铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠 在3D NAND闪存技术的竞赛中，铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心，其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片，并计划引入新型铁电材料来实现这一目标，但铠侠却更早地设定了具体的实现时间表。去年，铠侠推出了BiCS8 3D NAND闪存，其层数高达218层，采用1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）技术，并通过创新的横向收缩技术，成功将位密度提高了50%以上。若要实现2027年1000层堆叠的宏伟目标，铠侠可能会进一步探索五层单元（PLC）技术的应用。值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数，更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。 ... PC版： 手机版：

铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

与铠侠合并未果，西部数据宣布将分拆为闪存和硬盘两家公司

与铠侠合并未果，西部数据宣布将分拆为闪存和硬盘两家公司 美国半导体巨头西部数据 30 日宣布，将把该公司分拆为两家公司，分别开展闪存业务和硬盘驱动器（HDD）业务。西数此前力争与存储器业务上的合作伙伴铠侠实现经营合并，但首席执行官格克勒暗示磋商已经终止。 铠侠（原东芝存储）与西部数据自 2021 年以来就一直在进行合并谈判，而这一合并案遭到了 SK 海力士的反对，因此在 10 月 26 日中止合并谈判。 硬盘驱动器业务将维持“西部数据”的公司名并剥离出存储器业务，拆分后的两家公司将作为独立的上市公司。目标是在 2024 年下半年完成分拆。 、

西部数据的闪存业务和日本铠侠寻求在 8 月份之前达成合并协议

西部数据的闪存业务和日本铠侠寻求在 8 月份之前达成合并协议 据知情人士透露，西部数据公司和铠侠控股公司经过几个月的谈判，计划在 8 月份之前达成合并协议。 知情人士表示，这笔交易将作为西部数据闪存业务的免税分拆，该业务将与铠侠合并。由于细节未公开，该人士要求匿名。知情人士称，西部数据股东将拥有合并后实体略高于 50% 的股份。 知情人士补充说，该公司将由铠侠高管负责日常运营，西部数据高管也参与其中。他们表示，融资已经到位。两家芯片制造商都将拥有董事会代表，合并后的公司将注册在日本。他们表示，合并后的实体最初将在纳斯达克上市，但最终将在东京上市。他们表示，支持凯侠的贝恩资本将获得特别股息。 最终协议尚未达成，时间可能会改变，或者谈判仍可能在没有达成协议的情况下结束。

消息称铠侠将重新审视减产策略，本月内 NAND 闪存稼动率回升至 90% 以重振业绩

消息称铠侠将重新审视减产策略，本月内 NAND 闪存稼动率回升至 90% 以重振业绩 不过 NAND 闪存业者并非都持与铠侠相同的观点：参考几天前的报道，三星电子在 NAND 上仍维持减产 50% 不变，SK 海力士减产幅度也大致相当。