HBM 低良品率影响产量

HBM 低良品率影响产量 HBM 需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层 DRAM，如果其中一层出问题就意味着整个HBM堆栈报废。随着堆叠层数的增加，良品率有可能会进一步降低。有消息人士称，现阶段HBM类产品的良品率约为65%，如果想要提高这一数字，产量就会下降。存储器制造商之间的竞争就是在良品率和产量之间找到平衡。

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品 2023 年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8 层 HBM3E（第 4 代）单元的样品，SK Hynix 也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite 认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的 HBM 产量问题。SK 海力士、三星和美光在 HBM3E 领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的 H200 AI GPU 上。DigiTimes Asia称，SK Hynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SK Hynix 的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的 12 层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为，SK Hynix 的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了 8 层 HBM3E 样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SK Hynix 上个月还向英伟达提供了 12 层 HBM3E 样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SK Hynix 将其称为 UTV（Universal Test Vehicle）。由于海力士已经完成了 8 层 HBM3E 的性能验证，预计 12 层 HBM3E 的测试不会花费太多时间"SK Hynix副总裁最近透露，公司 2024 年的 HBM 产能已经预定一空，领导层已经在为 2025 年及以后的创新做准备。 ... PC版： 手机版：

JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度 在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈

JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度 在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈 HBM4 是内存领域的下一个大事件，每家公司都参与了该内存类型的最有效开发，因为它最终将为下一代市场的成功奠定基础。据 ZDNet Korea报道，为了帮助制造商，JEDEC 决定将 12 层和 16 层 HBM4 堆栈的 HBM4 封装厚度降低到 775 微米，因为更高的厚度水平会带来复杂性，而且与该工艺相关的需求也非常值得期待。此外，据说制造商以前曾采用混合键合工艺这种较新的封装技术来减少封装厚度，因为这种工艺使用板载芯片和晶片直接键合。不过，由于 HBM4 内存将是一项新技术，预计采用混合键合技术将导致整体价格上涨，这意味着下一代产品将更加昂贵，但混合键合技术的使用还不确定，因为 HBM 制造商可能会利用 JEDEC 做出的"放宽"。至于我们何时能看到基于HBM4的产品亮相，SK hynix计划在2026年实现量产，最初的样品预计每堆栈容量高达36 GB。众所周知，HBM4 将彻底改变人工智能市场的计算性能，因为这种内存类型将采用"革命性"的板载芯片配置，把逻辑和半导体结合到单个封装中。由于台积电和 SK hynix 最近建立了联盟，HBM 和半导体市场有望在合作的环境中发展。 ... PC版： 手机版：

随着制造商将重点转向HBM生产 DRAM内存供应将出现短缺

随着制造商将重点转向HBM生产 DRAM内存供应将出现短缺 考虑到就在几个月前，各公司还面临着大范围的库存修正问题，以及消费者需求的减少，DRAM 市场现在的状况既令人感到幸运，又令人感到震惊。由于人工智能的炒作迫使三星和 SK hynix 等制造商将重点放在企业存储和 HBM 生产上，从而将 DRAM 置于次要位置，通用 DRAM 存储芯片在市场上可能会出现短缺。市场上 DRAM 的产能利用率已降至历史最低点，主要原因是企业更专注于满足对高带宽内存的大量需求。此外，在之前的市场情况下，各公司已经大幅缩减了 DRAM 的生产规模，因此需求的突然增加将给过去几个季度处于库存调整状态的公司带来更多的问题。鉴于通用 DRAM 内存芯片在个人电脑和移动领域发挥着巨大作用，该报告认为，随着市场采用率的提高，可能会出现大范围的短缺。虽然我们还不能确定是否即将涨价，但摩根士丹利之前的一份报告显示，由于人工智能炒作带来了巨大需求，企业决心在未来几个季度以两位数的百分比提高销售成本，因此内存商品的价格将会飙升。对于 SK hynix 和三星等公司来说，现在可能是挽回 DRAM 市场利润损失的最佳时机，但对于消费者来说，内存产品的成本可能会越来越高，因此，如果你看到便宜货，请马上抢购。 ... PC版： 手机版：

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术 SK hynix 表示，与全球顶级代工厂台积电的合作将带来更多的 HBM 技术创新。通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作，此次合作有望在存储器性能方面实现突破。两家公司将首先致力于提高安装在 HBM 封装最底部的基础芯片的性能。HBM 是在采用 TSV 技术的基底芯片上堆叠核心 DRAM 芯片，并通过 TSV 将 DRAM 堆叠中的固定层数与核心芯片垂直连接成 HBM 封装。位于底部的基础芯片连接到 GPU，由 GPU 控制 HBM。SK hynix 采用专有技术制造 HBM3E 以下的基础芯片，但计划在 HBM4 的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，这样就可以在有限的空间内封装更多的功能。这也有助于 SK hynix 生产定制的 HBM，满足客户对性能和能效的需求。SK hynix和台积电还同意合作优化SK hynix的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，同时合作应对客户在HBM方面的共同要求。K hynix 总裁兼 AI Infra 负责人 Justin Kim 说："我们期待与台积电建立强大的合作伙伴关系，帮助我们加快与客户的开放式合作，并开发出业界性能最佳的 HBM4。有了这次合作，我们将通过增强在定制存储器平台领域的竞争力，进一步巩固我们作为全面人工智能存储器供应商的市场领导地位。""多年来，台积电和 SK hynix 已经建立了牢固的合作伙伴关系。多年来，台积电与SK hynix已经建立了稳固的合作关系，我们共同致力于整合最先进的逻辑和最先进的HBM，提供全球领先的人工智能解决方案。展望下一代 HBM4，我们有信心继续紧密合作，提供最佳集成解决方案，为我们的共同客户开启新的人工智能创新。" ... PC版： 手机版：

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长 HBM内存的主要供货商 SK hynix 正式证实了其前几个月分析报告中"破纪录"的 HBM 销量，重申其在HBM领域的发展方针，并声称市场将出现反弹。SK hynix 副总裁 Kim Ki-tae 在一篇博客文章中分享了该公司在 HBM 市场上的做法，此外，他还重申了SK hynix迈向2024年的期望：随着生成式人工智能服务的多样化和进步，对人工智能内存解决方案 HBM 的需求也呈爆炸式增长。HBM 具有高性能和大容量的特点，是一款具有里程碑意义的产品，打破了内存半导体只是整个系统一部分的传统观念。其中，SK Hynix HBM 的竞争力尤为突出。2024 年，期待已久的"Upturn"时代即将到来。在这个新的飞跃时期，我们将全力以赴，创造最佳业绩。我希望SK hynix的成员们都能在这一年里梦想成真。此外，该公司还透露了 HBM 领域的惊人需求，声称今年的供应已经售罄，SK hynix 已经在为 2025 财年的主导地位做准备。这一点也不令人震惊，因为进入 2024 年，人工智能仍在蓬勃发展，英伟达（NVIDIA）和 AMD 等公司都在为下一代解决方案做准备，显然对 HBM 的需求也将是巨大的。随着 HBM3e 和 HBM4 产品的上市，我们可能会看到更多令人震惊的收入数字。 ... PC版： 手机版：