紧追 SK 海力士，三星 电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存

NAND闪存进入200层以上竞争 三星西安工厂或成定价关键 - Samsung 三星 -

三星 宣布量产第8代 236 层V-NAND闪存，传输速率达2400MTps

三星 韩国一工厂失火，三星半导体回应与半导体业务无关三星又闻火情......但真正可能冲击供应链的“大火”已经烧了许久

韩国，三星半导体员工餐

类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层 - IT之家