TrendForce 报告：NAND闪存市场格局将发生变化 终于出现复苏迹象

TrendForce 报告：NAND闪存市场格局将发生变化 终于出现复苏迹象 NAND闪存产业链动态频出，部分厂商表示有提价或提高产能利用率的意愿。NAND闪存供应商SIMO总经理Wallace C. Kou表示，第二季度NAND闪存的价格已经尘埃落定，将上涨20%；部分供应商第一季度已经开始盈利，第二季度后大部分供应商都将盈利。PHISON公司首席执行官Pua Khein Seng认为，SSD固态硬盘价格的进一步上涨可能会大大降低市场需求。如果价格过高，需求可能又会开始动摇。他建议 NAND 制造商停止减产，开始满足需求，而不是任由低供应、高需求推高价格。从产业链的角度来看，三星西安晶圆厂已经大幅提高了开工率，Kioxia也在考虑调整减产计划。三星方面，据韩国媒体"The Elec"报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存工厂已将开工率恢复到70%左右。23 年下半年，三星将该工厂的开工率降至 20%-30%。这是自 2022 年下半年内存价格和需求开始下滑以来该工厂的最低点。西安晶圆厂是三星电子在韩国以外唯一的内存半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。三星电子计划将西安 NAND 闪存工厂升级为 236 层 NAND 工艺，并启动大规模扩产。据了解，该公司将于 2024 年在西安工厂逐步引进能够生产 236 层 NAND 的设备。至于 Kioxia，该公司最近表示，将重新评估自 2022 年起实施的电子设备中使用的内存介质闪存的减产计划，并提高产量。Kioxia预计，到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，这取决于需求。不过，TrendForce指出，先前预测NAND Flash在第1季的合约价格季增率约为20-25%。尽管第二季度的整体需求前景仍然保守，但NAND闪存供应商已经从23年第四季度末和24年第一季度初开始调整产能利用率。此外，NAND 闪存买家已开始逐步补充第一季度的库存。因此，第二季度 NAND 闪存合同价格的季度环比增幅将收敛至 10-15%。市场格局：三星仍占主导地位，两大制造商或将合并目前，NAND 闪存市场仍由五大厂商主导，其中三星和 SK Hynix 占据了绝大部分份额。根据TrendForce 3月6日的调查，23年第四季度，三星仍牢牢占据着NAND闪存市场的头把交椅，市场份额从上一季度的31.4%增至36.6%；其次是SK集团，市场份额从上一季度的20.2%增至21.6%。紧随其后的是西部数据，其市场份额从上一季度的 16.9% 降至 14.5%；Kioxia，其市场份额从上一季度的 14.5% 降至 12.6%；美光，其市场份额从上一季度的 12.5% 降至 9.9%。值得注意的是，西部数据与 Kioxia 的合并计划自 2021 年开始实施，目前尚未结束。据日本媒体 47news 报道援引消息人士的话称，合并谈判遭到了竞争对手的反对，导致谈判终止。日本媒体朝日新闻早些时候的报道指出，双方可能在 4 月底恢复合并谈判。据报道，贝恩资本正在与相关公司进行谈判，以重启西部数据与 Kioxia 的合并谈判。如果合并成功，新成立的公司将控制全球三分之一的 NAND 闪存市场。如果合并成功，西部数据和 Kioxia 成立的新公司的市场份额将超过 30%，从而导致 NAND 闪存市场格局的变化。近日，西部数据再次出手。3月5日，该公司宣布分拆NAND闪存业务后，将保留原名，专注于核心硬盘业务。该公司还表示，分拆交易预计将在下半年完成。根据公告，西部数据现任全球运营执行副总裁 Irving Tan 将担任剩余独立硬盘公司的首席执行官，继续以西部数据品牌运营。现任首席执行官大卫-戈克勒（David Goeckeler）将被调往新成立的公司负责 NAND 闪存部门，并担任新公司的首席执行官。西部数据将剥离长期受供过于求困扰的 NAND 闪存业务，这一消息引发了业界的广泛讨论。但该公司认为，此举将加速创新，带来新的发展机遇。同时，由于资本结构独立，两个实体的运营效率将高于统一的公司。