减产效应、记忆体价格逾2年来首扬 DRAM涨11%

减产效应、记忆体价格逾2年来首扬 DRAM涨11% 因记忆体厂商减产、库存过剩情况缓解，推升记忆体价格逾2年来首见上涨、其中11月份DRAM价格扬升11%。 NOR Flash 掀记忆体新涨价潮 NAND Flash、DRAM报价陆续止跌回升之后，NOR Flash 受惠于库存回补，尤其每台AI终端装置搭载的NOR Flash容量以数倍爆发性增长，引领NOR Flash接棒启动新一波记忆体涨价潮，预计下月起先涨5%，明年第2季再涨10%，华邦、旺宏等台厂受惠大。

ℹ美光称 GDDR7 显示记忆体将带来巨大游戏效能提升，高达 30%#

ℹ美光称 GDDR7 显示记忆体将带来巨大游戏效能提升，高达 30%# NVIDIA 下一代 GeForce RTX 50 系列的显示卡，预计会搭载全新 GDDR7 显示记忆体，对于游戏玩家来说一定会好奇，效能...

TrendForce：到 2024 年底 DRAM 等记忆体涨幅可能高达约 60%

TrendForce：到 2024 年底 DRAM 等记忆体涨幅可能高达约 60% 这位分析师表示，在价格逐季上涨的复合效应下，意味著 DRAM 的平均成本可能比 2024 年初高出 36% 至 63%。 就 NAND flash 元件而言，其成本可能比年初高出 31% 至 57%。

导入CDNA3架构、192GB记忆体，AMD新资料中心GPU来了

导入CDNA3架构、192GB记忆体，AMD新资料中心GPU来了 相较于上一代产品MI250X，MI300X的运算单元数量增加幅度逼近40％（304个对上220个），记忆体容量达到1.5倍（192 GB HBM3对上128 GB HBM2e），记忆体最大频宽为1.7倍（5.3 TB/s对上3.2 TB/s）；在资料型别上，MI300X可支援FP8与稀疏（sparsity）等数学计算，种种新增与强化特色，皆为了支撑AI与高效能运算类型的工作负载而来。 生成式 AI 就绪 英特尔发布第五代至强可扩展处理器 第五代英特尔 ® 至强 ® 可扩展处理器的核心数量增加至 64 个，配备了高达 320MB 的 L3 缓存和 128MB 的 L2 缓存。不论单核性能还是核心数量，它相比以往的至强都有了明显提升。在最终性能指标上，与上代产品相比，在相同功耗下平均性能提升 21%, 内存带宽提升高达 16%, 三级缓存容量提升到了原来的近 3 倍。；更为重要的是，第五代至强 ® 可扩展处理器的每个内核均具备 AI 加速功能，完全有能力处理要求严苛的 AI 工作负载。与上代相比，其训练性能提升多达 29%, 推理能力提升高达 42%。