率达到60%，非GAAP运营利润率达到 40%。代工战火烧向2nm从工艺进阶来看，2nm正成为台积电、英特尔、三星的关键战场。最近国际半导体产业协会（SEMI）表示，台积电和英特尔预计将在今年内完成2nm或以下晶圆厂建设。台积电预计每月将获得67500片8英寸晶圆的产能，而英特尔预计将获得202500片的月产能。因而，SEMI预计英特尔将成为晶圆代工厂中最快使2nm芯片商业化的公司。英特尔的PC处理器Arrow Lake将第一个采用2nm节点的芯片。虽然台积电今年的产能仅为英特尔的三分之一，但一旦其主要客户苹果将2nm应用于iPhone AP芯片，其产能预计将大幅增长。2011年英特尔首发了FinFET工艺，22nm FinFET工艺当时远超台积电、三星的28nm，技术优势可谓是遥遥领先，然而在14nm节点之后，英特尔接连遭受了重创。而当时针拔向2024年，英特尔正欲借2nm重返半导体代工领先地位。但攻守之势已然易也，对于英特尔来说，还需要三到五年时间的淬炼，才能真正成为尖端芯片代工市场的重要参与者，且需要更多投资才能超越台积电。无论如何，英特尔的财务框架调整是其历史上的一次重要转折点，它不仅展示了英特尔对代工业务的重视，也为长远发展奠定了坚实的基础。属于英特尔的未来或许已来。 ... PC版： 手机版：