三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行

三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行 业界传出，全球前二大 DRAM 供货商韩国三星和 SK海力士正全力冲刺高带宽内存 (HBM) 与主流 DDR5 规格内存，下半年起将停止供应 DDR3 利基型 DRAM，引起市场抢货潮，导致近期 DDR3 价格飙涨，最高涨幅达20%，且下半年报价还将进一步上涨。业内传出，为了应对高频宽内存和 DDR5 的发展策略，三星已通知客户将于第二季度末停止生产 DDR3；而 SK海力士则在去年底就已将位于中国大陆无锡的工厂转向 DDR4 制程，意味着不再供应 DDR3；同时，美光为扩大 DDR5 和高频宽内存产能，也大幅减少了 DDR3 的供应量。

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求 TrendForce 的最新报告预测，今年第三季度 DRAM 产品的价格将略有上涨。该公司预计，内存芯片的成本将同比波动 5%至 13%，其中"传统"DRAM 内存将上涨 5%至 10%，所有 DRAM 产品（包括 HBM 芯片）将上涨 8%至 13%。价格上涨的主要原因是普通服务器内存芯片需求的恢复，以及主要 DRAM 供应商 HBM（高带宽内存）产品生产份额的增加。尽管不同类型的内存产品会有不同的表现，但由于制造商热衷于提价，第三季度 DRAM 的平均销售价格正在上涨。TrendForce 指出，PC DRAM 芯片将继续保持涨价趋势，涨价幅度在 3% 至 8% 之间，因为"通用服务器"现在需求旺盛，内存供应商更加专注于制造 HBM 芯片。与服务器 DRAM 购买者相比，个人电脑客户可以预期的价格上涨幅度较小，因为个人电脑消费产品的库存较高，而且客户需求没有显著增长。服务器 DRAM 产品的价格预计将上涨 8% 至 13%。TrendForce 表示，仓库里堆满了 DDR4 芯片，这意味着第三季度的"采购势头"将主要集中在 DDR5 上。移动 DRAM 价格将上涨 3%至 8%，因为库存水平仍然很高，而制造商正试图通过影响明年的供需平衡来提高利润率。TrendForce 预测，VRAM 的价格也将上涨 3%至 8%，因为此类内存产品的总体需求仍然"相对平稳"。买家采取的"持续备货策略"将使成本下降，而制造商预计将在即将到来的游戏 GPU 更新周期中更多地采用新的GDDR7 内存芯片。TrendForce 表示，GDDR7 的生产成本比 GDDR6 高出 20% 至 30%，尽管采取了库存策略，但新一代 GeForce RTX 50 GPU 的 GDDR7 出货量增加可能会推高 ASP 水平。最后，DDR3 和 DDR4 等老式内存产品的价格将上涨 3% 至 8%。台湾制造商正在将其产能转换为 HBM，而三大内存芯片供应商显然有意尽可能提高价格。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

DRAM 现货止跌迹象显现 Q3 合约价延续调涨

DRAM 现货止跌迹象显现 Q3 合约价延续调涨 第二季消费性电子需求疲弱，终端市场持续处于库存去化阶段，存储器模块厂普遍感受到买气冷清，包括威刚、广颖、宇瞻等 6 月合并营收均呈现下滑，十铨的 B2B 专案则逆势拉升营收创下新高纪录。上游原厂和代理端均预期，DRAM 现货止跌迹象显现，第三季合约价格将延续调涨。 (台湾电子时报)

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨  NAND闪存方面，合约价自2022年第三季度开始下跌，已经连续下跌四个季度，至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下，DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024年第一季度，预计DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守，DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率，买方也在第一季度陆续完成库存回补，因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。第三季度是传统的旺季，来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下，合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，平均单价的提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下，涨势将延续，预计DRAM合约价季涨幅约8~13%，而NAND闪存则是0~5%。 ... PC版： 手机版：

预估 2022 年 DRAM 产值达915亿美元，下半年起可望扭转跌价态势

预估 2022 年 DRAM 产值达915亿美元，下半年起可望扭转跌价态势 根据 TrendForce 集邦咨询 研究显示，2022年的 DRAM 供给位元成长率约18.6%，然而由于目前买方库存水位已偏高，加上2022年需求位元成长率仅17.1%，明年DRAM产业将由供不应求转至供过于求。尽管DRAM价格将因供过于求而出现下滑，但在寡占市场型态下，整体产值并不会大幅下跌，预估2022年的DRAM总产值将达915.4亿美元，年增微幅上升0.3%。 以明年各季度的供过于求比例（以下称：sufficiency ratio）作为预测基础，预期DRAM平均销售单价将年减15%，而价格下滑幅度在上半年较为明显；下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动，均价跌幅将收敛，不排除有持平或涨价的可能性。()