阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案

阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案 ASML 公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽（dense line）图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在现实生产环境中复制这一成果。”

佳能纳米压印设备最快今年交付 可制造5nm芯片

佳能纳米压印设备最快今年交付 可制造5nm芯片 佳能表示，这套设备的工作原理和ASML的光刻机不同，并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。相较于目前已商用化的EUV光刻技术，尽管纳米压印技术的芯片制造速度要比传统光刻方式慢，但铠侠在2021年就曾表示，纳米压印技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。原因在于纳米压印技术的制程较为简单，耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40%。另外，纳米压印设备还可以使得芯片制造商降低对于ASML的EUV光刻机的依赖，使得台积电、三星等晶圆代工厂可以有第二个路线选择，可以更灵活的为客户生产小批量芯片。不过佳能CEO三井藤夫曾在采访中表示，佳能可能无法将这些设备出口到中国，“我的理解是，任何超过14nm技术的出口都是被禁止的，所以我认为我们无法销售。” ... PC版： 手机版：

LG 新能源计划 2028 年电池技术取得突破 可降低 30% 生产成本

LG 新能源计划 2028 年电池技术取得突破 可降低 30% 生产成本 LG 新能源公司 (LG Energy Solution Ltd.) 计划到 2028 年实现干法涂层技术的商业化，该技术旨在取代制造阴阳电极（电动汽车电池的关键部件）的能源密集型湿法工艺，可将生产成本降低 30%。目前，特斯拉、三星 SDI 等公司均在研究该技术。

佳能纳米压印设备最快今年出货 无法向中国出口

佳能纳米压印设备最快今年出货 无法向中国出口 据了解，纳米压印技术并不是利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。在晶圆上只压印1次，就可以在特定的位置形成复杂的2D或3D电路图。当下的5nm制程的先进半导体制造设备市场，则由ASML的EUV光刻机所垄断，单台价格约1.5亿美元。对于接下来更为先进的2nm及以下制程的芯片，ASML也推出了成本更为高昂的High-NA EUV光刻机，单台价格或将超过3亿美元，这也使得尖端制程所需的成本越来越高。相比之下，佳能的目前纳米压印技术将可以使得芯片制造商不依赖于EUV光刻机就能生产最小5nm制程节点的逻辑半导体。佳能半导体设备业务部长岩本和德此前还曾表示，如果改进光罩，纳米压印甚至可以生产2nm先进制程的芯片。佳能的纳米压印技术或许将有机会帮助佳能缩小其与ASML的差距。更为关键的是，佳能的纳米压印设备成本和制造成本都远低于ASML的EUV光刻机。岩本和德表示，客户的成本因条件而异，据估算1次压印工序所需要的成本，有时能降至传统曝光设备工序的一半。而且，因为纳米压印设备的规模较小，在研发等用途方面也更容易引进。据了解，采用纳米压印技术，将可使得整体的设备投资降低至EUV光刻产线设备的40%水平。虽然佳能并未公布其纳米压印设备的定价，但是，佳能CEO御手洗富士夫此前曾表示，该公司的纳米压印设备的“价格将比ASML的EUV光刻机低一位数（即仅有10%）”。在客户方面，佳能表示目前收到了半导体厂商、大学、研究所的很多咨询，以期待作为EUV设备的替代产品，使纳米压印设备备受期待。预计，该设备将可用于闪存、个人电脑用DRAM，以及逻辑等多种半导体生产用途上。不过，需要指出的是，纳米压印是完全不同于光刻技术的全新路径，因此它与现有的基于DUV或EUV光刻的产线是不兼容的.也就是说现有的大型芯片制造商无法再现有产线中直接使用纳米压印技术，需要重新建立全新的生产线，显然这将成为阻碍纳米压印推广的一个因素。目前中国半导体产业正受到美日荷的多方围堵，国内半导体制造商获取先进的半导体制造设备受到了限制，佳能的纳米压印设备或将为国内发展先进制程提供一条突破封锁的新路径。但是，佳能的纳米压印设备可能无法对中国大陆出口。查阅日本的出口管制清单发现，当中就有限制“可实现45nm以下线宽的压印光刻装置”。佳能CEO御手洗富士夫也在此前的采访中也曾表示，佳能可能无法将这些（基于纳米压印技术的）芯片制造设备出口到中国。“我的理解是，任何超过14nm技术的出口都是被禁止的，所以我认为我们无法销售。”不过，如果佳能的纳米压印设备能够在实际量产当中获得成功，也将为国内半导体制造提供一个可以绕过EUV光刻机继续发展先进制程的新思路，国产半导体设备厂商也可以选择纳米压印技术路线来开发相关的设备，来助力国产先进制程的进一步突破。 ... PC版： 手机版：

【美光解散上海DRAM设计团队，并挑选核心员工技术移民美国】美光此次并非解散整个研发中心，而是仅仅解散了DRAM设计部门。美

【美光解散上海DRAM设计团队，并挑选核心员工技术移民美国】美光此次并非解散整个上海研发中心，而是仅仅解散了DRAM设计部门。美光的DRAM设计团队此前有一大波人员流失至国内的本土IC设计公司和存储大厂。 #抽屉IT

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术 在 7 纳米工艺中，中芯国际最有可能使用自对准双图案技术（SADP）和 DUV 工具，但为了提高 5 纳米节点的密度，需要将 SAQP 提高一倍。在半导体制造过程中，光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高，使用 DUV 工具蚀刻 10 纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是 ASML 的极紫外光 (EUV) 工具发挥作用的地方。使用 EUV，光刻打印机的波长比 DUV 小 14 倍，仅为 13.5 nm，而 ArF 浸透 DUV 系统的波长为 193 nm。这就意味着，如果没有 EUV，中芯国际就必须寻找 SAQP 等替代方案来提高节点密度，结果会增加复杂性，并可能降低产量。例如，英特尔曾试图在其首批 10 纳米节点中使用 SAQP，以减少对 EUV 的依赖，结果造成了一系列延误和并发症，最终将英特尔本身也推向了 EUV。虽然华为和中芯国际可能会为 SAQP 开发出更高效的解决方案，但由于普通 DUV 无法跟上半导体节点密度的不断提高，因此使用 EUV 已迫在眉睫。鉴于 ASML 无法将其 EUV 设备运到中国，据称华为正在开发自己的 EUV 设备，但可能还需要几年时间才能展示出来。 ... PC版： 手机版：