HBM 低良品率影响产量

HBM 低良品率影响产量 HBM 需要在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层 DRAM,如果其中一层出问题就意味着整个HBM堆栈报废。随着堆叠层数的增加,良品率有可能会进一步降低。有消息人士称,现阶段HBM类产品的良品率约为65%,如果想要提高这一数字,产量就会下降。存储器制造商之间的竞争就是在良品率和产量之间找到平衡。

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HBM制造商良品率低 难以通过NVIDIA的供应商资格测试 韩国知名媒体DealSite 的一篇报道披露,美光(Micron)和 SK 海力士(SK Hynix)等制造商正在为通过英伟达(NVIDIA)下一代人工智能 GPU 的资格测试而正面交锋,而低良品率似乎阻碍了它们的发展。在 HBM 领域,良品率主要与堆叠架构的复杂性有关,它涉及多个存储器层和用于层间连接的复杂硅通孔 (TSV)。这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的几率,与较简单的存储器设计相比,可能会降低良品率。DealSite 重申,如果其中一个 HBM 芯片有缺陷,整个堆叠就会被丢弃,由此可见制造过程有多复杂。消息人士称,目前 HBM 内存的总体良品率约为 65%,如果各公司开始提高这一数字,产量就会下降,这就是为什么实际的竞争在于找到这两个问题之间的解决方案。不过,美光(Micron)和 SK 海力士(SK Hynix)似乎在这场竞争中处于领先地位,据报道,美光已经开始为英伟达(NVIDIA)的 H200 AI GPU生产 HBM3E,因为它已经通过了NVIDIA设定的认证阶段。现在,虽然对于 HBM 制造商来说,良品率现在还不是一个大问题,但从长远来看它又可能会成为一个大问题,因为随着时间的推移,我们会看到需求的增长,最终促使对更高产量的需求。 ... PC版: 手机版:

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HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35% HBM 的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而,约 50-60% 的有限产量和比 DRAM 产品大 60% 的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的 TSV 容量,预计到今年年底,HBM 将占先进工艺晶圆投入的 35%,其余晶圆容量将用于 LPDDR5(X) 和 DDR5 产品。关于HBM的最新发展,TrendForce指出,HBM3e将成为今年的市场主流,出货量将集中在下半年。目前,SK hynix 和美光仍是主要供应商,两者都采用 1beta 纳米工艺,并已向英伟达出货。采用 1Alpha nm 工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证,并于今年年中开始供货。除了 HBM 需求的比例不断增加外,个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中,服务器的产能增幅最大,主要是由单位容量达 1.75 TB 的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石 Rapids 和 AMD Genoa 等需要 DDR5 内存的新平台的量产,预计到今年年底,DDR5 的渗透率将超过 50%。同时,由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年,而下半年又是内存需求的旺季,因此市场对 DDR5 和 LPDDR5(X) 的需求预计也将增加。不过,由于 2023 年出现财务亏损,制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言,由于 HBM 生产的晶圆投入比例较高,先进工艺的产出将受到限制。因此,下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能,对 HBM 生产的更多关注可能会导致 DRAM 供应短缺。目前,新工厂计划如下:三星预计到 2024 年底,现有设施将全部使用完毕。新的 P4L 工厂计划于 2025 年完工,而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米工艺过渡到 1beta 纳米及以上工艺。SK hynix 的 M16 工厂的产能预计将在明年扩大,而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工,并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产,未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于 2025 年竣工,随后进行设备安装,并计划于 2026 年量产。TrendForce 指出,虽然新工厂计划于 2025 年竣工,但量产的确切时间表仍不确定,取决于 2024 年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法,加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外,英伟达(NVIDIA)将于 2025 年量产的 GB200 将采用 HBM3e 192/384 GB,有可能使 HBM 产量翻番。随着 HBM4 的开发在即,如果不在扩大产能方面进行大量投资,HBM 的优先发展可能会导致 DRAM 因产能限制而供应不足。 ... PC版: 手机版:

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SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中,SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示:“纵观当前的市场形势,大型科技客户正在加快新产品的发布时间,以确保在AI领域领先。因此,我们也在提前讨论今年和明年的计划,以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商,但却是HBM的主要供应商,HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商,并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月,SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品, 内存容量为 24 千兆字节 (GB),为业内最大。2023年 8 月,该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E,用于 AI 应用, 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月,SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片,这是业界推出的另一个公司,同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成(PI)负责人 Kwon Un-oh 表示:“通过先发制人地确保技术和量产专业知识,我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示,受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动,预计今年全球DRAM市场规模将达到65%,达到117万亿韩元(850亿美元)。本月初,首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示,其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示,NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示:“随着对大规模AI服务器的需求不断增长,eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示,公司还在密切关注新兴存储芯片,如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器,这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格,以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示,在存储芯片制造商中,SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者,因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商,而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示,如果SK海力士看到AI芯片融资需求,该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版: 手机版:

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