铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。