展望：第一季度 NAND 闪存行业收入或将环比增长 20%在产业营收方面，根据 TrendForce 的最新研究显示，NAND Flash 产业营收在 23 年第 4 季达到 114.9 亿美元，较前一季成长 24.5%。这主要得益于年末促销带来的终端需求回暖，以及元器件市场因涨价带来的订单扩大，以及比特出货量较去年同期旺盛。同时，各公司继续发布 2024 年需求表现将好于 2023 年的观点，并已开始战略备货。展望 2024 年第一季度，TrendForce 认为，在供应链库存水平显著改善、价格仍在上涨的情况下，客户继续增加采购订单，以避免供应短缺和成本上升的风险。因此，TrendForce 预估，尽管目前为传统淡季，但由于订单规模持续扩大，刺激 NAND Flash 合约价格平均上涨 25%，第一季 NAND Flash 产业营收仍将较去年同期成长 20%。 ... PC版： 手机版：

内存周期来了：利润“十倍提升” 三星进入“黄金期”

内存周期来了：利润“十倍提升” 三星进入“黄金期” 同时，三星还预测，其第一季度营收将同比增长11%至71万亿韩元。分析人士认为，三星乐观的业绩预测主要得益于内存芯片价格的反弹。去年，面对高通胀，消费者削减了电子产品购买，导致市场低迷，而当前随着人工智能领域的蓬勃发展，对大量内存芯片的需求使得市场重新回暖。与此同时，为了在高带宽内存（HBM）芯片市场上迎头赶上，三星正致力于提升其HBM芯片的生产。这类芯片尤其适用于英伟达图形处理器进行AI计算。目前，HBM市场主要由SK海力士控制，而英伟达创始人兼CEO黄仁勋上月表示有意购买三星的HBM芯片。此前文章提到，摩根大通发布研报，详细解析了关于三星在半导体领域的各项关键问题，包括三星高带宽存储器（HBM）业务的最新进展以及同业比较。摩根大通在研报表示，截至2023年底，三星已完成与三大GPU客户的HBM3资格认证，并进入大规模生产阶段。HBM3E 12-Hi的样品测试正在进行中，预计2024年第二季度开始晶圆贴片，第三季度起将大规模增产。摩根大通估计，到2024年底，三星的HBM产能将从2023年底的60k提升至130k/月。摩根大通在2024年2月的全球内存市场更新中预测，三星的HBM收入将在2024年至2025年达到56亿至95亿美元，较去年的19亿美元大幅增长。随着HBM芯片级密度的增加和更高高度混合比例，存在合理的上行风险。不过，数据显示，三星电子相对于SK海力士的估值差距已扩大至36%的折扣，而Micron目前的交易价格约为未来12个月市净率的2.2倍，与三星电子的1.1倍市净率相比存在显著溢价。摩根大通认为，这种低估主要是由于市场对三星HBM进展的预期低迷所致。摩根大通表示，HBM执行进展和DRAM利润率与同业之间的差距缩小，是三星电子股价表现超越同业的关键前提。随着预计三星的普通DRAM利润率到年底可能与HBM相当甚至更高，当市场叙事从“AI内存”转向“整体内存周期复苏”时，股票可能会更积极地反应。最新股价走势证明了这一观点，3月20日以来，三星电子股价已累计涨超15%。此外，分析人士还称，三星第一款搭载AI的智能手机也为公司业绩带来了积极影响。自1月起，三星开始销售其Galaxy S24系列旗舰手机，该手机配备了多种基于Google生成式AI技术的功能，如实时通话翻译和通过在手机上圈选图像来搜索相关信息的工具。 ... PC版： 手机版：

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版： 手机版：

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停 据了解，这也是三星电子成立55年以来规模最大的罢工行动，三星电子乃全球存储芯片市场份额最高的领导者，此次罢工可能对全球存储芯片供应造成一定程度影响，自今年以来的这波DRAM与NAND存储芯片涨价浪潮可能停不下来。据了解，韩国最规模工会之一的三星电子工会（NSEU）大约3万名成员占三星电子韩国员工总数的约24%，该工会希望公司对于工会的员工给予更多的年假，并且希望改变员工奖金制度。然而，有分析师对此表示，低参与率和自动化生产规模意味着这一次大规模罢工不太可能对这家全球最大存储芯片制造商的产量产生重大性质的影响，但不排除存储芯片继续涨价趋势。此外，随着全球科技公司纷纷拥抱人工智能，在芯片行业的关键产能提升和创新时刻，这标志着三星电子员工忠诚度明显下降。