SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺 SK 海力士封装开发负责人 Lee Kang-Wook 表示，该公司今年将在韩国投资超过 10 亿美元，以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤，特别是先进封装工艺。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为105 亿美元。 这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端为主”，即芯片的设计和制造。“但接下来的50年将是全部是后端为主”，即封装。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充（MR-MUF）和硅通孔（TSV）技术中，Lee 曾领导这两种技术的发明，现在均已成为 HBM 制造的基础核心技术。

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险 三位知情人士表示，SK 海力士 的生产计划要求公司以荷兰艾司摩尔(ASML)的最新极紫外光(EUV)微影技术的芯片制造机为无锡厂的一个量产设施进行升级。 无锡这家工厂对全球电子行业至关重要，因其生产SK海力士约半数的动态随机存取记忆体芯片，占全球总量的15%。 一位了解SK海力士在中国运营情况的消息人士说，随着两到三年后新型芯片在SK海力士的生产中占据更大份额，该公司将需要EUV光刻机来控制其成本并加速生产。 美国官员不希望该过程中使用的先进设备进入中国。 （）

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版： 手机版：

SK海力士市值增长惊人 超越LG和现代汽车集团总和

SK海力士市值增长惊人 超越LG和现代汽车集团总和 这一辉煌成就的核心驱动力非SK海力士莫属。SK海力士的市值实现了质的飞跃，从103.6675万亿韩元激增至171.8086万亿韩元，增幅惊人地达到了68.1411万亿韩元，即65.7%，一举超越了LG集团（约163万亿韩元）与现代汽车集团（约160万亿韩元）的市值总和，成为行业瞩目的焦点。业内专家深入剖析指出，SK海力士市值飙升的奥秘在于其成功占据了英伟达新一代AI半导体所需高带宽内存（HBM）供应的近乎垄断地位。鉴于高带宽内存在推动高级计算应用发展中的不可或缺性，这一战略布局极大地提振了投资者的信心，进而推动了市场估值的飙升。在当前的韩国企业市值版图中，三星集团以721.5250万亿韩元的雄厚实力稳坐榜首，而SK集团则以247.2104万亿韩元的市值紧随其后，位居第二。LG集团和现代汽车集团分别以163.3307万亿韩元和160.1852万亿韩元位列第三、四位，但SK海力士的卓越表现无疑为SK集团的整体市值增长贡献了决定性力量。SK海力士市值的显著增长，不仅是对其自身实力的有力证明，也凸显了半导体行业在全球经济格局中的核心地位，尤其是在人工智能技术需求持续高涨的当下。展望未来，随着SK海力士继续巩固并扩大在英伟达AI半导体HBM市场的领导地位，其市场估值预期将持续保持强劲增长态势，为SK集团乃至整个韩国经济注入更多活力与希望。 ... PC版： 手机版：

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。