SK海力士发布2023财年第三季度财务报告

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告 SK海力士解释道：“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加，公司业绩在第一季度低点过后持续改善，特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好，与上季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。” 顺应这一趋势，SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBM TSV技术的投资。

HBM之后，DRAM的新战场

HBM之后，DRAM的新战场 三星电子、SK 海力士、美光三大存储器半导体公司之间的竞争，正从高带宽存储器（HBM）扩大到图形 DRAM，即图形双倍数据速率（GDDR）。图形 DRAM 的开发重点是通过拓宽数据传输路径来提高处理速度和效率。它不仅用于 AI 加速器，还用于加密货币挖掘。随着 AI PC 和其他设备上 AI 终端即将发布，相关市场预计将迅速增长。2023年2月，三星在国际固态电路会议（ISSCC）上首次展示了37Gbps的GDDR7 DRAM。紧接着，SK海力士在2023年3月于美国圣何塞举行的“NVIDIA GTC”上，推出了比三星电子和美光更快的40Gbps GDDR7。他们在本月初于台湾举行的“Computex 2024”上也将GDDR7纳入了参展产品中。最大带宽提升至每秒128GB，比上一代GDDR6增加了一倍，功率效率提高了40%。6月4日，美光在台湾举办的“Computex 2024”上推出了新一代GDDR7，介绍称最高速度可达32Gbps，与上一代相比带宽提升60%，功率效率提升50%。据业内人士 6 月 21 日透露，三家存储器公司正通过推出比上一代速度更快、更省电的下一代产品，为全面量产竞争做准备。随着 AI PC 和其他设备上 AI 终端的发布，图形 DRAM 市场预计将快速增长。市场研究公司 Omdia 预测，到今年年底，图形 DRAM 将占整个 DRAM 市场的 15%，比 2022 年的 7% 翻一番。尤其是，由于预计 NVIDIA 将在其下一代笔记本电脑 GPU GeForce RTX50 上配备下一代 GDDR7，预计这三家公司为赢得 NVIDIA 青睐而展开的竞争将愈演愈烈。GDDR7 是下一代图形 DRAM 产品，旨在在 PC 和游戏机中无延迟地处理大型 3D 图形数据。除了 HBM 之外，GDDR 被认为是现有速度最快的内存。它主要用于笔记本电脑和游戏机的显卡，可提高高清视频和高性能游戏的图形处理速度。在加密货币热潮期间，它也作为虚拟资产挖矿的内存而广受欢迎。随着近来人工智能的兴起，快速处理大量数据的需求不断增加，GDDR 的使用范围也不断扩大。因此，它已成为三家内存公司与 HBM 并驾齐驱的另一个战场。这三家公司竞相为 NVIDIA 的 GPU 供应 HBM，在 GDDR 方面也展开了类似的竞争。三家内存公司预计将于今年下半年全面量产 GDDR7。与 HBM 相比，GDDR7 的数据处理速度更快，价格也相对较低，预计在人工智能时代，GDDR7 的使用范围将进一步扩大。一位行业专家表示：“继 HBM 之后，图形 DRAM 成为战场。”他们补充道：“GDDR 是 NVIDIA GPU 的‘最佳朋友’DRAM”，强调了 GDDR 在增强 GPU 性能方面的关键作用。随着行业为下一波技术进步做好准备，三星电子、SK 海力士和美光之间的竞争将决定图形 DRAM 市场的未来。 ... PC版： 手机版：

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微 台湾有四家内存制造商：美光（Micron）是岛内"三大"内存制造商的唯一成员，拥有两座工厂。与此同时，规模较小的厂商有南亚（拥有一座工厂）、华邦（在一座工厂生产特种内存）和力积电（在一座工厂生产特种内存）。研究发现，这些 DRAM 生产商很快就恢复了全面运营，但不得不丢弃一些晶圆。TrendForce称，地震对第二季度的DRAM生产影响较小，1%的影响可以忽略不计。事实上，随着美光在其 1alpha 和 1beta 纳米工艺技术上加大 DRAM 的生产力度，内存的位产量也随之增加，这将对 2025 年第二季度的商品 DRAM 供应产生积极影响。地震发生后，DRAM 合同市场和现货市场的报价都暂时停止。不过，现货市场报价已基本恢复，而合约价格尚未完全重启。值得注意的是，美光（Micron）和三星（Samsung）在地震发生后立即停止了移动 DRAM 的报价，截至 4 月 8 日也没有提供最新报价。相比之下，SK hynix 在地震当天恢复了面向智能手机客户的报价，并对第二季度移动 DRAM 提出了较为温和的价格调整。TrendForce预计，第二季度移动DRAM的季节性合约价格涨幅在3%到8%之间。这种温和增长的部分原因是 SK hynix 采取了更为克制的定价策略，这可能会影响整个行业的整体定价策略。据TrendForce称，地震对服务器DRAM的影响主要波及美光的先进制造节点，可能导致美光服务器DRAM的最终销售价格上涨。不过，未来价格的确切走向仍有待观察。与此同时，台湾以外的 DRAM 工厂没有受到地震的直接影响。这包括美光位于日本广岛的 HBM 生产线，以及三星和 SK hynix 位于韩国的 HBM 生产线，它们显然都在照常运营。总体而言，DRAM 行业在地震面前表现出了顽强的生命力，受到的影响很小，恢复也很快。DDR4 和 DDR5 库存充足，加上需求疲软，这表明地震造成的轻微价格上涨预计都会很快恢复正常。唯一可能的例外是 DDR3，其商业寿命即将结束，产量已经在减少。 ... PC版： 手机版：

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版： 手机版：

DRAM 现货止跌迹象显现，第三季度合约价延续调涨

DRAM 现货止跌迹象显现，第三季度合约价延续调涨 第二季度消费性电子需求疲弱，终端市场持续处于库存去化阶段，存储器模块厂普遍感受到买气冷清，包括威刚、广颖、宇瞻等 6 月合并营收均呈现下滑，十铨的 B2B 专案则逆势拉升营收创下新高纪录。上游原厂和代理端均预期，DRAM 现货止跌迹象显现，第三季合约价格将延续调涨。（台湾电子时报）

TrendForce：DDR4、DDR5 供货吃紧 价格略有上涨

TrendForce：DDR4、DDR5 供货吃紧 价格略有上涨 TrendForce 最新报告指出，DRAM 现货价格因 DDR4、DDR5 供货吃紧，略有上涨。原本从退役模组中剥离出来的旧 DDR4 芯片供应量略有减少，加上 DDR4 芯片现货价格已跌至 2023 年底的 0.9 美元低点，因此近期有小幅反弹；不过消费电子需求并未出现明显反弹，因此预计 DDR4 芯片价格涨幅有限。DDR5 方面，由于三星将更多 1alpha nm 产能分配给 HBM 导致供应量收紧，加上近期有特殊情况买家询价，因此 DDR5 产品价格略有上涨。