上个月，工会进行了第一次劳工罢工行动，主要是协调更多的年假，有效地发动了大规模罢工。三星电子在当时表示，这一罢工行动对商业活动没有重大影响。但是该公司拒绝就周一的罢工置评。该工会没有透露上个月具体的工人罢工情况。该工会近日表示，本周将有6540名工人参加现场罢工集会，主要集中在三星电子的生产基地和产品开发部门，还包括监控自动化生产线和设备的工人，因此可能会影响正常的生产运营。周一，工人们聚集在首尔以南华城的三星总部附近。工会主席Son Woo-mok反驳了媒体关于低参与率的报道，他告诉媒体，这个五年前成立的新工会没有足够的时间来教育普通工会成员。“对工会成员和雇员们的工会教育还不够。但我不认为参与率低，因为我们的工会与其他工会相比还很年轻。”工会高级领导人Lee Hyun-kuk上周曾表示，如果这次的要求得不到满足，可能还会出现新一轮大规模罢工。这位高级领导人表示，三星方面的提议包括提高薪资和年假条件方面的灵活性，但并未满足工会增加薪资和更多休假的要求。此外，工会官员们坚称三星电子的奖金制度非常不公平，因为它是通过从营业利润中扣除资本成本来进行测算，而高管们的奖金则基于个人绩效目标。。自从这家韩国科技巨头在2020年承诺不再阻碍有组织劳工的发展以来，三星工会的成员人数大幅增加。有分析师表示，这一增长表明员工忠诚度下降，这是三星在人工智能（AI）应用芯片竞争中面临的除HBM认证资质以外的另一个难题。“我告诉人们，我为在三星电子工作而感到自豪，但事实并非如此，”20 岁的Park Jun-ha接受采访时说道。他是三星芯片先进封装线的一名重要工程师，于今年 1 月加入该公司。他还表示，自己对三星“不透明”的奖金计划感到不满。AI热潮刺激存储需求激增，三星电子Q2利润料迎来爆炸式增长上周五，三星电子预计第二季度营业利润将增长逾15倍，因为人工智能热潮推动HBM存储系统，以及更广泛的DRAM和NAND存储价格大幅反弹，提振了一年前较低的比较基数。尽管如此，其股价表现，以及HBM认证进度仍远远落后于同类型芯片的竞争对手SK海力士（SK Hynix）。三星电子公布了多年来最快的销售和利润增长速度，反映出随着全球人工智能发展加速，存储芯片需求呈现激增态势。在全球企业纷纷斥巨资布局AI的这股狂热浪潮中，存储需求可谓迈入迅猛增长阶段。这家全球最大规模存储芯片以及智能手机制造商上周五公布，截至6月30日的第二季度初步统计业绩显示，营业利润增长逾15倍，至10.4万亿韩元（合75亿美元），大幅超出市场预期。销售额增长约23%，是自2021年新冠疫情以来的最大增幅。三星电子将于7月31日公布包括各部门详细数据在内的最终业绩。随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。三星电子在存储芯片领域堪称最核心地位韩国是世界上最大规模两家存储芯片生产商SK海力士与三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的B200/GB200 AI GPU的HBM也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光，美光HBM3E大概率将搭载英伟达H200以及最新推出的性能无比强劲的B200/GB200 AI GPU。另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DRAM主流应用之一的DDR系列存储芯片领域（如DDR4、DDR5） 以及NAND存储主流应用之一的SSD，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商。不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR（Low Power DDR）系列则应用于智能手机端。从上图能够看出，韩国企业在存储市场占据主导地位，三星电子和SK海力士占据全球存储芯片市场绝大多数份额，其中三星电子占比甚至接近50%。自从2023年以来席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技（DELL.US）以及超微电脑（SMCI.US）等全球顶级数据中心服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星与美光DDR系列产品，以及NAND存储主流应用之一的三星/美光SSD则大量用于计算系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。