铠侠产能满载 传 7 月量产最先进 NAND Flash 产品

铠侠产能满载 传 7 月量产最先进 NAND Flash 产品 铠侠产线稼动率据悉已在 6 月回升至 100% 水准、且将在 7 月内量产最先进存储芯片 (NAND Flash) 产品，借此开拓因生成式 AI 普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的 NAND Flash 产品堆叠 218 层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力缩减约 30%。 (MoneyDJ)

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠 在3D NAND闪存技术的竞赛中，铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心，其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片，并计划引入新型铁电材料来实现这一目标，但铠侠却更早地设定了具体的实现时间表。去年，铠侠推出了BiCS8 3D NAND闪存，其层数高达218层，采用1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）技术，并通过创新的横向收缩技术，成功将位密度提高了50%以上。若要实现2027年1000层堆叠的宏伟目标，铠侠可能会进一步探索五层单元（PLC）技术的应用。值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数，更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。 ... PC版： 手机版：

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存

SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存 韩国半导体巨头SK海力士11月21日发布消息称，已开始量产用于存储数据的 NAND 闪存的321层产品。预计将用于面向人工智能的数据中心和“边缘AI”等领域。自2025年上半年开始交货。此前最尖端的 NAND 闪存为238层。与238层相比，321层的数据传输速度提高了12%，读取数据时的电力效率也提高10%以上。单位芯片面积的数据容量也增加59%。NAND 闪存被用于智能手机和数据中心。SK使用了4D技术，集成度比属于业界标准的3D (3维) 更高，实现了321层。SK表示：“没有发现其他公司超过300层的产品”。 日经新闻-电报频道- #娟姐新闻:@juanjienews

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存 至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。 ... PC版： 手机版：

PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究

PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究 铠侠最近披露表示，PLC (penta level cell) 之后，还有存储 6 电位的 HLC (hexa level cell) 和存储 8 电位的 OLC (octa level cell)。 目前，铠侠已经在 -196°C 的液氮环境中，实现了 HLC 闪存 1000 次 P/E。预计量产后，恐怕会降到 100 次 P/E。 当然，大家不用太担忧，因为 HLC 时代，存储容量将非常夸张，堆叠层数也会在 600 ~ 1000 次甚至更多，这意味要写满一次 SSD，需要的时间并不会比现在的 TLC、QLC 明显差很多。 （论日本的科技树）