三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点

三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点 据报道，一位来自无晶圆厂半导体行业的不愿透露姓名的官员向 ZDNet 透露，公司更名已经确定，同时还提到合同是最近才写好的。"我们已接到三星电子的通知，他们将把第二代 3 纳米技术更名为 2 纳米技术。去年，三星电子晶圆代工厂签订的第二代 3 纳米技术合同也更名为 2 纳米技术，最近合同又被改写了。"三星最近还为一家名为 Preferred Networks (PFN)的日本初创公司完成了一份 2 纳米订单。虽然人们认为这家韩国巨头在 2nm 工艺竞赛中领先于台积电，但最新的报道称，已完成的订单实际上是该制造商第二代 3nm 晶圆所制造的，目前尚不清楚 PFN 是否知道这一更名。高通公司最近还要求三星和台积电提供其 2nm 样品，很可能是用于即将推出的骁龙 8 Gen 5，但芯片组制造商有可能正在评估 3nm SoC，而不是 2nm SoC。这位业内官员还表示，之所以更改名称，是因为通过优化缩小了晶体管尺寸。虽然他说三星可能是出于营销策略的转变而选择了这一改变，但技术的实际效果才是真正的关键。 ... PC版： 手机版：

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产 SF2 将于六月亮相三星计划在 6 月 19 日举行的 2024 年超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium 2024）上披露其 SF2 制造技术的关键细节。这将是该公司基于全栅极（GAA）多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）的第二个主要工艺节点。与前代产品相比，SF2 将采用"独特的外延和集成工艺"，这将使该工艺节点比基于 FinFET 的传统节点具有更高的性能和更低的漏电率（尽管三星并未透露与之比较的具体节点）。三星表示，SF2 使 N 型和 P 型窄晶体管的性能分别提高了 29% 和 46% ，使宽晶体管的性能分别提高了 11% 和 23%。此外，与 FinFET 技术相比，它还将晶体管的全局变化减少了 26%，并将产品漏电率降低了约 50%。该工艺还通过加强与客户的设计技术合作优化 (DTCO) 为未来的技术进步奠定了基础。在 SF2 的背景下，三星没有提到的一点是背面电源传输，因此至少目前没有迹象表明三星将在 SF2 上采用这种下一代电源路由功能。三星表示，SF2 的设计基础架构（PDK、EDA 工具和授权 IP）将于 2024 年第二季度完成。一旦完成，三星的芯片开发合作伙伴就可以开始为这一生产节点设计产品。同时，三星已经开始与 Arm 合作，针对 SF2 工艺共同优化 Arm 的 Cortex 内核。SF3：2024 年下半年有望实现作为首家推出基于 GAAFET 节点的工厂，三星一直处于芯片制造的最前沿。但与此同时，这也意味着他们是第一个遇到并解决如此重大的晶体管设计变更所带来的不可避免的磨合问题的工厂。因此，虽然三星的第一代 SF3E 工艺技术已经投产不到两年时间，但迄今为止公开披露的采用该工艺制造的芯片都是相对较小的加密货币挖矿芯片这正是在新工艺节点上表现出色的流水线部件。有了这些经验，三星正准备利用 GAAFET 制作更大更好的芯片。作为其财报公告的一部分，该公司已确认其去年推出的更新 SF3 节点仍将按计划于 2024 年下半年投入生产。SF3 从一开始就是一个更加成熟的产品，准备用于制造更大的处理器，包括数据中心产品。与它的前身 SF4 相比，SF3 承诺在相同功耗和晶体管数量下性能提升 22%，或在相同频率和复杂度下功耗降低 34%，逻辑面积减少 21%。总体而言，三星对这项技术寄予厚望，因为这一代 3nm 级技术有望与台积电的 N3B 和 N3E 节点相抗衡。SF4：准备进行 3D 堆叠最后，三星还在准备将其最终 FinFET 技术节点 SF4 的一个变体用于 3D 芯片堆叠。随着晶体管密度的提高不断放缓，三维芯片堆叠已成为不断提高整体芯片性能的一种方法，尤其是在现代多层处理器设计中。有关该节点的详细信息还很有限，但三星似乎正在做出一些改变，以考虑/优化在三维堆叠设计中使用 SF4 芯片的情况，在这种设计中，芯片需要能够上下层通信。根据该公司的第一季度财务报告，三星预计将在本季度（第二季度）完成堆叠芯片 SF4 变体的准备工作。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入量产。在本次活动上，三星电子还首次推出了17nm FinFET专业工艺技术，该工艺比28nm工艺性能提升了39%，功率效率提高了49%。 #抽屉IT

消息称三星Galaxy Watch 7将成为3nm工艺节点的首次运用

消息称三星Galaxy Watch 7将成为3nm工艺节点的首次运用 三星打算明年生产 3 纳米芯片早已不是秘密，该公司还表示计划在 2025 年推出基于 2 纳米工艺的芯片，在 2027 年升级到基于 1.4 纳米工艺的芯片。用于 Galaxy S24 的自家 Exynos 2400 芯片不会采用这些工艺。相反使用的是 4 纳米工艺。不过，下一代 Exynos 2500将采用 3 纳米工艺制造，以获得更好的性能。Galaxy Watch 7 是首款采用 3 纳米芯片 Exynos W1000 的产品。据称，该公司计划在今年下半年开始生产这种芯片。与之前的说法相反，三星把 3nm SoC 称为 Exynos W1000，而不是 Exynos W940，这在意料之中，因为该公司把 Galaxy Watch 6 的处理器命名为 W930。报道进一步指出，三星将使用其第二代 3nm 工艺节点，这是迄今为止半导体行业最先进的技术。台积电是唯一一家使用相同工艺生产芯片的制造商，其生产的芯片帮助了苹果在竞争中保持领先。Exynos W1000 预计将把可穿戴设备的性能提高 20%，并大大提高能效。此外，与 Watch 6 相比，Watch 7 的存储空间将增加一倍，达到 32GB。这款可穿戴设备将配备增强的人工智能功能、更大的电池以及三星健康的先进功能。预计高级处理器仅限提供给 Pro 版本。无论将处理器扩展到哪款机型，更先进的处理器都将帮助 Galaxy Watch 7 与今年晚些时候发布的 Apple Watch Series 9 和 Series 10 展开竞争。 ... PC版： 手机版：