DRAM主要用于计算系统的主存储器，为CPU和GPU提供临时数据存储和中间计算结果，以及数据加载和预处理。虽然NAND存储的读写速度不如整个DRAM以及归属于DRAM细分领域的HBM，但其容量大、成本低，是长时间存储数据的理想选择，在生成式AI计算系统中，NAND通常用于保存规模庞大的训练/推理数据集和已训练模型，当需要进行训练或再推理负载时，将数据极速加载到DRAM或HBM中进行处理。这也是HBM存储系统，以及整个DRAM与NAND存储需求激增的重要逻辑。随着全球存储芯片持续复苏，主流存储芯片厂商已经率先开启了涨价模式，TrendForce集邦咨询最新调查显示，第二季度整个DRAM合约价格环比涨幅高达13%-18%。有业内人士表示，从2023年年底开始，全球半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。服务器制造商戴尔近日预计DRAM和SSD价格将在下半年上涨15%至20%。此外，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，以及苹果Apple Intelligence所引领的端侧AI大模型融入消费电子端的热潮，也有望推动DRAM与NAND需求迈入激增阶段，近期三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率由去年的20-30%升至70%以上。 ... PC版： 手机版：

半导体全球“第一”争夺战

半导体全球“第一”争夺战 本来，在“争夺第一”的爱恨纠缠之中，只有英特尔和三星两位人选。不过2023年的情况出乎人们的意料：去年英特尔挤下三星，成为全球芯片销售霸主，英伟达快速攀升至第二，三星则退居第三。现在，能够获得争夺第一资格的，已经出现了三位候选者：英特尔、英伟达、三星。01“第一”王座的候选者被AI潮流推上的候选者去年，半导体市场以存储衰退为标志，整体增长处于下滑区间。就在这样的一年里，一个开创性的事件发生了，英伟达的销售额在半导体厂商的销量排名中占据了榜首。从TechInsights公布的数据来看，英伟达2023年Q4的半导体销售额增长23%，达到了98亿美元。而这个季度的营收里，台积电是196亿美元、三星是164亿美元、英特尔则为146亿美元。英伟达已经成为了全球最大的半导体供应商。我们一起来看一下英伟达从2019-2024年的五年来按照产品线可视化的收入。从上图能够看出，英伟达的主要收入已经发生了变化。曾经历史上，占据大部分份额的还是主要的业务线GPU，但是在生成式AI的浪潮下，用于分析和人工智能的数据中心处理器已经成为其最大的收入来源。这类数据中心处理器的昂贵，大家都有目共睹。虽然贵，但为了维持大模型需要的大算力，科技公司都不得不爽快付钱。那么英伟达的第二大收入则是计算机GPU，占到了17.1%。这两条产品线合计能够占到英伟达收入的95.1%。上图显示了半导体销售额排名前10位的公司的市值比较（截至2024年4月9日），能够看出英伟达的市值一枝独秀，超过1万亿美元，英特尔的市值则在1600美元左右。此外，英伟达的利润方面一直在创历史新高，去年Q3季度，毛利率在74%，到了Q4季度毛利率继续上涨到76%。这么来看，上游的台积电等代工企业也没有在英伟达身上分到AI 盛宴，被英伟达独吞了。英特尔：老牌半导体“第一”英特尔在半导体领域是老大，毋庸置疑。1978年，英特尔生产出了著名的16位8086处理器。它是史上第一款x86处理器，后来也成为个人计算机的标准平台，意义非凡。在1980年主导和推动全球PC市场，到了1992年，英特尔已经成为世界第一大半导体供应商。此后的25年，英特尔稳坐龙头，从未跌落。直到2017年，三星将其取而代之。从去年的统计结果来看，英特尔营收达到542.28亿美元。英特尔的收入来源主要是客户端业务和数据中心及AI业务，这两大业务是公司最大的收入来源，两者合计占比达到80%以上。分别来看，去年PC市场从底部回暖，英特尔的PC客户端业务也有变化，营收在293亿美元，尤其是第四季度该业务营收同比上涨了33%。虽然PC业务有恢复的趋势，但是数据中心业务是在下滑的。