内存芯片价格持续上涨：预估三星利润暴增1300%

内存芯片价格持续上涨：预估三星利润暴增1300% 这一显著的利润增长主要得益于内存芯片价格的持续上涨。TrendForce的数据显示，第二季度DRAM芯片价格环比上涨了13%至18%，而NAND Flash存储芯片的价格上涨更是达到了15%至20%。这一价格上涨趋势直接推动了三星半导体部门的营业利润预计达到4.6万亿韩元（约合33.3亿美元），与去年同期相比实现了由亏转盈的巨大转变。尽管智能手机销量保持稳定，但由于组件成本的上涨以及对AI服务的营销和研发投入增加，三星的移动业务营业利润在第二季度可能面临下滑。然而，半导体领域的强劲表现预计将支撑三星整体利润的大幅增长。市场分析人士指出，随着AI技术的快速发展和应用，对高性能存储芯片的需求日益增长，这将进一步推动存储芯片市场的发展，三星将从这一趋势中获益匪浅。需要注意的是，利润数据是基于分析师预测，最终财务数据还是要等三星正式公布其第二季度财报。 ... PC版： 手机版：

AI助力打赢翻身仗 三星Q1营业利润大增931.3% 结束连续六季下滑

AI助力打赢翻身仗 三星Q1营业利润大增931.3% 结束连续六季下滑 当季营收增长至约71万亿韩元，低于预期的71.8万亿韩元。Counterpoint Research主管Tom Kang对此评论道：“营收低于预期。”但他表示，初步结果表明，业务已恢复正常。“减少芯片产量是正确的举措，三星现在正从半导体和智能手机的人工智能趋势中受益。”三星将于4月30日公布包括各部门明细在内的全部业绩。严重低迷后反弹这一结果突显出，为现代电子产品提供动力的存储芯片需求在经历了行业严重低迷后开始反弹。韩国3月份芯片出口同比增长35.7%，至117亿美元，为2022年3月以来单月最高。内存芯片价格上涨也起到了帮助作用。Counterpoint Research高级分析师Akshara Bassi表示，随着智能手机和个人电脑等产品的库存水平趋于正常，主要DRAM生产商第一季度平均提价7%至10%。三星负责半导体业务的首席执行官Kyung Kye-hyun在3月20日的公司年度股东大会上曾表示，随着长期的市场低迷开始结束，三星的半导体业务今年应该会恢复到2022年的水平。该公司当年的季度平均营业利润超过了10万亿韩元。AI助力三星大打翻身仗Kyung还讨论了三星在去年成立专门团队后如何推动其先进封装业务。他的乐观情绪在一定程度上与英伟达（NVDA.US）联合创始人黄仁勋对三星作为高带宽存储芯片（HBM）供应商的认可相吻合。HBM是训练人工智能系统的图形处理器的关键部件。据了解，HBM是三星努力成为全球领先芯片制造商的关键组成部分，但这也是三星在存储芯片市场上没有明显领先于竞争对手的一部分。该公司表示，其HBM销售额在去年第四季度增长了40%以上，内存芯片需求显示出复苏迹象。Bassi表示：“人工智能，特别是向设备上生成式人工智能的转变，将成为需求增加的关键催化剂，导致今年剩余时间内价格持续上涨。三星凭借其最新的高容量HBM产品以及与英伟达的潜在合作，完全有能力抓住以人工智能为主导的部署。”目前，分析师们一直在提高三星的目标价，以考虑人工智能对其的利好，以及存储芯片需求和价格在长期低迷后出现更广泛反弹的迹象。基金经理也已经开始将资金转移到在首尔上市的三星，以利用其预期的反弹。尽管人工智能巨头英伟达在过去12个月里增长了两倍，其主要HBM供应商SK海力士增长了一倍多，但三星的涨幅仅为32%，预计其未来仍有更大的上涨空间。Ariel Investments LLC投资组合经理Christine Phillpotts表示：“我们已经开始减持SK海力士，并将其配置给存储芯片价值链中没有从中受益的其他部分，比如三星电子，我们认为该股的上行空间尚未实现。我们预计，三星的上行空间将出现一些催化剂。”另外，花旗分析师Peter Lee本周发布了一份报告，提醒投资者注意即将到来的“更换周期”，在这个周期中，固态硬盘可能会取代机械硬盘用于人工智能。Lee表示，由于SSD依赖于NAND存储器，三星将从中获益。“我们的新结论是，固态硬盘将成为人工智能的一部分，”这位花旗分析师表示，这与市场的普遍看法相反。他补充说，固态硬盘“更适合人工智能训练应用”，因为它们比机械硬盘快40倍。Lee是最近上调三星价格目标的分析师之一。市场普遍预期三星股价明年将上涨17%，而SK海力士和英伟达的涨幅分别约为12%和14%。 ... PC版： 手机版：

