HBM3e产量激增机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35% HBM 的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约 50-60% 的有限产量和比 DRAM 产品大 60% 的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的 TSV 容量，预计到今年年底，HBM 将占先进工艺晶圆投入的 35%，其余晶圆容量将用于 LPDDR5(X) 和 DDR5 产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SK hynix 和美光仍是主要供应商，两者都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。采用 1Alpha nm 工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了 HBM 需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达 1.75 TB 的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石 Rapids 和 AMD Genoa 等需要 DDR5 内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5 的渗透率将超过 50%。同时，由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对 DDR5 和 LPDDR5(X) 的需求预计也将增加。不过，由于 2023 年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于 HBM 生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对 HBM 生产的更多关注可能会导致 DRAM 供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到 2024 年底，现有设施将全部使用完毕。新的 P4L 工厂计划于 2025 年完工，而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米工艺过渡到 1beta 纳米及以上工艺。SK hynix 的 M16 工厂的产能预计将在明年扩大，而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于 2025 年竣工，随后进行设备安装，并计划于 2026 年量产。TrendForce 指出，虽然新工厂计划于 2025 年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于 2024 年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于 2025 年量产的 GB200 将采用 HBM3e 192/384 GB，有可能使 HBM 产量翻番。随着 HBM4 的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM 的优先发展可能会导致 DRAM 因产能限制而供应不足。 ... PC版：手机版：

在Telegram中查看

相关推荐

TrendForce：HBM3e 带动，2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

TrendForce：HBM3e 带动，2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35% 目前三大原厂的新厂规划如下：三星现有厂房 2024 年底产能大致满载，新厂房 P4L 规划于 2025 年完工，同时 Line15 厂区将进行制程转换，由 1Ynm 转换至 1beta nm 以上。 SK 海力士明年预计扩大 M16 产能，M15X 同样也规划于 2025 年完工，并于明年底量产。美光中国台湾厂区将于明年恢复至满载，后续产能扩张将以美国厂为主，Boise 厂区预计于 2025 年完工并陆续移机，计划 2026 年量产。

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求。SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺。美光则正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。 ... PC版：手机版：

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14%

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14% Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。 HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。由于 HBM 从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。 TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和 SK hynix 的 HBM 生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SK hynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。关于目前主流 HBM3 产品的市场份额，SK hynix 占据了 HBM3 市场 90% 以上的份额，而随着 AMD 的 MI300 在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。 ... PC版：手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版：手机版：

NVIDIA开出13亿美元大单预定HBM3E内存力争上半年算力垄断

NVIDIA开出13亿美元大单预定HBM3E内存力争上半年算力垄断据业内人士分析，今年全球HBM的总产能预计为5600万颗，但大部分产能将在下半年释放。因此，NVIDIA的预定行为具有战略意义，有助于其在上半年获得市场优势。此外，随着AI和高性能计算对HBM的高度需求，HBM的市场价值和空间正不断扩大，其单价也远高于传统DRAM和DDR5。实际上根据封装数据推算，今年NVIDIA预订了超过14万片晶圆的CoWoS产能，其中台积电拿下12万片订单，Amkor分到2万到3万片，对应GPU总体产能接近450万颗。按每颗GPU逻辑芯片和储存颗粒1：6比例测算，即NVIDIA今年全年需要约2700万颗HBM，基于单颗250美元的成本测算，NVIDIA全年采购HBM 芯片的费用将达68亿美元，并非只有13亿美元。 ... PC版：手机版：

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人