台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备 他这个 A16 应该是指 16Å (1.6nm)，对应 Intel 14A 制程 但这么命名乍一看还以为是的A16

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图。其中，台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管（GAAFET）架构的2nm（N2）制程工艺，将于2025年量产。 #抽屉IT

#前沿科技新闻：台积电2nm制程即将投产 晶圆代工价格飙升至 3 万美元

#前沿科技新闻：台积电2nm制程即将投产 晶圆代工价格飙升至 3 万美元 台积电2nm制程预计将在今年底进入量产阶段，全球多家顶尖芯片设计公司包括苹果、AMD、联发科、高通等已陆续采用此先进技术。据供应链消息，2nm制程从设计到量产成本高达7.25亿美元，每片晶圆代工报价达到3万美元，较上一代技术有明显上涨，显示先进制程门槛不断提高。而更先进的埃米制程如A16（1.6nm）和A14（1.4nm）等，未来报价可能达到每片4.5万美元。 PS：以后芯片可以植入人体了，无线脑机信息传送

台积电2nm制程即将投产 晶圆代工价格飙升至 3 万美元

台积电2nm制程即将投产 晶圆代工价格飙升至 3 万美元 台积电2nm制程预计将在今年底进入量产阶段，全球多家顶尖芯片设计公司包括苹果、AMD、联发科、高通等已陆续采用此先进技术。据供应链消息，2nm制程从设计到量产成本高达7.25亿美元，每片晶圆代工报价达到3万美元，较上一代技术有明显上涨，显示先进制程门槛不断提高。而更先进的埃米制程如A16（1.6nm）和A14（1.4nm）等，未来报价可能达到每片4.5万美元。

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 在 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 期间台积电透露，该公司 1.4 nm制程工艺研发工作进展顺利。与以往制程命名不同，台积电的 1.4nm 制程工艺被命名为 A14。 台积电尚未透露 1.4nm 制程工艺的量产时间和具体参数，但考虑到 2nm 制程工艺在 2025 年量产，而 N2P 则定于 2026 年底量产，因此 1.4nm 制程工艺预计会在 2027 年到 2028 年量产。