全年数据中心和人工智能业务群 (DCAI)营收在155亿美元，同比下滑20%。数据中心市场红红火火，但英特尔却难见增长，足以看出英特尔面临的对手依旧强劲。三星：韩国产业代表存储市场去年的萎缩，还是影响到了三星。2023年三星电子半导体部门的销售额在443.74亿美元，比起2022年下降了33.8%。这么大的营收下滑，让三星从第一跌到了第三。三星DS部门生产的DRAM（内存）、NAND Flash（闪存）存储芯片常年贡献公司60%以上的收入，是第一大营收部门。因此，2022年开始的存储芯片价格大跌，直接带崩了公司业绩。从财务报告来看，三星受到存储芯片业务部近15万亿韩元历史巨亏的拖累，三星集团全年收入减少14%，营业利润减少超八成，自2008年全球金融危机后15年来首次跌破10万亿韩元。三星半导体部门的首席执行官兼设备解决方案 （DS） 部门负责人Kyung Kye-hyun在召开年度股东大会上放话：“我们将在未来两到三年内重新夺回全球第一的位置。”02争夺“第一”，谁更有胜算？其实我们关注“第一”，关注的不仅仅是某个企业能够成为龙头，更多的是未来半导体行业发展的风向。2023年，半导体行业整体下行。数据显示，去年该行业规模5448亿美元，相较2022年下滑8.8%。除了英伟达外，无论是英特尔还是三星都出现了营业额下降的情况。2024年来讲，还是有转机的。到底在争夺“第一”的比赛中，谁能够有更多胜算呢？存储芯片价格涨势已成定局三星能够多次取代英特尔和其存储的发展不无关系。目前存储市场报价始终是在上涨的。数据显示，固态硬盘（SSD）今年一季度的大宗交易价格比去年四季度高出1成，且连续两个季度呈上涨趋势。此外，NAND闪存价格已经连续5个月上涨，其中2024年1月份USB通用NAND闪存卡（128Gb 16G×8 MLC）的固定成交价格为4.72美元，环比上涨8.87%，2月份继续环比增长3.82%至4.9美元。从今年一季度的财务情况来看，三星正在走向上坡。受益于内存价格反弹，三星电子今年第一季度营业利润同比暴增931%。4月5日，三星在其初步财报中称，今年第一季度的营业利润为6.6万亿韩元（约49亿美元），高于去年同期的6400亿韩元。这也创下了三星自2022年第三季度以来的最高营业利润纪录。第一季度营收将同比增长11%至71万亿韩元。此外，我们也能看到HBM的出现，也同样将SK 海力士从利润暴跌的路上拉了回来。目前，三星在HBM方面的最新进展来看，截至2023年底，三星已完成与三大GPU客户的HBM3资格认证，并进入大规模生产阶段。HBM3E 12-Hi的样品测试正在进行，预计2024年第二季度开始晶圆贴片，第三季度起将大规模增产。那么在存储的助力下，无论能否回到第一，三星的业绩增长是可以预见的。代工初绽微光代工方面，英特尔和三星两家的代工业务，虽然都做得声势浩大，但与代工的头部台积电确实相距甚远。英特尔这边，在英特尔提交给美国证券交易委员会（SEC）的文件中，披露了自家的芯片制造业务（通常称为代工业务）的财务状况。目前这个财务状况，并不算好。从披露来看，英特尔的代工业务在2023年的营业亏损在70亿美元，销售额在189亿美元。但是上一年，英特尔代工业务的亏损是在52亿美元，销售额在275亿美元。这么说，英特尔赋予厚望的代工业务，近两年来不仅销售额在减少，亏损还在扩大。从2000年初开始，三星开始提供晶圆代工服务，过去也曾是全球第一的芯片代工大厂，后被台积电反超。三星这边也在嚷嚷和台积电一较高下，但其2023年市场份额下滑至12%左右，与后者的差距进一步拉大。不过，最近两家都接到了不小的代工订单。英特尔获得了价值150亿美元的代工订单，微软成为最新客户；三星则传出拿下了英伟达2.5D 封装订单。好日子还有多久？英伟达冲上第一，确实是意料之外。数据中心市场这块，英伟达作为霸主站稳脚跟。不过，GPU并不是一次性产品，英伟达的很多大客户都在囤积GPU，当微软、亚马逊达到所要的产能的时候，他们就不会在未来继续购买GPU。除非，英伟达再次推出的GPU，能够实现非常惊人的性能。股市上，曾经有一家公司，也受到过投资者的钟爱，只是当希望变成失望时，股价开始暴跌。那就是特斯拉，2017年，投资者相信电动汽车将会席卷全世界。不过，现实终究是残酷的，现在，特斯拉的股价较2021年的最高点下跌了超过50%。英伟达的目前的超高市值，与投资者对人工智能的狂热不无关系。我们不是要否认人工智能的颠覆力，不过还是可以想象一下，未来10年后是否真的有可能“人工智能将被应用于诸多领域，而且你需要那些能够运行只有英伟达可以提供的芯片的大型系统。”最近，英特尔发布了Gaudi 3 AI芯片采用台积电5nm工艺。在AI模型算力中，相比于英伟达H100 GPU，Gaudi3 AI芯片的模型训练速度、推理速度分别提升40%和50%... PC版： 手机版：

