小米公司成功流片国内首款3纳米工艺手机系统级芯片。 ​​​

小米公司成功流片国内首款3纳米工艺手机系统级芯片。 ​​​ 流片(tape-out)是指通过一系列工艺步骤在流水线上制造芯片,是集成电路设计的最后环节,也就是送交制造。 流片即为"试生产",简单来说就是设计完电路以后,先生产几片几十片,供测试用。 如果测试通过,就照着这个样子开始大规模生产了。 频道:

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三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nm FinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划,三星接下来会大规模生产下一代Soc,这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500,Galaxy S25系列将会首发搭载,其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400,后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机,三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版: 手机版:

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MediaTek 采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片,预计 2024 年量产

MediaTek 采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片,预计 2024 年量产 MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片,预计将在明年量产。长期以来,MediaTek 与台积公司保持紧密且深度的战略合作关系,双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的独特优势,共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片,赋能全球终端设备。MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市,为新世代终端设备注入强大实力,引领用户体验迈向新篇章。 MediaTek Successfully Develops First Chip Using TSMC's 3nm Process, Set for Volume Production in 2024

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三星将于2025年在其2纳米工艺中引入背面电源技术 芯片面积最多减少19%

三星将于2025年在其2纳米工艺中引入背面电源技术 芯片面积最多减少19% 这将是三星和台积电之间的一场竞争,双方都希望推出各自 2nm 节点的最佳版本。对于三星来说,来自《朝鲜日报》的报道称,背面电源技术有望改变游戏规则,而且初步测试结果已经超出了该公司的目标。至于具体的测试,据说三星已将该技术应用于两个未命名的 ARM 内核,芯片面积分别减少了 10% 和 19%。随着芯片面积的缩小,三星可以有效地开始批量生产标榜更小表面积的 SoC 设计,不仅如此,先前进行的测试还有助于成功地大幅提高性能和能效水平。正如报告所言,BSPDN 是一种尚未商业化的新工艺,但报告并未提及这是否是由于成本限制,或者是否没有过多考虑探索这项技术。无论如何,顾名思义,背面电源是放置在芯片背面的电源线,它将电路和电源空间隔开。这有助于最大限度地提高效率,同时也为提高半导体性能提供了机会。目前,电源线被放置在晶圆的顶部,因为电路就是在那里绘制的,一开始这会为制造过程带来便利,然而,随着电路变得越来越精细,随着电路间隙的缩小,干扰就会出现,从而给设计和批量生产带来更多困难,三星和台积电均已开始探索 2 纳米等先进节点,将电路和电源线刻在一面变得越来越困难。据说三星已经从一家日本初创公司获得了首批 2 纳米芯片订单,但目前还不清楚这批芯片是否采用了 BSPDN 技术。台积电还没有尝试使用背面电源技术的消息,因此从纸面上看,三星在这方面具有优势,但这种方法的成功与否还需要时间来证明。 ... PC版: 手机版:

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苹果很可能已在设计基于台积电2纳米工艺的芯片

苹果很可能已在设计基于台积电2纳米工艺的芯片 幻灯片中未编辑的部分写道:"TS5nm、TS3nm,正在研究 TS2nm,"据信这些术语指的是苹果为过去、现在和未来的芯片选择的不同制造工艺。"3nm"和"2nm"等术语指的是台积电在芯片系列中使用的特定架构和设计规则。节点尺寸的缩小相当于晶体管尺寸的缩小,因此处理器上可以安装更多的晶体管,从而提高速度和功耗效率。有传言称,台积电已经开始研发更先进的 1.4 纳米芯片,预计最快将于 2027 年面世。据说苹果公司希望为台积电保留 1.4 纳米和 1 纳米技术的初始制造能力,作为对比,人类的一缕头发大约有 80000 到 100000 纳米宽。去年,苹果公司的 iPhone 和 Mac 采用了 3 纳米芯片,比之前的 5 纳米模式有所升级。改用 3 纳米技术后,iPhone 的 GPU 速度提高了 20%,CPU 速度提高了 10%,神经引擎速度提高了 2 倍,Mac 也有类似的改进。苹果公司被认为是首家将获得台积电未来 2 纳米工艺制造的芯片的公司,该工艺预计将于 2025 年下半年投产。2 纳米制造工艺也被简称为"N2",与采用该供应商 3 纳米技术制造的芯片相比,预计将在相同功耗下提高 10% 至 15% 的速度,或在相同速度下降低 25% 至 30% 的功耗。台积电正在建设两座新工厂,以满足 2 纳米芯片生产的需要,第三座工厂正在等待批准。这家台湾晶圆厂巨头正耗资数十亿美元进行改造,苹果公司也需要改变芯片设计以适应新技术。苹果是台积电的主要客户,通常也是最先获得台积电新芯片的客户。例如,苹果在 2023 年收购了台积电所有的 3 纳米芯片,用于 iPhone、iPad 和 Mac。 ... PC版: 手机版:

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华为专利披露三纳米级工艺技术规划

华为专利披露三纳米级工艺技术规划 今年早些时候, 当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化 (SAQP) 光刻方法专利时,大多数人都认为这两家公司正在使用其 5 纳米级制造工艺制造芯片。显然,这并不是他们计划的极限,因为华为现在也期待将四重图案化用于 3 纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司 (SiCarrier) 也获得了 SAQP 专利,这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP 指的是在硅片上反复雕刻线条,以提高晶体管的密度,降低功耗,从而提高性能。

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苹果下一代芯片技术将于下周开始试生产 据 ET News 报道,苹果芯片代工厂商台积电将于下周开始试产2纳米芯片,并计划明年将该技术应用于 Apple Silicon 芯片。试生产将在台积电位于台湾北部的宝山工厂进行。为2纳米芯片生产而设计的设备今年第二季度被运往该工厂。苹果预计将在2025年将其定制芯片转移到2纳米制造工艺。iPhone 15 Pro 搭载 A17 Pro芯片,采用台积电3纳米工艺制造。转向2纳米制程将带来进一步的改进,预计性能将比3纳米工艺提高10%到15%,功耗降低30%。台积电计划明年开始大规模生产2纳米芯片,该公司一直在加快这一进程,以确保量产前的良品率。2纳米芯片可能首先出现在明年 iPhone 17 系列中。

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