三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布

三星CXL全球首创 3D DRAM路线图公布 该扩展卡混合了高速DRAM和NAND闪存，旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量，而无需使用本地安装的DDR5内存，而这在超额认购的服务器中通常是不可行的。三星的解决方案在Compute Express Link (CXL)上运行，这是一种开放式行业标准，可在 CPU 和加速器之间提供缓存一致性互连，从而允许 CPU 使用与利用 CXL 的连接设备相同的内存区域。远程存储器（或者在本例中为混合 RAM/闪存设备）可通过 PCIe 总线访问，但代价是大约 170-250 纳秒的延迟，或者大约是 NUMA 跳的成本。CXL 于 2019 年推出，目前处于第三个版本，支持 PCIe 6.0。CXL 规范支持三种类型的设备：Type 1 设备是缺乏本地内存的加速器，Type 2 设备是具有自己内存的加速器（例如具有 DDR 或 HBM 的 GPU、FPGA 和 ASIC），Type 3 设备由内存设备组成。三星设备属于 Type 3 类别。CMM-H TM 是三星CMM-H CXL 内存解决方案的一个分支。三星表示，它是世界上第一个基于FPGA的分层 CXL 内存解决方案，旨在“应对内存管理挑战，减少停机时间，优化分层内存的调度，并最大限度地提高性能，同时显着降低总拥有成本。”这种新的 CMM-H 速度不如 DRAM；然而，它通过闪存增加了强大的容量，但通过扩展卡内置的巧妙的内存缓存功能隐藏了大量延迟。热数据被转移到卡的 DRAM 芯片中以提高速度，而较少使用的数据则存储在 NAND 存储中。三星表示，这种行为会自动发生，但某些应用程序和工作负载可以通过 API 向设备发出提高性能的提示。当然，这会增加缓存数据的一些延迟，这并不适合所有用例，特别是那些依赖严格 99% 性能的用例。三星的新型扩展卡将为客户提供扩展服务器内存容量的新方法。随着更先进的大型语言模型继续要求其主机和加速器提供更多内存，这种新的设计范例变得越来越重要。三星公布3D DRAM规划全球最大的存储芯片制造商三星电子公司计划于2025年推出人工智能行业游戏规则改变者三维(3D) DRAM，目前以规模较小的竞争对手SK海力士公司主导的全球人工智能半导体市场。3D为主导的DRAM芯片通过垂直互连单元而不是像目前那样水平放置它们，能将单位面积的容量增加了三倍。相比之下，高带宽内存（HBM）垂直互连多个DRAM芯片。据首尔的半导体行业消息知情人士周二透露，三星上个月在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会Memcon 2024上公布了其3D DRAM开发路线图。这家总部位于韩国水原的巨头计划于2025年推出基于垂直沟道晶体管技术的早期版本3D DRAM，该技术在构成单元的晶体管中该垂直设置沟道（电子流动的通道），并用充当开关的门。公司还计划在2030年推出一个式DRAM，将包括在内部的所有单元都在一起。目前 DRAM 在主板上包含多达 620 亿个单元，晶体管在平面上密集集成，这使得不可能避免漏电流和干扰。由于 3D DRAM 中的晶体管由于可以在同一上放置更多单元，因此3D DRAM预计将增加单位芯片内的容量。3D DRAM的基本容量为100 GB，几乎是当前可用DRAM最大容量36 GB的三倍。有消息称，到2030年，全球3D DRAM市场可能会增长到1000亿美元，但由于市场仍处于起步阶段AI半导体市场的领导者该技术有望帮助三星审视全球AI半导体行业的王座，击败目前在AI芯片领域主导地位的SK海力士，他们在AI应用的HBM、DRAM全球市场中占有90%的份额”业内人士表示。尽管三星的竞争对手（包括SK海力士和美光科技公司）一直在研究该技术，但尚未公布任何3D DRAM的路线图。SK海力士在各个行业会议上介绍了其3D DRAM的概念。美光于2019年开始开发3D DRAM，拥有约30项该技术专利，是三大芯片制造商中最多的。十多年来，随着智能手机等配备DRAM的电子设备变得更小、功能更多，全球DRAM行业一直在开发具有更大数据处理能力的更小芯片。人工智能的快速发展需要快速大规模处理数据，这一趋势正在加剧。3DDRAM预计将满足此类芯片的需求，因为它比现有的DRAM更小，容量更大。短期内，新型半导体可能用于智能手机和笔记本电脑等小型信息技术设备，这些设备需要高性能 DRAM 来实现设备上的 AI 功能。汽车行业预计将长期使用 3D DRAM，因为电动汽车和自动驾驶汽车需要能够实时处理从道路收集的 DRAM 的大数据。三星正在开发主导3D DRAM领域的技术，以期到2027年至2028年将其关键尺寸缩小到8-9纳米(nm)。最新的DRAM预计为12 nm左右。该公司还积极扩大3D DRAM研发人员队伍它在其半导体研究中心针对该技术成立了下一代工艺开发团队。 ... PC版： 手机版：

