三星电子计划加强芯片代工业务 挑战台积电

三星电子计划加强芯片代工业务 挑战台积电 三星电子正在提高芯片代工产能并引进更先进的制程技术，希望从市场领导者台积电手中抢夺更多订单。 三星电子表示，将不晚于2025年推出2纳米手机部件制程。三星6月27日在加州圣何塞表示，还将大幅提高韩国平泽和美国德州Taylor工厂的产量，以扩大芯片代工业务规模。 这家全球最大的存储芯片生产商正在追赶台积电，同时抵御来自英特尔的挑战，后者也在进入芯片代工市场。虽然芯片业总体上仍然受制于手机和个人电脑零部件需求低迷，但人工智能热潮提振了高端处理器的需求。 三星分享了关于2纳米制程技术的细节，与目前最先进的3纳米技术比较，2纳米制程将提高性能12%并节能25%。 与其他芯片制造商一样，三星也希望分散其制造业务的地理布局。该公司大约20年前就在德州奥斯汀运营一家工厂，预计在Taylor的新工厂今年建成，目标2024年下半年投产。 标签: #三星 #台积电 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @Godlynewsbot

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片 英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”