ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

ASML和IMEC联合光刻实验室启用 最早2025年大量生产High NA EUV

ASML和IMEC联合光刻实验室启用 最早2025年大量生产High NA EUV 实验室内的核心设备为一台原型高数值孔径EUV扫描仪（TWINSCAN EXE：5000），以及与之配套的处理和计量工具，这些工具将共同助力未来芯片制造的突破。此次联合实验室的开放，被视为High-NA EUV技术大批量生产准备过程中的重要里程碑。业界预计，随着该技术的不断成熟和普及，将在2025-2026年期间迎来大规模的量产应用。值得一提的是，阿斯麦此前已公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机。这款光刻机体积庞大，相当于一台双层巴士，重量更是高达150吨。由于其庞大的体型和复杂的组装过程，该设备需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输，显示了其在制造和运输过程中的非凡挑战。尽管High NA EUV光刻机的制造成本高昂，据透露其售价高达3.5亿欧元（约合人民币27亿元），但其在半导体制造领域的价值无可估量。它将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。 ... PC版： 手机版：

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺 该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00。它们将从2nm以下工艺起步，Intel首发就是14A 1.4nm，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前后推出，对应产品命名为HXE系列。ASML预计，Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm甚至更先进工艺的量产，但目前还不能完全肯定。值得一提的是，单个硅原子的直径约为0.1nm，但是上边提到的这些工艺节点，并不是真实的晶体管物理尺寸，只是一种等效说法，基于性能、能效一定比例的提升。比如说0.2nm工艺，实际的晶体管金属间距大约为16-12nm，之后将继续缩减到14-10nm。另外，Low/High/Hyper三种光刻机会共同使用单一的EUV平台，大量的模块都会彼此通用，从而大大降低研发、制造、部署成本。High NA光刻机的单台价格已经高达约3.5亿欧元，Hyper NA光刻机必然继续大幅涨价，而且越发逼近物理极限，所以无论技术还是成本角度，Hyper NA之后该怎么走，谁的心里都没数。微电子研究中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就悲观地表示：“无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻，现有的光刻技术必然终结。” ... PC版： 手机版：

芯片设备制造商阿斯麦（ASML）2月10日向媒体展示新一代极紫外光刻机（EUV），型号为：TWINSCAN EXE:5000。这

芯片设备制造商阿斯麦（ASML）2月10日向媒体展示新一代极紫外光刻机（EUV），型号为：TWINSCAN EXE:5000。这台光刻机大小约一辆双层巴士，重量约两架空客A320飞机、价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）。该设备对ASML在1250亿美元的EUV市场保持领导地位至关重要。 ASML预计今年能出货“数台”High NA EUV。 英特尔已下了订单，第一台设备已于去年12月送达该公司俄勒冈工厂，这台EUV可以制造8nm线宽电路，比前一代小1.7倍，从而实现晶体管密度提高至2.9倍。电路越细，芯片上的晶体管就越多，处理速度和表现就越佳。 ASML高管表示，该设备对人工智能（AI）发展至关重要。 ASML发言人莫尔斯（Monique Mols）2月10日在媒体参观该公司总部时说，安装这套重达15万公斤的系统，要用到250个货箱、250名工程师，且需耗时6个月 标签: #ASML #EUV #光刻机 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜 然而，ASML 对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径 EUV 光刻机，用于其即将推出的 14A 制程节点。正如 ASML 在提交给美国证券交易委员会的文件（第 13 页）中提到的，英特尔在 2024 年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台 TWINSCAN EXE:5200 系统。台积电和三星也已经确认有意采用 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机。