三星放缓汽车半导体项目开发 未来将以人工智能芯片为战略核心

三星放缓汽车半导体项目开发 未来将以人工智能芯片为战略核心 据外媒报道，近期三星调整了半导体领域的开发计划，将以人工智能芯片为战略核心，同时放缓汽车半导体项目的开发速度，这将对三星未来的芯片战略产生重大影响。三星正在进行业务和组织结构调整，对开发中的下一代Exynos Auto系列车用处理器（代号KITT3）重新做评估。原有开发团队里的部分工程师已被重新分配到人工智能SoC团队，这是现阶段三星芯片开发的重点，集中了100到150名专业的芯片设计人员。三星在2018年推出了“Exynos Auto”品牌，开始进军高性能汽车半导体市场。去年三星推出了Exynos Auto V920芯片，这是其面向新型车载信息娱乐（IVI）系统推出的第三代汽车芯片，并与现代汽车展开合作，将芯片搭载到后者2025年的新车型里。除了各种车用芯片外，三星还针对汽车半导体市场推出了针对性的存储解决方案和半导体工艺。有三星内部人士透露，将重点转向人工智能芯片开发是明确的，但目前还没有确定组织结构调整的具体内容。 ... PC版： 手机版：

泄漏半导体核心技术给中国 三星前副总裁等7人被查

泄漏半导体核心技术给中国 三星前副总裁等7人被查 这名参与三星半导体业务的前高层已被指控在2018年至2019年期间，与6名同伙串通非法取得和利用三星半导体工厂的设计图和其他商业机密。他还被指控自2021年起将三星的半导体制造技术转移到中国成都的半导体工厂，例如涉及半导体生产的温度和压力的技术。

三星成立新半导体部门 旨在开发新一代人工智能芯片

三星成立新半导体部门 旨在开发新一代人工智能芯片 这是因为该公司在半导体采购方面无法吸引英伟达（NVIDIA）等公司的注意，但随着世界过渡到以 AGI 为主导的技术领域，这家韩国巨头似乎计划领先一步。人工通用智能（AGI）显然是继 GenAI 之后的下一个大事件，其目的显而易见，因为这项技术有望复制人类的能力，让生活变得更加轻松。鉴于这项技术的潜力，三星在美国成立了一个新部门，专门开发 AGI 半导体，该部门被命名为"AGI 计算实验室"。虽然该公司尚未透露我们有可能看到的芯片类型，但它们最终将与我们看到的英伟达公司的人工智能产品类似。不过，它们的计算能力将有助于 AGI 的发展。人工智能领域认为"跳入"AGI 是一个千载难逢的机会，因为除了三星之外，软银首席执行官孙正义（Masayoshi Son）也曾多次强调这一特定领域的重要性，而且他还雄心勃勃地投资高达 1000 亿美元，仅用于开发 AGI。三星可能会在其中发挥关键作用，它可能会吸取该公司在上一轮人工智能"牛市"中的经验，并对自己进行战略布局，以便在即将到来的人工智能热潮中获得最大收益。这些 AGI 芯片被广泛采用后，它们将为这一领域带来什么样的功能，我们将拭目以待。三星的提前加入意味着该公司已经为未来做好了准备，而且这次走在了别人的前面。 ... PC版： 手机版：

三星电子西安半导体生产线因疫调整

三星电子西安半导体生产线因疫调整 三星电子新闻中心29日发布称，受新冠疫情持续等影响，公司正在对西安半导体工厂生产线进行灵活调整。 西安市日前宣布实行全市封闭式管理以来，三星电子设在当地的工厂也随之进入紧急运营状态，此前一直在最大限度地利用可用人力确保生产线正常运转。 公司相关人士表示，职员上下班和物流等均受到了影响，为此不得不调整生产线，预计生产线需在解封后才能恢复正常。 根据 TrendForce 集邦咨询调查，三星（Samsung）在西安设有两座大型工厂，均用以制造 3D NAND 高层数产品，投片量占该公司 NAND Flash 产能达42.3%，占全球亦达15.3%。（，）

