减产效应、记忆体价格逾2年来首扬 DRAM涨11%

减产效应、记忆体价格逾2年来首扬 DRAM涨11% 因记忆体厂商减产、库存过剩情况缓解，推升记忆体价格逾2年来首见上涨、其中11月份DRAM价格扬升11%。 NOR Flash 掀记忆体新涨价潮 NAND Flash、DRAM报价陆续止跌回升之后，NOR Flash 受惠于库存回补，尤其每台AI终端装置搭载的NOR Flash容量以数倍爆发性增长，引领NOR Flash接棒启动新一波记忆体涨价潮，预计下月起先涨5%，明年第2季再涨10%，华邦、旺宏等台厂受惠大。

DRAM合约价季涨幅扩大到13~18％

DRAM合约价季涨幅扩大到13~18％ 研调机构集邦科技（TrendForce）最新研究显示，第4季行动（Mobile）DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%；NAND Flash方面，eMMC、UFS第4季合约价涨幅约10~15%；明年第1季预估整体记忆体的涨势将延续。Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为此次的领涨项目。

记忆体回暖 Q4合约价看涨

记忆体回暖 Q4合约价看涨 三星、SK海力士及美光三大原厂扩大减产，NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象，其中，NAND Flash回温速度优于预期，第四季价差持续收敛，预估本季产品平均单价涨幅为5～10％，有机会出现货价与合约价黄金交叉。 就DRAM来看，DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨，第四季合约价也看涨，三星已由第一季的减产20％，第三季减产25％，到近期宣布第四季将减产拉高至30％，策略明显奏效。

威刚斥资47亿元购总部启用 董座陈立白：记忆体产业明年将好一整年

威刚斥资47亿元购总部启用 董座陈立白：记忆体产业明年将好一整年 展望产业市况，陈立白认为，第4季DRAM与NAND Flash记忆体合约价和现货价都已明确上扬，产业正向趋势可望延续至明年一整年，不仅看好明年记忆体本业将迈入久违的供不应求好光景，非记忆体领域的新事业群包括电动三轮车与电动车马达、电竞、工控等明年出货量也都可望逐季放大。预计明年营运绩效将可缴出比今年更亮眼的成绩单。

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求 TrendForce 的最新报告预测，今年第三季度 DRAM 产品的价格将略有上涨。该公司预计，内存芯片的成本将同比波动 5%至 13%，其中"传统"DRAM 内存将上涨 5%至 10%，所有 DRAM 产品（包括 HBM 芯片）将上涨 8%至 13%。价格上涨的主要原因是普通服务器内存芯片需求的恢复，以及主要 DRAM 供应商 HBM（高带宽内存）产品生产份额的增加。尽管不同类型的内存产品会有不同的表现，但由于制造商热衷于提价，第三季度 DRAM 的平均销售价格正在上涨。TrendForce 指出，PC DRAM 芯片将继续保持涨价趋势，涨价幅度在 3% 至 8% 之间，因为"通用服务器"现在需求旺盛，内存供应商更加专注于制造 HBM 芯片。与服务器 DRAM 购买者相比，个人电脑客户可以预期的价格上涨幅度较小，因为个人电脑消费产品的库存较高，而且客户需求没有显著增长。服务器 DRAM 产品的价格预计将上涨 8% 至 13%。TrendForce 表示，仓库里堆满了 DDR4 芯片，这意味着第三季度的"采购势头"将主要集中在 DDR5 上。移动 DRAM 价格将上涨 3%至 8%，因为库存水平仍然很高，而制造商正试图通过影响明年的供需平衡来提高利润率。TrendForce 预测，VRAM 的价格也将上涨 3%至 8%，因为此类内存产品的总体需求仍然"相对平稳"。买家采取的"持续备货策略"将使成本下降，而制造商预计将在即将到来的游戏 GPU 更新周期中更多地采用新的GDDR7 内存芯片。TrendForce 表示，GDDR7 的生产成本比 GDDR6 高出 20% 至 30%，尽管采取了库存策略，但新一代 GeForce RTX 50 GPU 的 GDDR7 出货量增加可能会推高 ASP 水平。最后，DDR3 和 DDR4 等老式内存产品的价格将上涨 3% 至 8%。台湾制造商正在将其产能转换为 HBM，而三大内存芯片供应商显然有意尽可能提高价格。 ... PC版： 手机版：