长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产

长江存储 232 层 Xtacking 3.0 闪存 已实现量产 Tech Insights 于11月已在 致态 TiPlus 7100 系列 SSD 和海康威视的 CC700 2TB SSD 上发现使用Xtacking 3.0 3D NAND Flash 闪存。此举领先于美光、三星和SK海力士等厂商。

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产 据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle 5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe 5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。 ... PC版： 手机版：

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存

美光发布世界首款 1.5 TB microSD 卡，搭载 176 层 NAND 闪存 美光宣布正在向客户提供世界上容量最大的 microSD 卡 i400 样品，其容量达到前所未有的 1.5 TB，搭载 176 层 3D NAND，专为工业级视频安全而设计 md图都没个 ======== oem品，暂时没有零售

长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E

长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E 不过，长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计，走出了属于自己的特色道路，闪存寿命可靠性大大提升。比如长江存储新一代的QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。根据官方介绍，长江存储X3-6070 QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同时读取、写入速度都有着接近100％的提升。更不可思议的是可靠性和寿命，它的P/E居然能做到惊人的4000次，是普通QLC闪存的4倍！据长江存储的工作人员透露，他们的QLC闪存之所以能做到这一点，一方面来自独特的Xtacking晶栈架构，另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然，不是所有的QLC都能达到这么高的水平，一要看具体品质和良品率，而要看用在什么领域，比如企业级SSD上使用的肯定寿命更长一些。比如说去年9月份发布的致态Ti600，是长江存储首款采用QLC闪存的SSD产品，面向消费级市场，其性能可媲美高端的PCIe 4.0 SSD。它的具体P/E次数没有公开。考虑到这类产品的写入放大一般在3-5倍，再加上固件算法设置等因素，倒推致态Ti600 SSD的P/E大概在2000次左右，是普通QLC的两倍左右，相当可靠了。同时，致态Ti600 1TB版本的最大写入量多达400TBW，按照五年保质期计算，平均每天可以写入219GB，完全能够满足消费级用户的使用。值得一提的是，在OEM领域，长江存储的下一代PC41Q SSD也将引入QLC，可用于笔记本、台式机、一体机等设备。它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，读写带宽5.5GB/s，动态功耗低于4W，PS4待机功耗低于2mW。可靠性和数据保持能力方面也足以媲美TLC闪存，比如说平均故障间隔时间达200万小时，可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。可以说，QLC闪存已经到了真正可以普及的新阶段，尤其是长江存储的QLC，完全可以让普通消费者乃至企业级客户都放心长期使用，无论性能还是寿命都无需任何顾虑。 ... PC版： 手机版：

