长鑫存储GAA技术可适用3纳米芯片

长鑫存储GAA技术可适用3纳米芯片 存储器DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT),在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会(IEDM)上发表了一篇论文,展示了环绕式闸极结构(GAA)技术,适用于尖端3纳米级芯片。 长鑫存储发表声明称,该论文描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究,与长鑫存储当前的生产工艺无关,暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。

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