三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版： 手机版：

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。