铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存 至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。 ... PC版： 手机版：

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠 在3D NAND闪存技术的竞赛中，铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心，其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片，并计划引入新型铁电材料来实现这一目标，但铠侠却更早地设定了具体的实现时间表。去年，铠侠推出了BiCS8 3D NAND闪存，其层数高达218层，采用1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）技术，并通过创新的横向收缩技术，成功将位密度提高了50%以上。若要实现2027年1000层堆叠的宏伟目标，铠侠可能会进一步探索五层单元（PLC）技术的应用。值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数，更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。 ... PC版： 手机版：

消息称铠侠将重新审视减产策略，本月内 NAND 闪存稼动率回升至 90% 以重振业绩

消息称铠侠将重新审视减产策略，本月内 NAND 闪存稼动率回升至 90% 以重振业绩 不过 NAND 闪存业者并非都持与铠侠相同的观点：参考几天前的报道，三星电子在 NAND 上仍维持减产 50% 不变，SK 海力士减产幅度也大致相当。

铠侠产能满载 传 7 月量产最先进 NAND Flash 产品

铠侠产能满载 传 7 月量产最先进 NAND Flash 产品 铠侠产线稼动率据悉已在 6 月回升至 100% 水准、且将在 7 月内量产最先进存储芯片 (NAND Flash) 产品，借此开拓因生成式 AI 普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的 NAND Flash 产品堆叠 218 层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力缩减约 30%。 (MoneyDJ)

西部数据与铠侠终止内存业务合并谈判

西部数据与铠侠终止内存业务合并谈判 据悉，西部数据的半导体存储器业务和日本公司铠侠（Kioxia Holdings）的谈判已经终止。 西部数据周四已通知铠侠将退出谈判，此前该合并未能获得铠侠的间接股东SK海力士的批准，也未能与铠侠最大的股东贝恩资本就合并条件达成一致。 两家公司原希望在10月底之前达成协议。西部数据股价一度下跌9.5%。