三星最新芯片路线图：工艺、封装和存储

三星最新芯片路线图：工艺、封装和存储 三星在此次活动中发布的重点是其 SF2Z 工艺节点的路线图。其中，“SF”代表三星代工厂，“2”代表 2nm 级，Z 代表背面供电。SF2Z 将是集成该代 Gate-All-Around 技术（三星称之为 MBCFET）的节点，然后是 BSPDN，以提高性能和能效。在本文，我们将会深入讨论一些细节，但这里的关键日期是 2027 年三星预计将在 SF2Z 时进行量产。这将是在该公司量产许多其他 SF2 级节点之后。SF1.4，也就是更早的节点，也将于 2027 年开始风险生产。三星代工厂：扩张鉴于《CHIPS法案》资金将流向三星，确定三星设施所在地至关重要。三星的大部分传统和前沿技术都位于韩国，分布在三个城市：器兴，6号线，65nm-350nm：传感器，电源IC器兴，S1 线，8nm：智能手机、数据中心、汽车华城，S3线，3nm-10nm平泽 S5 线 1 期 + 2 期平泽S5号线三期建设中三星在美国也有两个工厂：奥斯汀（德克萨斯州），S2 线，14nm-65nm：智能手机、数据中心、汽车泰勒（德克萨斯州），宣布新建 4 座晶圆厂，可容纳 10 座。将包括 SF2、SF4、FDSOI、封装三星目前的封装设施位于韩国，但同时也拥有全球 OSAT 合作伙伴的巨大影响力。泰勒的扩张计划将成为该公司在韩国境外进行的最大规模扩张，计划为任何美国企业提供现场全面运营，而无需借助亚洲。制造技术路线图与其他代工厂一样，三星依靠一系列主要的系列工艺节点，从中衍生出许多变体。在这种情况下，主节点是 SF4 和 SF2。SF4 系列：FinFET2021：SF4E（E = Early）2022 年：SF42023 年：SF4P（P = Performance, for Smartphone）2024 年：SF4X（X = Extreme, for HPC/AI）2025 年：SF4A、SF4U（Automotive, U = Ultr）三星的 SF4 仍然是 FinFET 节点，事实证明，在智能手机芯片组和大量想要尖端技术的 AI 初创公司中，它非常受欢迎。SF4P 主要针对智能手机领域，泄漏比 SF4 低，而 SF4X 则是大多数 AI 和 HPC 用户最终会选择的产品。对于任何在 2024/2025 年寻找中端 GPU 的人来说，如果它们采用三星制造，那么 SF4X 是您的最佳选择。由于汽车节点要求更高，三星通常会推出其技术的汽车专用版本，这就是 SF4A 的作用所在。SF4U，虽然被称为 Ultra，但旨在成为 SF4P 的更高价值版本，展示了针对智能手机芯片组制造商的更高端战略，这些制造商希望获得节点改进的好处，但同时又具有略微更大的余量和有效生产。SF2 系列：MCBFET (GAA)2022 年：SF3E2024 年：SF32025 年：SF22026 年：SF2P、SF2X2027 年：SF2A、SF2Z所以这可能会有点令人困惑。三星代工厂宣布，它是第一个使用 SF3E 节点生产 GAA 技术的公司恰当地命名为“early”。据我们所知，虽然自 2022 年以来已投入量产，但它纯粹是一个内部节点，旨在帮助开发该技术。英特尔直到 2025 年的 20A/18A 节点才会推出 GAA，而台积电也在考虑在类似的时间范围内推出 N2。这两家公司都希望迅速将其推向市场，而不是像三星那样提前发布公告。SF3 是第二代 GAA，已于 2024 年投入量产。这可能会有所回升，但第三代 SF2 将大力向客户推销。关注三星的用户可能会注意到，命名方案中从 SF3 到 SF2 的转变有点奇怪 - 这实际上意味着三星已将其 SF3P 及以后的系列更名为 SF2，可能更符合三星竞争对手使用的命名。争论的焦点一如既往地是竞争对齐，但真正的客户确实知道性能如何，无论节点名称如何。2026 年，我们将看到智能手机 (SF2P) 和 GAA 的 AI/HPC 变体 (SF2X) 的大规模生产，在这里，我们将非常密切地遵循 SF4 系列的战略。2027 年，我们将获得该汽车变体，但 SF2Z 将 BSPDN 带到了谈判桌上。从活动中的讨论来看，2027 年对于 SF2Z 来说是一个大规模生产日期，而不仅仅是风险生产的理想日期。这意味着 SF2Z 的风险生产将于 2026 年底或 2027 年初开始，首先在韩国，然后在适当的时候转移到美国。值得注意的是，三星预计 GAA 功率改进的节奏将比 FinFET 更快 - 幻灯片中的一张显示平面晶体管功率（14nm 之前）每年趋势为 0.8 倍，而在 FinFET 期间趋势为 0.85 倍/年。