SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长 HBM内存的主要供货商 SK hynix 正式证实了其前几个月分析报告中"破纪录"的 HBM 销量，重申其在HBM领域的发展方针，并声称市场将出现反弹。SK hynix 副总裁 Kim Ki-tae 在一篇博客文章中分享了该公司在 HBM 市场上的做法，此外，他还重申了SK hynix迈向2024年的期望：随着生成式人工智能服务的多样化和进步，对人工智能内存解决方案 HBM 的需求也呈爆炸式增长。HBM 具有高性能和大容量的特点，是一款具有里程碑意义的产品，打破了内存半导体只是整个系统一部分的传统观念。其中，SK Hynix HBM 的竞争力尤为突出。2024 年，期待已久的"Upturn"时代即将到来。在这个新的飞跃时期，我们将全力以赴，创造最佳业绩。我希望SK hynix的成员们都能在这一年里梦想成真。此外，该公司还透露了 HBM 领域的惊人需求，声称今年的供应已经售罄，SK hynix 已经在为 2025 财年的主导地位做准备。这一点也不令人震惊，因为进入 2024 年，人工智能仍在蓬勃发展，英伟达（NVIDIA）和 AMD 等公司都在为下一代解决方案做准备，显然对 HBM 的需求也将是巨大的。随着 HBM3e 和 HBM4 产品的上市，我们可能会看到更多令人震惊的收入数字。 ... PC版： 手机版：

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14%

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14% Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。 HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。由于 HBM 从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。 TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和 SK hynix 的 HBM 生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SK hynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。关于目前主流 HBM3 产品的市场份额，SK hynix 占据了 HBM3 市场 90% 以上的份额，而随着 AMD 的 MI300 在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。 ... PC版： 手机版：

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品 2023 年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8 层 HBM3E（第 4 代）单元的样品，SK Hynix 也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite 认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的 HBM 产量问题。SK 海力士、三星和美光在 HBM3E 领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的 H200 AI GPU 上。DigiTimes Asia称，SK Hynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SK Hynix 的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的 12 层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为，SK Hynix 的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了 8 层 HBM3E 样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SK Hynix 上个月还向英伟达提供了 12 层 HBM3E 样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SK Hynix 将其称为 UTV（Universal Test Vehicle）。由于海力士已经完成了 8 层 HBM3E 的性能验证，预计 12 层 HBM3E 的测试不会花费太多时间"SK Hynix副总裁最近透露，公司 2024 年的 HBM 产能已经预定一空，领导层已经在为 2025 年及以后的创新做准备。 ... PC版： 手机版：

SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM

SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM 该公司计划于 4 月底开工，力争在 2025 年 11 月竣工，早日实现量产。随着设备投资计划的逐步增加，建设新生产基地的长期总投资将超过 20 万亿韩元。作为人工智能存储器领域的全球领导者，SK hynix 希望通过扩大投资来振兴国内经济，同时刷新韩国作为半导体强国的声誉。随着人工智能时代的到来，半导体行业认为 DRAM 市场已进入中长期增长阶段。除了预计年增长率将超过 60% 的 HBM 之外，该公司还预测，在用于服务器的大容量 DDR5 模块产品的带动下，普通 DRAM 的需求将稳步上升。由于 HBM 需要至少两倍于普通 DRAM 产品的生产能力才能保证同样的产量，因此 SK hynix 决定，提高 DRAM 能力，重点发展 HBM 是未来发展的先决条件。公司计划在 2027 年上半年龙仁半导体集群的第一座工厂竣工之前，在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM。M15X 位于 M15 工厂附近，而 M15 工厂一直在扩大 TSV 生产能力，因此最适合优化 HBM 生产。此外，SK hynix 还将按计划进行其他国内投资，包括龙仁半导体产业园，并将向该产业园注入约 120 万亿韩元。龙仁项目正在加速推进，基础工程的进度已达到 26%，比目标快 3%。包括土地补偿程序和文化财产调查在内的主要准备工作已经完成，从水电到道路等基础设施的建设也在加速。公司计划于明年 3 月开始建设位于龙仁的第一座工厂，并于 2027 年 5 月竣工。就整个 SK 集团而言，SK hynix 的投资是整个国内投资的主要支柱。自2012年并入SK集团以来，SK hynix根据其"未来愿景"计划，自2014年起已累计投资46万亿韩元，在韩国新建三座晶圆厂利川M14晶圆厂、2018年清州M15晶圆厂和2021年利川M16晶圆厂。SK hynix 预计，对 M15X 和龙仁集群的投资将有助于推动韩国成为更强大的人工智能半导体强国，同时为振兴当地经济提供动力。"随着向全球供应人工智能存储器的关键工厂转型，M15X 将作为连接公司现在和未来的垫脚石发挥关键作用，"SK hynix 总裁兼首席执行官郭能静（Kwak Noh-Jung）说。"我们相信，这项投资将成为超越私营部门的巨大飞跃，为更广泛的国内经济的未来做出贡献"。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产 美光透露其正在大规模生产 24 GB 8-Hi HBM3E 设备，每个设备的数据传输速率为 9.2 GT/s，峰值内存带宽超过 1.2 TB/s。与 HBM3 相比，HBM3E 将数据传输速率和峰值内存带宽提高了 44%，这对于像 NVIDIA 的 H200 这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA 的 H200 产品采用 Hopper 架构，计算性能与 H100 相同。同时，它配备了 141 GB HBM3E 内存，带宽达 4.8 TB/s，比 H100 的 80 GB HBM3 和 3.35 TB/s 带宽有了显著提升。美光使用其 1β（1-beta）工艺技术生产其 HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于 2024 年 3 月发布 36 GB 12-Hi HBM3E 产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手 SK Hynix 和三星开始量产 HBM3E 内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在 HBM 领域占据 10% 的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示："美光在 HBM3E 这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图，以及我们面向人工智能应用的全套 DRAM 和 NAND 解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。" ... PC版： 手机版：