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片

三星宣布存储芯片将继续减产，将重点转向高端人工智能芯片 三星电子在今年第二季度，存储芯片部门运营亏损 34 亿美元后，继续削减其存储芯片生产，包括用于智能手机和 PC 的 NAND 闪存。在过去六个月中，这家全球最大的存储芯片制造商的半导体业务出现了约 70 亿美元的营业亏损。 在今天的财报电话会议上，三星内存部门执行副总裁Jaejune Kim 表示，三星将继续削减内存芯片的产量，并针对特定产品进行调整，但将把包括 HBM 在内的高性能内存芯片的产能提高一倍，因为对这些先进内存芯片的需求预计将持续增长。

三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试

三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试 HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，随着人工智能（AI）市场的快速增长变得越来越重要。HBM需求激增，三星电子和SK海力士陷入激烈的市场主导地位争夺战。尽管三星在存储半导体行业历来处于领先地位，但其在HBM领域处于下风，这种情况促使该公司内部发生重大战略转变。为了应对这些竞争压力，三星最近更换了负责监管半导体业务的设备解决方案（DS）部门的负责人。此次领导层变动凸显了三星重新在HBM市场站稳脚跟的承诺。今年4月，三星开始量产其第五代HBM产品8层HBM3E，并计划在今年第二季度开始量产业界首款12层HBM3E产品。三星电子重申了其对质量和可靠性的承诺。该公司表示：“我们正在努力提高所有产品的质量和可靠性。我们正在严格测试HBM产品的质量和性能，以便为客户提供最佳的解决方案。”尽管有这些保证，一些市场分析师仍然对三星在短期内缩小与其竞争对手差距的能力持怀疑态度。相关文章:路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试被曝未通过英伟达HBM芯片测试 三星回应：正与客户密切合作优化产品 ... PC版： 手机版：

