ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机 2月10日，ASML 在荷兰总部向媒体展示新一代 High NA EUV 光刻机 Twinscan EXE:5000。 这台光刻机尺寸等同于一台双层巴士；重达150吨，相当于两架空客A320客机；价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）；全套系统需要250个货箱装运，需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成，不仅价格高昂也相当耗时。 Twinscan EXE:5000 可以制造8nm线宽电路，从而实现晶体管密度比前一代提高至2.9倍。

价值27亿元的ASML高数值孔径EUV光刻机组装画面公开

价值27亿元的ASML高数值孔径EUV光刻机组装画面公开 ASML预计今年能出货“数台”High NA EUV。 英特尔已下了订单，第一台设备已于去年12月送达该公司俄勒冈工厂，这台EUV可以制造8nm线宽电路，比前一代小1.7倍，从而实现晶体管密度提高至2.9倍。电路越细，芯片上的晶体管就越多，处理速度和表现就越佳。 ASML高管表示，该设备对人工智能（AI）发展至关重要。ASML CEO Peter Wennink上月受访时表示，AI需要“大量计算能力和数据储存。 如果没有ASML，没有ASML的技术，将无法实现。 这会是我们业务的一大驱动力。”ASML发言人莫尔斯（Monique Mols）2月10日在媒体参观该公司总部时说，安装这套重达15万公斤的系统，要用到250个货箱、250名工程师，且需耗时6个月。ASML从2018年开始销售的所谓low-NA（低数值孔径）光刻机设备NXE系列，标价是1.7亿欧元（约合13.16亿元人民币）。 ... PC版： 手机版：

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺 该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00。它们将从2nm以下工艺起步，Intel首发就是14A 1.4nm，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前后推出，对应产品命名为HXE系列。ASML预计，Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm甚至更先进工艺的量产，但目前还不能完全肯定。值得一提的是，单个硅原子的直径约为0.1nm，但是上边提到的这些工艺节点，并不是真实的晶体管物理尺寸，只是一种等效说法，基于性能、能效一定比例的提升。比如说0.2nm工艺，实际的晶体管金属间距大约为16-12nm，之后将继续缩减到14-10nm。另外，Low/High/Hyper三种光刻机会共同使用单一的EUV平台，大量的模块都会彼此通用，从而大大降低研发、制造、部署成本。High NA光刻机的单台价格已经高达约3.5亿欧元，Hyper NA光刻机必然继续大幅涨价，而且越发逼近物理极限，所以无论技术还是成本角度，Hyper NA之后该怎么走，谁的心里都没数。微电子研究中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就悲观地表示：“无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻，现有的光刻技术必然终结。” ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误”

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误” 在与记者的交流中，英特尔光刻主管马克·菲利普斯（Mark Phillips）表达了对其决策的坚定信心：“我们在决定购买这些设备时就已经认可了它们的价格。如果我们不认为这些设备物有所值，我们根本不会采购。”阿斯麦是欧洲最大的科技公司，在光刻机市场占据主导地位。光刻机是一种利用光束帮助制造芯片电路的设备。光刻技术是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技术之一，它决定了芯片上晶体管的最小宽度晶体管宽度越小，芯片的处理速度通常越快，能效也越高。新一代高数值孔径（High NA）光刻工具预计能大幅减小晶体管的宽度，达到原来的三分之一。然而，芯片制造商必须在这种显著的成本提升和技术优势之间进行权衡，并考虑现有技术的可靠性是否已足够满足需求。英特尔的错误英特尔决心率先采用高数值孔径极紫外光刻机并非偶然。英特尔虽曾参与开发极紫外光刻技术，但在开始使用阿斯麦首款极紫外光刻机上却晚于其竞争对手台积电。英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格（Pat Gelsinger）承认，这是一个严重的失误。与此同时，英特尔专注于所谓的“多重曝光”技术的开发，其本质是使用分辨率较低的光刻机对晶圆进行多次光刻，以达到与高端机器相同的效果。菲利普斯表示：“那就是我们开始遇到麻烦的时候。”尽管传统的DUV光刻机成本较低，但复杂的“多重曝光”操作耗时且降低了芯片的良品率，这减缓了英特尔的业务发展。英特尔目前已经在制造最关键的芯片部件时使用了第一代极紫外光刻机，菲利普斯预计，转用高数值孔径极紫外光刻机将会更加顺利。他说：“现在我们已经有了期待已久的新一代极紫外光刻机，我们不想再犯过去的错误。”菲利普斯还表示，位于俄勒冈州希尔斯伯勒园区的这台新机器预计将在今年晚些时候全面投入使用。英特尔计划在2025年使用这台巨大的机器开发14A代芯片，并预计在2026年开始初步生产，到2027年实现全面商业化生产。阿斯麦在本周公布的最新财报中表示，已开始向一位客户发运第二套高数值孔径极紫外光刻机。这位客户可能是台积电或三星。由于这些大型设备的运输和安装可能需要长达六个月的时间，因此英特尔此举已经占据了先机。（辰辰） ... PC版： 手机版：