已经降价的固态硬盘为什么突然涨价了？

已经降价的固态硬盘为什么突然涨价了？ 什么是固态硬盘？固态硬盘（Solid State Disk）简称SSD，是一种主要以闪存（NAND Flash）作为存储介质的长期性存储器。这里面有两个概念需要重点说明一下：第一，对于存储介质来说，传统的机械硬盘是依靠“碟片”存储数据。上图为东芝DT02 7200RPM 2TB机械硬盘的拆解图，其中圆形的部分就是存储数据的“碟片”。而固态硬盘则是依靠芯片存储数据。具体来说，市面上大多数硬盘是依靠NAND Flash芯片来存储数据。不过也有少数固态硬盘依靠其它芯片存储数据，比如英特尔的900P、905P、P4800X、P5800X均采用了3D XPoint作为存储介质。而3D XPoint简而言之就是介于NAND和DRAM之间的产品。第二，固态硬盘是长期性存储器。这点主要是为了说明固态硬盘与内存的不同。由于固态硬盘和内存都能存储数据，且都以芯片作为存储介质，所以这两者经常会被一些人混淆。特别是对于手机产品来说，混淆的情况更加严重。简单来说，断电之后数据全没的是内存，断电之后数据能保持相当长时间的（比如几年）是固态硬盘。固态硬盘的价格一般固态硬盘主要由3类芯片组成，如上图所示：1、NAND芯片：这是存储数据的芯片2、DRAM芯片：用于缓存（并非必须，有些固态硬盘会将DRAM芯片阉割掉）3、主控芯片：用于完成数据存取等工作而在上述3类芯片中，固态硬盘成本的大头一般是在NAND芯片，主控芯片和DRAM芯片在总成本中占较小。也因此固态硬盘的售价往往和NAND芯片价格直接关联。从中长期来看，NAND芯片的价格主要受两个因素影响：1、技术迭代2、产能调整技术迭代：比如出现了新的存储技术，可以有效降低存储芯片单位容量的成本，这样NAND芯片的价格会整体下降。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3D NAND Flash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NAND Flash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-level Cell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-level Cell）、TLC（Triple-level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NAND Flash为平面闪存（2D NAND），3D NAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。简单来说就是，如果将来PLC（Penta-Level Cell）普及了，或者有厂商能造出堆叠层数更高的NAND芯片，那么NAND芯片价格又会迎来一波下降。产能调整：比如上游存储芯片原厂增加资本支出扩张产能，导致供过于求，NAND芯片的市场价格就会呈现下降趋势。反之亦然，当上游存储芯片原厂削减产能，导致供不应求，NAND芯片的市场价格就会呈现上升趋势。从短期来看，NAND芯片的价格主要受下游需求波动影响。比如固态硬盘价格的上涨可能导致固态硬盘下游客户短期内加大采购量，价格下跌则可能导致下游客户短期内减少采购量，从而对固态硬盘的供需产生影响，导致固态硬盘的市场价格波动幅度高于上游NAND芯片市场价格的波动。QLC的普及NAND芯片价格为什么先降后涨？简单来说可以归结为两个因素：QLC的普及和NAND芯片减产。QLC从诞生之日起，来自性能和寿命方面的质疑就始终不绝于耳。但在2022年，众多服务器厂商开始接受并大量配置QLC固态硬盘进入到自己的产品中。以戴尔为例，戴尔科技集团在2022年宣布专为非结构化数据而生的PowerScale率先引入QLC SSD。其中PowerScale F600和F900这两款支持NVMe的节点提供了15TB和30TB两种QLC SSD的选择。特别是30TB的QLC SSD将提供PowerScale产品组合中密度最高的闪存。单个PowerScale F900节点就可支持高达736TB的原始容量或者900TB的有效容量（每个节点都开启数据缩减的情况下），而整个存储集群容量更提高至高达186PB，这将是以前最大容量的两倍。其实服务器厂商对于QLC固态硬盘表现出“真香”的态度并不让人意外。一方面随着行业的发展，需要存储的数据量在不断增长。那么配置大容量固态硬盘就是必须的。另一方面，QLC真的便宜。或者按官方的话说：“引入QLC固态硬盘可以进一步降低企业部署全闪存储的整体TCO成本”。至于QLC的性能和寿命嘛，其实也没有那么大的问题。在寿命方面，虽然QLC的寿命低于TLC，但在“产品生命周期”内，QLC的寿命其实还是够用的。性能方面则可以通过其它技术进一步优化。对于基于QLC的固态硬盘产品，目前固态硬盘的供应商其实会通过多种技术对性能进行补偿，比如多通道、多die、利用高并发对性能进行补偿等。而服务器厂商则可以通过对存储系统的优化和创新对性能进行补偿，比如戴尔的PowerScale通过其存储系统整体性能的优化，使得使用QLC SSD的节点的性能和使用TLC SSD的节点维持在了同一个水平。具体来说，PowerScale本身是一个横向扩展，且通过多个节点和高速网络连接组合而成的存储集群系统，因此在实现读写功能时，或者说当有一个文件进来之后，PowerScale会把文件进行切片，然后分散给到所有的节点，让节点自己去实现落盘而背后代表的含义就是，数据不会只单独写到每一个节点之中，而是所有相关节点的多块存储介质分散地写，这样性能就得到了保障。在此基础上，PowerScale还有一个NVDIMM系统，也就是说它提供非易失性内存的能力，因此当数据写入每个节点之中时，并不是直接落盘，而是先落在每个节点的NVDIMM里，等在NVDIMM中攒够了一批再落盘。这样无论是TLC或者QLC的SSD，对PowerScale而言几乎都是没有任何区别的，由此也最大化的利用了存储介质性能，并保证了对整个存储系统写操作的性能发挥。NAND芯片减产根据TrendForce的数据显示，五大NAND芯片厂商在2023年第三季度占据了大约95.4%的市场份额。也就是说三星、海力士、西部数据、铠侠、美光这五大厂商只要开始减产，NAND芯片涨价就只是时间问题。铠侠：对四日市和北上闪存工厂进行生产调整，从2022年10月开始将其晶圆产量减少约30%。西部数据：在2022年第四季度业绩电话会议上表示，将把NAND闪存晶圆产量减少30%。美光：在2022年11月，美光就宣布了要将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%（与截至9月1日的2022财年第四季度相比），并且美光首席执行官Sanjay Mehrotra还表示将继续监测行业状况，并根据需要作出进一步调整。这意味着美光实际减少的产能可能高于20%。海力士：在2022年10月海力士发布第三季度财报时，海力士曾表示今后将以收益性较低的产品为中心减少产量。也就是说，在一定时期内，将保持投资缩减和减产的基调，使市场的供需平衡恢复正常。三星：三星在一份声明中表示:“根据评估，公司已经获得了足够的产量，以应对未来的存储芯片需求变化，三星正在调整将存储芯片产量降至有意义的水平，重点是已经获得额外供应的产品，以及优化生产线运营。”而对于三星具体的减产措施，2023年9月有业内人士透露，三星电子已加大NAND闪存减产力度，预计到2023年底减产幅度将达50%。三星已在2023年上半年将NAND闪存产量削减了20%。2023年下半年以来，三星减产的步伐有所加快，三星已将NAND闪存产量缩减约40%。所以由于五大NAND芯片厂商都进行了大规模的减产策略，等到市场上的存量芯片消耗差不多了，NAND芯片也就会迎来涨价了。固态硬盘涨价NAND芯片涨价了，作为“下游产品”的固态硬盘也会随之涨价。不过在这个过程中，下游厂商对于涨价这件事会表现出比较积极的态度。以江波龙为例，江波龙电子主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售。拥有嵌入式存储、... PC版： 手机版：