供应链消息称 SK 海力士内存产品提价约 15%-25%，下半年涨幅将趋缓

供应链消息称 SK 海力士内存产品提价约 15%-25%，下半年涨幅将趋缓 据“华尔街见闻”今日引述供应链消息，SK 海力士 LPDDR5 / LPDDR4 / NAND / DDR5 等 DRAM 产品，据称均有 15%-20% 的提价。 供应链人士表示，海力士 DRAM 产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约 60%-100% 不等，下半年涨幅将趋缓。

SK 海力士全球最快 LPDDR5T，已和高通最新骁龙 8 Gen 3 完成验证

SK 海力士全球最快 LPDDR5T，已和高通最新骁龙 8 Gen 3 完成验证 SK 海力士 表示，已获得 LPDDR5T 与高通最新 Snapdragon 8 Gen 3 行动平台相容的验证，这是业界首例由美国公司验证的产品。LPDDR5T 为 SK 海力士 新开发版本，是第 8 代 LPDDR6 之前的升级产品。 自今年 1 月开发出 LPDDR5T DRAM 后，SK 海力士与高通进行相容性的验证合作，这个过程完成意味著将与 Snapdragon 8 Gen 3 相容。 随著高通及其他主要行动 AP（应用处理器）供应商的验证过程顺利完成，SK 海力士预计 LPDDR5T 应用范围将迅速扩大。此外，SK 海力士还计划提供一款 16GB 容量产品，由多个单个 LPDDR5T 晶片组成，其数据处理速度为每秒 77GB，相当于一秒内处理达 15 部全高清电影。

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告 SK海力士解释道：“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加，公司业绩在第一季度低点过后持续改善，特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好，与上季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。” 顺应这一趋势，SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBM TSV技术的投资。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。