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第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版：手机版：

厂商对AI需求展望极具信心明年HBM内存价格最高再涨10%

厂商对AI需求展望极具信心明年HBM内存价格最高再涨10% 1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨；2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%，因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源；3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，可能影响供应商获利。前不久SK海力士CEO曾表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄，主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。不仅如此，此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。SK海力士认为，目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年这一比例可以达到61%。 ... PC版：手机版：

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨 NAND闪存方面，合约价自2022年第三季度开始下跌，已经连续下跌四个季度，至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下，DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024年第一季度，预计DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守，DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率，买方也在第一季度陆续完成库存回补，因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。第三季度是传统的旺季，来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下，合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，平均单价的提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下，涨势将延续，预计DRAM合约价季涨幅约8~13%，而NAND闪存则是0~5%。 ... PC版：手机版：

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微台湾有四家内存制造商：美光（Micron）是岛内"三大"内存制造商的唯一成员，拥有两座工厂。与此同时，规模较小的厂商有南亚（拥有一座工厂）、华邦（在一座工厂生产特种内存）和力积电（在一座工厂生产特种内存）。研究发现，这些 DRAM 生产商很快就恢复了全面运营，但不得不丢弃一些晶圆。TrendForce称，地震对第二季度的DRAM生产影响较小，1%的影响可以忽略不计。事实上，随着美光在其 1alpha 和 1beta 纳米工艺技术上加大 DRAM 的生产力度，内存的位产量也随之增加，这将对 2025 年第二季度的商品 DRAM 供应产生积极影响。地震发生后，DRAM 合同市场和现货市场的报价都暂时停止。不过，现货市场报价已基本恢复，而合约价格尚未完全重启。值得注意的是，美光（Micron）和三星（Samsung）在地震发生后立即停止了移动 DRAM 的报价，截至 4 月 8 日也没有提供最新报价。相比之下，SK hynix 在地震当天恢复了面向智能手机客户的报价，并对第二季度移动 DRAM 提出了较为温和的价格调整。TrendForce预计，第二季度移动DRAM的季节性合约价格涨幅在3%到8%之间。这种温和增长的部分原因是 SK hynix 采取了更为克制的定价策略，这可能会影响整个行业的整体定价策略。据TrendForce称，地震对服务器DRAM的影响主要波及美光的先进制造节点，可能导致美光服务器DRAM的最终销售价格上涨。不过，未来价格的确切走向仍有待观察。与此同时，台湾以外的 DRAM 工厂没有受到地震的直接影响。这包括美光位于日本广岛的 HBM 生产线，以及三星和 SK hynix 位于韩国的 HBM 生产线，它们显然都在照常运营。总体而言，DRAM 行业在地震面前表现出了顽强的生命力，受到的影响很小，恢复也很快。DDR4 和 DDR5 库存充足，加上需求疲软，这表明地震造成的轻微价格上涨预计都会很快恢复正常。唯一可能的例外是 DDR3，其商业寿命即将结束，产量已经在减少。 ... PC版：手机版：

DDR3内存时代终结三星、SK海力士停产涨价20％

DDR3内存时代终结三星、SK海力士停产涨价20％而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年会上涨5-10％。数据显示，HBM内存在2023年的市占率只有2％，2024年可扩大至5％，2025年再次翻番到10％。在这种情况下，原厂停产DDR3、扩产HBM已是必然，直接导致DDR3内存近期价格明显上涨，最高幅度达20％。此举连带也会影响DDR5的供应，再加上存储行业处于上升周期，预测价格也会上涨20％。美光以及南亚等台系厂商将会继续生产DDR3，但美光也可能不会坚持太久。 ... PC版：手机版：

三星电子第二季度营业利润75亿美元同比增长14.5倍

三星电子第二季度营业利润75亿美元同比增长14.5倍这一利润超过了LSEG SmartEstimate调查的分析师平均预期的8.8万亿韩元，并创下了自2022年第三季度以来的新高。第二季度营收增长23.3%，达到74万亿韩元。净利润数据未公布。三星电子将于本月晚些时候公布第二季度正式财报。三星的关键半导体部门可能连续第二个季度实现盈利，比第一季度有所改善，因为存储芯片价格从2022年中期到2023年底的低谷持续上涨，这是由于疫情后对使用该芯片的电子产品的需求疲软造成的。分析师表示，对高端DRAM芯片，如人工智能芯片组中使用的高带宽内存（HBM）芯片，以及数据中心服务器和运行人工智能服务的设备中使用的芯片的爆炸式需求，帮助提振了芯片价格。数据提供商TrendForce的数据显示，今年第二季度，用于科技设备的DRAM芯片价格环比上涨了约13%至18%，用于数据存储的NAND闪存芯片价格环比上涨了15%至20%。 ... PC版：手机版：

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