已经降价的固态硬盘为什么突然涨价了？

已经降价的固态硬盘为什么突然涨价了？ 什么是固态硬盘？固态硬盘（Solid State Disk）简称SSD，是一种主要以闪存（NAND Flash）作为存储介质的长期性存储器。这里面有两个概念需要重点说明一下：第一，对于存储介质来说，传统的机械硬盘是依靠“碟片”存储数据。上图为东芝DT02 7200RPM 2TB机械硬盘的拆解图，其中圆形的部分就是存储数据的“碟片”。而固态硬盘则是依靠芯片存储数据。具体来说，市面上大多数硬盘是依靠NAND Flash芯片来存储数据。不过也有少数固态硬盘依靠其它芯片存储数据，比如英特尔的900P、905P、P4800X、P5800X均采用了3D XPoint作为存储介质。而3D XPoint简而言之就是介于NAND和DRAM之间的产品。第二，固态硬盘是长期性存储器。这点主要是为了说明固态硬盘与内存的不同。由于固态硬盘和内存都能存储数据，且都以芯片作为存储介质，所以这两者经常会被一些人混淆。特别是对于手机产品来说，混淆的情况更加严重。简单来说，断电之后数据全没的是内存，断电之后数据能保持相当长时间的（比如几年）是固态硬盘。固态硬盘的价格一般固态硬盘主要由3类芯片组成，如上图所示：1、NAND芯片：这是存储数据的芯片2、DRAM芯片：用于缓存（并非必须，有些固态硬盘会将DRAM芯片阉割掉）3、主控芯片：用于完成数据存取等工作而在上述3类芯片中，固态硬盘成本的大头一般是在NAND芯片，主控芯片和DRAM芯片在总成本中占较小。也因此固态硬盘的售价往往和NAND芯片价格直接关联。从中长期来看，NAND芯片的价格主要受两个因素影响：1、技术迭代2、产能调整技术迭代：比如出现了新的存储技术，可以有效降低存储芯片单位容量的成本，这样NAND芯片的价格会整体下降。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3D NAND Flash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NAND Flash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-level Cell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-level Cell）、TLC（Triple-level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NAND Flash为平面闪存（2D NAND），3D NAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。简单来说就是，如果将来PLC（Penta-Level Cell）普及了，或者有厂商能造出堆叠层数更高的NAND芯片，那么NAND芯片价格又会迎来一波下降。产能调整：比如上游存储芯片原厂增加资本支出扩张产能，导致供过于求，NAND芯片的市场价格就会呈现下降趋势。反之亦然，当上游存储芯片原厂削减产能，导致供不应求，NAND芯片的市场价格就会呈现上升趋势。从短期来看，NAND芯片的价格主要受下游需求波动影响。比如固态硬盘价格的上涨可能导致固态硬盘下游客户短期内加大采购量，价格下跌则可能导致下游客户短期内减少采购量，从而对固态硬盘的供需产生影响，导致固态硬盘的市场价格波动幅度高于上游NAND芯片市场价格的波动。QLC的普及NAND芯片价格为什么先降后涨？简单来说可以归结为两个因素：QLC的普及和NAND芯片减产。QLC从诞生之日起，来自性能和寿命方面的质疑就始终不绝于耳。但在2022年，众多服务器厂商开始接受并大量配置QLC固态硬盘进入到自己的产品中。以戴尔为例，戴尔科技集团在2022年宣布专为非结构化数据而生的PowerScale率先引入QLC SSD。