中国28nm国产光刻机有望年底交付

中国28nm国产光刻机有望年底交付 据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。 光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。 事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。 前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。

2023年6月7日，华泰证券研报：上海微电子或将在明年交付国产第一台 28nm的immersion式光刻机；

2023年6月7日，华泰证券研报：上海微电子或将在明年交付国产第一台 28nm的immersion式光刻机； 2023年7月31日，官媒《证券日报》报道：有消息称，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场； 2023年12月20日，国资张江集团官方账户发文：作为国内唯一 一家掌握光刻机技术的企业，上海微电子成功研制出28纳米光刻机。 后续结果：华泰该研报从Wind撤回、证券日报电子版该消息链接失效、张江集团修改文章。

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在又宣布今年年底交付。即使真能交付，和能量产、质量稳定也是两回事。国外2011年已量产28纳米芯片。但如果中芯因为华为被制裁，以后中国就要靠这款期望中的国产28纳米光刻机。但国外咨询机构早扒过，这款光刻机的中国供应商仍然要靠外国提供必需的配件，美国仍然随时可制裁。一个国家想搞完全国产的光刻机是痴心妄想。阿斯麦生产一台EUV光刻机要由24个国家的500多个供应商提供45万个配件。

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机 不过，张江集团之后对文章进行了修改，目前的文章中拿掉了关于28纳米的表述，改为：“作为国内唯一一家掌握光刻机技术的企业，上海微电子致力研制先进的光刻机。”

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺 ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值)，临界尺寸(CD)为13.5nm，最小金属间距为26nm，单次曝光下的内连接间距约为25-30nm，适合制造4/5nm工艺。使用双重曝光，可将内连接间距缩小到21-24nm，就能制造3nm工艺了，比如台积电N3B。第二代EUV光刻机提高到了0.55 NA，临界尺寸缩小到8nm，金属间距最小约为16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露会在1.4nm节点上首次使用。ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时确认，ASML正在调查开发Hyper NA技术，继续推进各项光刻指标，其中NA数值将超过0.7，预计在2030年左右完成。它表示，这种新型EUV光刻机适合制造逻辑处理器芯片，相比高NA双重曝光成本更低，也可用来制造DRAM内存芯片。ASML已披露的数据显示，低NA光刻机的成本至少1.83亿美元，高NA光刻机更是3.8亿美元起步。根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，2030年左右应该能推进到A7 0.7nm工艺，之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事儿了。 ... PC版： 手机版：

DUV光刻机从7nm再冲5nm？浸润光刻之父：行！但成本极高

DUV光刻机从7nm再冲5nm？浸润光刻之父：行！但成本极高 不过，林本坚表示，依靠现有的DUV光刻机（浸润式）制造出5nm晶片依然是可行的，但是至少需要进行4重曝光。不幸的是，这种工艺的缺点是不仅耗时，而且价格昂贵，还会影响整体良率。