台积电在 2025 年首次亮相前向苹果展示下一代芯片技术

台积电在 2025 年首次亮相前向苹果展示下一代芯片技术 据英国《金融时报》报道，台积电已经向苹果公司展示了 2nm 芯片的原型，预计将于 2025 年推出。 据称，苹果与台积电密切合作共同致力于开发和应用 2nm 芯片技术。该技术将在晶体管密度、性能和效率方面超越当前的 3nm 芯片和相关节点。随着其下一代芯片技术开发进展顺利，台积电“N2” 2nm 原型芯片的测试结果已经向苹果和其他几家台积电重要客户展示。 苹果是第一个使用台积电 3nm 工艺的公司，该技术应用于 iPhone 15 Pro/Max 中的 A17 Pro 芯片。这家公司很可能会继续采用台积电的 N2 芯片。台积电 2nm 芯片的计划于 2025 年开始量产，不久后它们可能会首次出现在苹果设备中。 、

拥有更先进工艺的苹果下一代芯片有望在2025年亮相

拥有更先进工艺的苹果下一代芯片有望在2025年亮相 有传言称，由于首次应用全栅极（GAA）技术面临技术挑战，台积电可能被迫将其 2 纳米工艺的全面量产推迟到 2026 年。但公司方面辟谣称，"应用 GAA 时的良率已达到目标的 90%"，表明技术研发已取得了实质性进展。苹果公司首席运营官杰夫-威廉姆斯（Jeff Williams）最近秘密访问台湾与台积电总裁魏哲家会面，确保 2 纳米芯片的供应。iPhone 15 Pro采用 A17 Pro 芯片，该芯片采用台积电3 纳米工艺制造。这种工艺可以在更小的空间内容纳更多的晶体管，从而提高性能和效率。苹果公司的 M4 芯片刚刚在新款iPad Pro 上亮相，它使用的就是这种 3 纳米技术的增强版。与 3 纳米制程相比，过渡到 2 纳米制程芯片的性能预计将提高 10%至 15%，功耗将降低 30%。台积电仍然是唯一一家有能力按苹果要求的规模和质量生产 2 纳米和 3 纳米芯片的公司。在 3 纳米芯片方面，苹果预订了台积电所有可用的芯片制造能力，该芯片制造商计划在今年年底前将该节点的产能提高两倍，以满足急剧增长的需求。2 纳米芯片可能会首先出现在 2025 年的iPhone17 产品系列中。 ... PC版： 手机版：

苹果下一代芯片技术将于下周开始试生产

苹果下一代芯片技术将于下周开始试生产 据 ET News 报道，苹果芯片代工厂商台积电将于下周开始试产2纳米芯片，并计划明年将该技术应用于 Apple Silicon 芯片。试生产将在台积电位于台湾北部的宝山工厂进行。为2纳米芯片生产而设计的设备今年第二季度被运往该工厂。苹果预计将在2025年将其定制芯片转移到2纳米制造工艺。iPhone 15 Pro 搭载 A17 Pro芯片，采用台积电3纳米工艺制造。转向2纳米制程将带来进一步的改进，预计性能将比3纳米工艺提高10%到15%，功耗降低30%。台积电计划明年开始大规模生产2纳米芯片，该公司一直在加快这一进程，以确保量产前的良品率。2纳米芯片可能首先出现在明年 iPhone 17 系列中。