其中PowerScale F600和F900这两款支持NVMe的节点提供了15TB和30TB两种QLC SSD的选择。特别是30TB的QLC SSD将提供PowerScale产品组合中密度最高的闪存。单个PowerScale F900节点就可支持高达736TB的原始容量或者900TB的有效容量（每个节点都开启数据缩减的情况下），而整个存储集群容量更提高至高达186PB，这将是以前最大容量的两倍。其实服务器厂商对于QLC固态硬盘表现出“真香”的态度并不让人意外。一方面随着行业的发展，需要存储的数据量在不断增长。那么配置大容量固态硬盘就是必须的。另一方面，QLC真的便宜。或者按官方的话说：“引入QLC固态硬盘可以进一步降低企业部署全闪存储的整体TCO成本”。至于QLC的性能和寿命嘛，其实也没有那么大的问题。在寿命方面，虽然QLC的寿命低于TLC，但在“产品生命周期”内，QLC的寿命其实还是够用的。性能方面则可以通过其它技术进一步优化。对于基于QLC的固态硬盘产品，目前固态硬盘的供应商其实会通过多种技术对性能进行补偿，比如多通道、多die、利用高并发对性能进行补偿等。而服务器厂商则可以通过对存储系统的优化和创新对性能进行补偿，比如戴尔的PowerScale通过其存储系统整体性能的优化，使得使用QLC SSD的节点的性能和使用TLC SSD的节点维持在了同一个水平。具体来说，PowerScale本身是一个横向扩展，且通过多个节点和高速网络连接组合而成的存储集群系统，因此在实现读写功能时，或者说当有一个文件进来之后，PowerScale会把文件进行切片，然后分散给到所有的节点，让节点自己去实现落盘而背后代表的含义就是，数据不会只单独写到每一个节点之中，而是所有相关节点的多块存储介质分散地写，这样性能就得到了保障。在此基础上，PowerScale还有一个NVDIMM系统，也就是说它提供非易失性内存的能力，因此当数据写入每个节点之中时，并不是直接落盘，而是先落在每个节点的NVDIMM里，等在NVDIMM中攒够了一批再落盘。这样无论是TLC或者QLC的SSD，对PowerScale而言几乎都是没有任何区别的，由此也最大化的利用了存储介质性能，并保证了对整个存储系统写操作的性能发挥。NAND芯片减产根据TrendForce的数据显示，五大NAND芯片厂商在2023年第三季度占据了大约95.4%的市场份额。也就是说三星、海力士、西部数据、铠侠、美光这五大厂商只要开始减产，NAND芯片涨价就只是时间问题。铠侠：对四日市和北上闪存工厂进行生产调整，从2022年10月开始将其晶圆产量减少约30%。西部数据：在2022年第四季度业绩电话会议上表示，将把NAND闪存晶圆产量减少30%。美光：在2022年11月，美光就宣布了要将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%（与截至9月1日的2022财年第四季度相比），并且美光首席执行官Sanjay Mehrotra还表示将继续监测行业状况，并根据需要作出进一步调整。这意味着美光实际减少的产能可能高于20%。海力士：在2022年10月海力士发布第三季度财报时，海力士曾表示今后将以收益性较低的产品为中心减少产量。也就是说，在一定时期内，将保持投资缩减和减产的基调，使市场的供需平衡恢复正常。三星：三星在一份声明中表示:“根据评估，公司已经获得了足够的产量，以应对未来的存储芯片需求变化，三星正在调整将存储芯片产量降至有意义的水平，重点是已经获得额外供应的产品，以及优化生产线运营。”而对于三星具体的减产措施，2023年9月有业内人士透露，三星电子已加大NAND闪存减产力度，预计到2023年底减产幅度将达50%。三星已在2023年上半年将NAND闪存产量削减了20%。2023年下半年以来，三星减产的步伐有所加快，三星已将NAND闪存产量缩减约40%。所以由于五大NAND芯片厂商都进行了大规模的减产策略，等到市场上的存量芯片消耗差不多了，NAND芯片也就会迎来涨价了。固态硬盘涨价NAND芯片涨价了，作为“下游产品”的固态硬盘也会随之涨价。不过在这个过程中，下游厂商对于涨价这件事会表现出比较积极的态度。以江波龙为例，江波龙电子主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售。拥有嵌入式存储、... PC版： 手机版：