三星基本完成8nm eMRAM内存开发 速度是NAND的1000倍

三星基本完成8nm eMRAM内存开发 速度是NAND的1000倍 此外,eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍,这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力,并已开始向智能手表等终端产品供货。根据此前报道,三星电子曾计划在2024年量产14nm eMRAM,并在2026年实现8nm eMRAM的量产。现在,随着8nm eMRAM开发的基本完成,公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步前进。同时三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心,并表示其产品耐温能力已达到150~160℃,完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。 ... PC版: 手机版:

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