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停

三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮难停 据了解，这也是三星电子成立55年以来规模最大的罢工行动，三星电子乃全球存储芯片市场份额最高的领导者，此次罢工可能对全球存储芯片供应造成一定程度影响，自今年以来的这波DRAM与NAND存储芯片涨价浪潮可能停不下来。据了解，韩国最规模工会之一的三星电子工会（NSEU）大约3万名成员占三星电子韩国员工总数的约24%，该工会希望公司对于工会的员工给予更多的年假，并且希望改变员工奖金制度。然而，有分析师对此表示，低参与率和自动化生产规模意味着这一次大规模罢工不太可能对这家全球最大存储芯片制造商的产量产生重大性质的影响，但不排除存储芯片继续涨价趋势。此外，随着全球科技公司纷纷拥抱人工智能，在芯片行业的关键产能提升和创新时刻，这标志着三星电子员工忠诚度明显下降。上个月，工会进行了第一次劳工罢工行动，主要是协调更多的年假，有效地发动了大规模罢工。三星电子在当时表示，这一罢工行动对商业活动没有重大影响。但是该公司拒绝就周一的罢工置评。该工会没有透露上个月具体的工人罢工情况。该工会近日表示，本周将有6540名工人参加现场罢工集会，主要集中在三星电子的生产基地和产品开发部门，还包括监控自动化生产线和设备的工人，因此可能会影响正常的生产运营。周一，工人们聚集在首尔以南华城的三星总部附近。工会主席Son Woo-mok反驳了媒体关于低参与率的报道，他告诉媒体，这个五年前成立的新工会没有足够的时间来教育普通工会成员。“对工会成员和雇员们的工会教育还不够。但我不认为参与率低，因为我们的工会与其他工会相比还很年轻。”工会高级领导人Lee Hyun-kuk上周曾表示，如果这次的要求得不到满足，可能还会出现新一轮大规模罢工。这位高级领导人表示，三星方面的提议包括提高薪资和年假条件方面的灵活性，但并未满足工会增加薪资和更多休假的要求。此外，工会官员们坚称三星电子的奖金制度非常不公平，因为它是通过从营业利润中扣除资本成本来进行测算，而高管们的奖金则基于个人绩效目标。。自从这家韩国科技巨头在2020年承诺不再阻碍有组织劳工的发展以来，三星工会的成员人数大幅增加。有分析师表示，这一增长表明员工忠诚度下降，这是三星在人工智能（AI）应用芯片竞争中面临的除HBM认证资质以外的另一个难题。“我告诉人们，我为在三星电子工作而感到自豪，但事实并非如此，”20 岁的Park Jun-ha接受采访时说道。他是三星芯片先进封装线的一名重要工程师，于今年 1 月加入该公司。他还表示，自己对三星“不透明”的奖金计划感到不满。AI热潮刺激存储需求激增，三星电子Q2利润料迎来爆炸式增长上周五，三星电子预计第二季度营业利润将增长逾15倍，因为人工智能热潮推动HBM存储系统，以及更广泛的DRAM和NAND存储价格大幅反弹，提振了一年前较低的比较基数。尽管如此，其股价表现，以及HBM认证进度仍远远落后于同类型芯片的竞争对手SK海力士（SK Hynix）。三星电子公布了多年来最快的销售和利润增长速度，反映出随着全球人工智能发展加速，存储芯片需求呈现激增态势。在全球企业纷纷斥巨资布局AI的这股狂热浪潮中，存储需求可谓迈入迅猛增长阶段。这家全球最大规模存储芯片以及智能手机制造商上周五公布，截至6月30日的第二季度初步统计业绩显示，营业利润增长逾15倍，至10.4万亿韩元（合75亿美元），大幅超出市场预期。销售额增长约23%，是自2021年新冠疫情以来的最大增幅。三星电子将于7月31日公布包括各部门详细数据在内的最终业绩。随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。三星电子在存储芯片领域堪称最核心地位韩国是世界上最大规模两家存储芯片生产商SK海力士与三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的B200/GB200 AI GPU的HBM也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光，美光HBM3E大概率将搭载英伟达H200以及最新推出的性能无比强劲的B200/GB200 AI GPU。另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DRAM主流应用之一的DDR系列存储芯片领域（如DDR4、DDR5） 以及NAND存储主流应用之一的SSD，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商。不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR（Low Power DDR）系列则应用于智能手机端。从上图能够看出，韩国企业在存储市场占据主导地位，三星电子和SK海力士占据全球存储芯片市场绝大多数份额，其中三星电子占比甚至接近50%。自从2023年以来席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技（DELL.US）以及超微电脑（SMCI.US）等全球顶级数据中心服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星与美光DDR系列产品，以及NAND存储主流应用之一的三星/美光SSD则大量用于计算系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。DRAM主要用于计算系统的主存储器，为CPU和GPU提供临时数据存储和中间计算结果，以及数据加载和预处理。虽然NAND存储的读写速度不如整个DRAM以及归属于DRAM细分领域的HBM，但其容量大、成本低，是长时间存储数据的理想选择，在生成式AI计算系统中，NAND通常用于保存规模庞大的训练/推理数据集和已训练模型，当需要进行训练或再推理负载时，将数据极速加载到DRAM或HBM中进行处理。这也是HBM存储系统，以及整个DRAM与NAND存储需求激增的重要逻辑。随着全球存储芯片持续复苏，主流存储芯片厂商已经率先开启了涨价模式，TrendForce集邦咨询最新调查显示，第二季度整个DRAM合约价格环比涨幅高达13%-18%。有业内人士表示，从2023年年底开始，全球半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。服务器制造商戴尔近日预计DRAM和SSD价格将在下半年上涨15%至20%。此外，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，以及苹果Apple Intelligence所引领的端侧AI大模型融入消费电子端的热潮，也有望推动DRAM与NAND需求迈入激增阶段，近期三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率由去年的20-30%升至70%以上。 ... PC版： 手机版：

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠 三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM3 8H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TC NCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E 12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM3 8H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，计划于今年上半年量产。 ... PC版： 手机版：