苹果公司将获得台积电首批2纳米制程芯片

苹果公司将获得台积电首批2纳米制程芯片 节点尺寸的缩小相当于晶体管尺寸的缩小，因此相同体积的处理器上可以安装更多的晶体管，从而提高运算能力并带来更低的功耗。今年，苹果公司的 iPhone 和 Mac 采用了 3 纳米芯片。iPhone 15 Pro机型中的 A17Pro芯片和 Mac 中的 M3 系列芯片都是基于 3 纳米节点制造的，是之前 5 纳米节点的升级版。从 5 纳米技术跃升到 3 纳米技术，iPhone 的 GPU 速度显著提高了 20%，CPU 速度提高了 10%，神经引擎速度提高了 2 倍，Mac 也有类似的改进。台积电正在兴建两座新工厂，以满足 2 纳米芯片生产的需要，并正在审批第三座工厂。台积电通常在需要提高产能以处理大量芯片订单时才会建造新的工厂，台积电正在为 2 纳米技术进行大规模扩建。在向 2 纳米技术过渡的过程中，台积电将采用带有纳米片的 GAAFET（全栅场效应晶体管），而不是 FinFET，因此制造工艺将更加复杂。GAAFET 能以更小的晶体管尺寸和更低的工作电压实现更快的速度。台积电正花费数十亿美元进行改造，苹果公司也需要改变芯片设计以适应新技术。苹果是台积电的主要客户，通常也是最先获得台积电新芯片的客户。例如，苹果在 2023 年收购了台积电所有的 3 纳米芯片用于 iPhone、iPad 和 Mac。在 3 纳米和 2 纳米节点之间，台积电将推出几款新的 3 纳米改进产品。台积电已经推出了增强型 3 纳米工艺的 N3E 和 N3P 芯片，还有其他正在开发的芯片，如用于高性能计算的 N3X 和用于汽车应用的 N3AE。有传言称，台积电已经开始研发更先进的 1.4 纳米芯片，预计最快将于 2027 年面世。据说苹果公司希望台积电为其独家保留 1.4 纳米和 1 纳米技术的初始制造能力。 ... PC版： 手机版：

