HBM需求暴增 占据90%市场份额的SK海力士市值突破千亿美元

HBM需求暴增 占据90%市场份额的SK海力士市值突破千亿美元 尽管其竞争对手三星电子的市值仍超过3600亿美元，但它在为人工智能开发存储芯片方面落后于SK海力士。三星股价在过去一年上涨了31%。             ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

三星、SK 海力士、美光 被指合谋垄断 DRAM 市场，美法院驳回集体诉讼

三星、SK 海力士、美光 被指合谋垄断 DRAM 市场，美法院驳回集体诉讼 美国第九巡回上诉法院日前驳回了律所 Hagens Berman 发起的集体诉讼，该所诉称三星电子、SK 海力士、美光等 DRAM 头部企业在 2016-2018 年期间合谋抬高市场价格，损害消费者利益。

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山”

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山” 据了解，HBM存储系统自2023年以来因AI芯片需求而呈现爆炸式增长。SK海力士和美光()一样，均已成为英伟达()新款 AI GPU的HBM存储系统供应商，提供的产品均为最新款的“HBM3E”。高盛日前发布研报称，由于更强的生成式人工智能(Gen AI)需求推动了更高的AI服务器出货量和每个GPU中更高的HBM密度，该行大幅提高了HBM总市场规模预估，现在预计市场规模将从2022年到2026年前增长10倍(4年复合年增长率77%)，从2022年的23亿美元增长至2026年的230亿美元。高盛认为，HBM市场供不应求的情况未来几年将持续，SK海力士、三星和美光等主要玩家将持续受益。与同行的解决方案相比，海力士生产力和产量更佳。高盛预计，海力士在未来2-3年将保持其50%以上的市场份额。高盛继续认为，三星是全球唯一有能力提供一站式HBM服务的公司，这可能会在长期内帮助其保有市场份额。高盛认为，随着行业需求日益转向HBM3E，美光将受益。高盛预期美光可能从2025年开始超越同行，但能否获得显著市场份额将取决于如何快速扩大其相对较小的HBM产能。高盛重申对海力士、三星和美光的买入评级。相关文章:SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据SK海力士计划在印第安纳州建造价值40亿美元的芯片封装厂 ... PC版： 手机版：

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。