三星预计 GAA 将通过 GAA / MCBFET 将这些改进恢复到每年 0.8 倍。内存路线图三星热衷于强调其在内存生态系统中的地位主要是作为第一大供应商。该公司展示了其自 1992 年以来一直占据 DRAM 第一的位置，目前市场份额为 41%；自 2002 年以来一直占据 NAND 第一的位置，目前市场份额为 32%；自 2006 年以来一直占据 SSD 第一的位置，目前市场份额为 37%。三星将市场视为金字塔。Tier 1: SRAMTier 2: LLCTier 3: HBM3E / HBM4Tier 4: LPDDR6 / LPDDR5X-PIM / LPCAMMTier 5: CMM-D (C)Tier 6: PBSD / CXL-H (C)我发现这本身就很有趣，因为它展示了三星正在研究的一些即将推出的技术。我们知道内存标准会随着时间的推移而改进，例如从 HBM3 到 HBM4，或者从 LPDDR5 到 LPDDR6，但这里显示三星正在通过其 LPDDR5X 产品线实现内存处理。内存处理是三星多年来一直在谈论的事情，最初专注于 HBM 堆栈，并与 AMD Xilinx FPGA 或定制芯片配置合作使用。它即将出现在 LPDDR5X 的变体上，这一事实意义重大，特别是如果这意味着在中长期内节省电力对 AI 有好处的话。同样在第 4 层上的还有 LPCAMM。最后两个层都是关于内存和存储扩展的，尤其是即将推出的 CXL 标准。然而，大多数人关注的焦点是 HBM 方面。三星透露了一些数据和时间表：2022 年：8-Hi 堆栈 HBM3，速度达 900 GB/秒2024：12-Hi 堆栈 HBM3E，速度为 1178 GB/秒2026：16-Hi 堆栈 HBM4，速度为 2048 GB/秒2028年：HBM4E关于HBM4，三星还透露了很多信息。芯片密度：24 GB容量：48GB/cube数据宽度：2048 位（高于 1024 位）引脚速度：6 Gbps/引脚（低于 8 Gbps/引脚）堆叠高度：720 微米（无变化）键合：铜-铜混合键合（从以前的方法更新）基本芯片：包括缓冲器、从平面 FET 到 FinFET 的过渡三星将 HBM4 列为以 70% 的面积和一半的功率提供 200% 的速度。但这并不是故事的结束，因为三星希望定制 HBM 成为最高性能硬件的标准。这意味着包含逻辑和缓冲区的基本芯片将由客户根据其性能配置文件要求进行单独配置。这意味着相同的 HBM4 可以进行读取优化，或支持更多内存加密模式。与更前沿的基本芯片相结合，目标是提取性能并提高效率，这是 AI 人群的两个标志，它们将以无与伦比的方式使用 HBM4。封装至少从我过去的角度来看，三星一直没有大力推广的领域之一是封装业务。虽然其他代工厂都在推广 CoWoS 和 EMIB/Foveros，但即使没有营销名称来概括，也很难说出三星的封装能力是什么。尽管如此，三星确实参与了先进封装，既用于智能手机，也用于 AI 加速器。在智能手机领域，路线图如下所示，其中列出了各自的热阻比（thermal resistance ratios）：2016 年：I-POP、1x TR2018年：FOPLP，TR为0.85倍2023 年：FOWLOP，0.85 倍 TR2025 年：FOPKG-SIP，0.65 倍 TR在人工智能方面，三星制定了以下人工智能芯片的路线图。目前：2.5D interposer、6 个 HBM3、80 GB 容量、带宽为 3.35 TB/秒2024：2.5D interposer+、八个 HBM3E、192 GB 容量、带宽为 6.6 TB/秒2026 年：2.xD 采用 RDL+Si Bridges，8-12 HBM4，576 GB 容量，带宽为 30.7 TB/秒2027 年：2.xD+3D、逻辑/逻辑和逻辑/内存。16-24 HBM4E，带宽为 70.5 TB/秒最后一个没有列出容量，但我们谈论的是结合 2.5D 和 3D 功能 - 本质上是将多个 AI 加速器结合在一起。如果基础设计有一个计算芯片和四个 HBM3E 堆栈，这可以被视为类似于 Blackwell。但三星的想法类似于将两个 Blackwell 放在一起。当然没有提到这些 ASIC 的功耗！在 3D 集成方面，我们确实有一些关于三星何时会提供不同的底部芯片/顶部芯片支持的路线图。Bottom Die：2025 年推出 SF4X，2027 年推出 SF2PT... PC版： 手机版：