SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓

SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓 华尔街见闻从供应链独家获悉，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品，均有15%-20%的提价。供应链人士告诉华尔街见闻，“海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。”

高通公司可能为其即将推出的骁龙 8 Gen 4提供LPDDR6内存支持

高通公司可能为其即将推出的骁龙 8 Gen 4提供LPDDR6内存支持 LPDDR5 RAM 芯片的图像对更快、更高效内存的需求很快就会在智能手机和芯片组制造商中普及开来，使他们能够运行大量的设备上人工智能模型。早前的一份报告估计，未来的手机至少需要 20GB 内存才能运行这些模型，而 LPDDR6 可能会提供更高的带宽，从而不会造成性能瓶颈。在这方面，Ajnews 报道称，高通公司的目标是超越苹果等竞争对手，因为其骁龙 8 Gen 4 可能会支持 LPDDR6。就像联发科Dimensity 9300一样，骁龙8 Gen 3已经通过了LPDDR5T的验证，早在去年 11 月，SK hynix 就宣布将为采用 Dimensity 9300 的智能手机出货首批 LPDDR5T 内存芯片。据传，vivo X100 Pro 将采用这一尖端技术，但在其规格页面上，它仍被列为采用较旧的 LPDDR5X 内存。而骁龙 8 Gen 4 有可能再进一步，获得对 LPDDR6 的支持，但这将由高通公司的合作伙伴最终决定。至于苹果，众所周知，这家科技巨头采用最新标准的时间通常比竞争对手晚得多，因此，A18 Pro 不支持 LPDDR6 内存也就不足为奇了。虽然这可能意味着 iPhone 16 Pro 和 iPhone 16 Pro Max 可能无法更高效地运行设备上的大型语言模型（LLM），但据说苹果正在探索将LLM 存储在 NAND 闪存上，这意味着理论上 RAM 容量有限的设备可以支持设备上的人工智能。LPDDR6 的最大带宽尚未定稿，LPDDR5T 的最大运行速度为 9.6Gbps。 ... PC版： 手机版：

晶片出现在华为手机 SK海力士：已展开调查

晶片出现在华为手机 SK海力士：已展开调查 针对中国通讯巨头华为最新旗舰手机使用了韩国半导体厂商SK海力士的晶片，SK海力士澄清，目前公司已没有与华为进行业务往来，并表示已对此展开调查。 彭博社委讬TechInsights对华为最新旗舰手机Mate 60 Pro拆解的调查显示，该手机的组件使用了SK海力士的LPDDR5记忆体和NAND闪存晶片，其中绝大多数组件是在中国制造，而SK海力士是华为唯一的国际供应商。 对此，SK海力士星期四（9月7日）在给彭博社的一份声明中说，“自美国对华为实施限制以来，该公司已不再与华为有业务往来。针对这个问题，我们已开始调查以了解更多细节。SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。” 报道称，SK海力士绝大部分半导体都是在中国的工厂制造，因此一种可能性是，在美国2020年对华为实施全面贸易限制前，华为就已存储了部分零部件库存。

供应链消息称 SK 海力士内存产品提价约 15%-25%，下半年涨幅将趋缓

供应链消息称 SK 海力士内存产品提价约 15%-25%，下半年涨幅将趋缓 据“华尔街见闻”今日引述供应链消息，SK 海力士 LPDDR5 / LPDDR4 / NAND / DDR5 等 DRAM 产品，据称均有 15%-20% 的提价。 供应链人士表示，海力士 DRAM 产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约 60%-100% 不等，下半年涨幅将趋缓。

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线 首先，SK 海力士将是继三星之后第二家展示 GDDR7 存储器芯片的公司。SK Hynix 芯片的速度为 35.4 Gbps，低于三星展示的 37 Gbps，但密度同样为 16 Gbit。这种密度允许在 256 位内存总线上部署 16 GB 视频内存。并不是所有的下一代 GPU 都能达到 37 Gbps 的最高速度，有些可能会以更低的显存速度运行，SK 海力士的产品线中也有合适的选择。与三星一样，SK Hynix 也采用了 PAM3 I/O 信号和专有的低功耗架构（不过该公司没有详细说明是否与三星芯片的四种低速时钟状态类似）。GDDR7 势必会在下一代游戏和专业视觉领域的显卡中占据主导地位；然而，人工智能 HPC 处理器市场仍将主要依靠 HBM3E。SK Hynix 在这方面进行了创新，并将展示全新的 16 层 48 GB（384 Gbit）HBM3E 堆栈设计，单个堆栈的速度可达 1280 GB/s。拥有四个这样堆栈的处理器将拥有 192 GB 内存，带宽为 5.12 TB/s。该堆栈采用了全功耗 TSV（硅通孔）设计和 6 相 RDQS（读取数据队列选通）方案，以优化 TSV 面积。最后，SK Hynix 还将在会上首次演示其面向智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑的 LPDDR5T（LPDDR5 Turbo）内存标准。由于采用了专有的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，该芯片可实现每引脚 10.5 Gb/s 的数据传输速率和 1.05 V 的 DRAM 电压。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。