锁死半导体发展的，也许不是光刻机而是电费

中国光刻机“”弯道超车”

中国光刻机“”弯道超车” 真正的SSMB-EUV光源方案加速器周长100~150米，输出EUV功率>1KW 美国的极限制裁极大的加速了中国EUV光刻机的研发速度。中国目前采取的是一种全新的“技术路线方案” 目前中国有三条光刻机研发路线。 1.国外正统路线，也就是ASML的EUV光刻机路线。HW+上海光机所+宇量升，国家队，走500W LPP光源+复杂镜头组的技术路线。现在进度最快，技术复杂度相对最高，特别是超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器技术难度非常高。进度保密 2.改进型路线。广东智能机器研究院(广智院)+华中科技大，他们在尝试一种采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。如果他们那个400路光纤激光器能够成功，将是使用二氧化碳激光器的LPP光源功率的数倍。何时成功还是未知。 3.颠覆式全新路线。清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源，直接把光刻机光源变成基础设施同步辐射光源。直接把光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。比如：深圳产业光源系统规划了EUV光刻线站和EUV检测线站等合计四条光束线，六个实验站。第三条。颠覆性技术路线如果全面成功，可以秒杀上面两条路线。光源外置、极大简化的光路直接把EUV光刻机变成体积大，但是成本相对较低的批量产品。且更匹配中国极高的基础设施建设能力！！！

DUV光刻机和EUV光刻机的主要区别是激光光源。DUV光源波长为193纳米，分辨率差，而EUV光源波长为13.5纳米。圣地亚哥C

DUV光刻机和EUV光刻机的主要区别是激光光源。DUV光源波长为193纳米，分辨率差，而EUV光源波长为13.5纳米。圣地亚哥Cymer公司（在4SRanch边上）是生产EUV光源的唯一厂家，于2013年被阿斯麦用37亿美元收购成为其子公司。为EUV光刻机供货的500个厂商分属24个国家，都被拜登拉进去共同打压中国芯片产业。中国官媒声称美国越制裁越促进中国发展，有当年慈禧太后向所有列强宣战的勇气，

消息称三星将投资 10 万亿韩元用于半导体设备，大量采购 ASML EUV 光刻机

消息称三星将投资 10 万亿韩元用于半导体设备，大量采购 ASML EUV 光刻机此前，三星电子宣布计划到 2025 年拥有 100 台 EUV 光刻机。市场估计三星目前的 EUV 机群约为 40 台。如果这 50 台设备的能够顺利交付，那么三星到 2028 年将能够拥有约 100 台设备。

荷兰政府已经对华禁售该国最先进的半导体设备极深紫外光刻机。但美国鼓励荷兰同样限制深紫外线光刻机这一稍欠先进的系统。

荷兰政府已经对华禁售该国最先进的半导体设备极深紫外光刻机。但美国鼓励荷兰同样限制深紫外线光刻机这一稍欠先进的系统。两国政府面临的问题还包括他们是否像美国那样，拥有颁布限制措施的法律权威，以及关于限制哪些技术的广泛专业讨论。

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清：这是北京高能同步辐射光源