台积电在一张幻灯片中分享了其即将推出的芯片信息，其中提到 1.4 纳米芯片为"A14"。这个名称显然会令人困惑，因为 A14 指

台积电在一张幻灯片中分享了其即将推出的芯片信息，其中提到 1.4 纳米芯片为"A14"。这个名称显然会令人困惑，因为 A14 指的是苹果 iPhone 12 中的 5nm 芯片。不过，由于该公司尚未在 2025 年公布其 2nm 芯片，因此该芯片数年内都不会面世，时过境迁后，造成混淆的机会也不大。今年，苹果首次推出了 A17 Pro 芯片，这是该公司首款由台积电制造的 3 纳米芯片。 苹果正在与台积电合作为其未来的设备开发芯片。该公司的 A19 或 M5 芯片将有可能成为首款采用台积电 2 纳米芯片的设备。虽然 1.4 纳米芯片将是全新的产品线，但它将紧随"N2"2 纳米芯片之后。N2 芯片将于 2025 年晚些时候开始量产，增强型 N2P 节点预计将于 2026 年到来。 标签: #台积电 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 作为 2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了有关将为 HBM4 制造的基础芯片的一些新细节，该芯片将使用逻辑工艺构建。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司预计在 HBM4 制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前没有能力经济地生产如此先进的逻辑芯片如果他们能够生产的话他们根本。对于第一波 HBM4，台积电准备使用两种制造工艺：N12FFC+ 和 N5。虽然它们服务于相同的目的将 HBM4E 内存与下一代 AI 和 HPC 处理器集成但它们将以两种不同的方式用于连接 AI 和 HPC 应用程序的高性能处理器的内存。台积电设计与技术平台高级总监表示：“我们正在与主要 HBM 内存合作伙伴（美光、三星、SK 海力士）合作，在先进节点上实现 HBM4 全堆栈集成。” “N12FFC+ 具有成本效益的基础芯片可以达到 HBM 的性能，而 N5 基础芯片可以在 HBM4 速度下以低得多的功耗提供更多逻辑。”台积电采用 N12FFC+ 制造工艺（12nm FinFet Compact Plus，正式属于 12nm 级技术，但其根源于台积电经过充分验证的 16nm FinFET 生产节点）制造的基础芯片将用于在硅片上安装 HBM4 内存堆栈片上系统 (SoC) 旁边的中介层。台积电认为，他们的 12FFC+ 工艺非常适合实现 HBM4 性能，使内存供应商能够构建 12-Hi (48 GB) 和 16-Hi 堆栈 (64 GB)，每堆栈带宽超过 2 TB/秒。“我们还在针对 HBM4 优化 CoWoS-L 和 CoWoS-R，”台积电高级总监说道。“CoWoS-L 和 CoWoS-R 都[使用]超过八层，以实现 HBM4 的路由超过 2,000 个互连，并具有[适当的]信号完整性。”N12FFC+ 上的 HBM4 基础芯片将有助于使用 TSMC 的 CoWoS-L 或 CoWoS-R 先进封装技术构建系统级封装 (SiP)，该技术可提供高达 8 倍标线尺寸的中介层 足够的空间容纳多达 12 个 HBM4 内存堆栈。根据台积电的数据，目前HBM4可以在14mA电流下实现6GT/s的数据传输速率。“我们与 Cadence、Synopsys 和 Ansys 等 EDA 合作伙伴合作，验证 HBM4 通道信号完整性、IR/EM 和热精度，”台积电代表解释道。同时，作为一种更先进的替代方案，内存制造商还可以选择采用台积电的 N5 工艺来生产 HBM4 基础芯片。N5 构建的基础芯片将封装更多的逻辑，消耗更少的功耗，并提供更高的性能。但可以说，最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，约为 6 至 9 微米。这将允许 N5 基础芯片与直接键合结合使用，从而使 HBM4 能够在逻辑芯片顶部进行 3D 堆叠。直接键合可以实现更高的内存性能，这对于总是寻求更多内存带宽的 AI 和 HPC 芯片来说预计将是一个巨大的提升。我们已经知道 台积电和 SK 海力士在 HBM4 基础芯片上进行合作。台积电也可能为美光生产 HBM4 基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为该集团已经通过其三星代工部门拥有自己的先进逻辑工厂。台积电特殊工艺产能扩产50%随着德国和日本的新工厂全部建成，以及中国产能的扩张，台积电计划到 2027 年将其特种技术产能扩大 50%。该公司在欧洲技术研讨会上透露本周，台积电预计不仅需要转换现有产能以满足特殊工艺的需求，甚至还需要为此目的建造新的（绿地）晶圆厂空间。这一需求的主要驱动力之一将是台积电的下一个专用节点：N4e，一个 4 纳米级超低功耗生产节点。“过去，我们总是对即将建成的晶圆厂进行审查阶段，但在台积电很长一段时间以来，我们第一次开始建设绿地晶圆厂，以满足未来的专业技术要求，”台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁Kevin Zhang博士出席活动时候说。“在未来四到五年内，我们的专业产能实际上将增长 1.5 倍。通过这样做，我们实际上扩大了制造网络的覆盖范围，以提高整个晶圆厂供应链的弹性。”除了 N5 和 N3E 等著名的主要逻辑节点之外，台积电还为功率半导体、混合模拟 I/O 和超低功耗应用（例如物联网）等应用提供一套专用节点。这些通常基于该公司的落后制造工艺，但无论底层技术如何，这些节点的容量需求都随着台积电主要逻辑节点的需求而增长。所有这些都要求台积电重新评估他们如何规划其专业节点的容量。台积电近年来的扩张战略追求几个目标。其中之一是在台湾以外建立新的晶圆厂；另一个是普遍扩大产能，以满足未来对所有类型工艺技术的需求这就是该公司正在建设专业节点产能的原因。目前，台积电最先进的专用节点是N6e，是N7/N6的变体，支持0.4V至0.9V之间的工作电压。对于 N4e，台积电正在考虑低于 0.4V 的电压。尽管目前台积电并未透露太多计划节点的技术细节；考虑到该公司在这里的历史，我们预计一旦新流程准备就绪，他们明年将有更多的话题可以讨论。 ... PC版： 手机版：