2023年6月7日,华泰证券研报:上海微电子或将在明年交付国产第一台 28nm的immersion式光刻机;

2023年6月7日,华泰证券研报:上海微电子或将在明年交付国产第一台 28nm的immersion式光刻机; 2023年7月31日,官媒《证券日报》报道:有消息称,上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机,预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场; 2023年12月20日,国资张江集团官方账户发文:作为国内唯一 一家掌握光刻机技术的企业,上海微电子成功研制出28纳米光刻机。 后续结果:华泰该研报从Wind撤回、证券日报电子版该消息链接失效、张江集团修改文章。

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中国28nm国产光刻机有望年底交付

中国28nm国产光刻机有望年底交付 据新华网援引《证券日报》消息称,上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破,预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。 光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术,包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件,极为复杂精密。 事实上,光刻机是一个泛概念,包括三种不同类型:为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。 前道光刻机就是我们最常说的光刻机,主要用于晶圆制造,可分为DUV、EUV两大类,目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位,日本的尼康、佳能也有很强的实力。

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上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机 统筹上海张江科学城开发建设的张江集团透露,中国半导体装备制造商上海微电子已成功研制出28纳米光刻机。 上海张江(集团)有限公司星期二(12月19日)在集团微信公众号“你好张江”发文称:“作为国内唯一家掌握光刻机技术的企业,上海微电子已成功研制出28nm光刻机。” 中国“钛媒体”称,张江集团公布的这一消息,标志着中国最新28纳米前道光刻机研发进展首次被官方披露。 张江集团是一家统筹承担张江科学城开发建设、项目引进等重要功能的国有独资公司,隶属于上海市浦东新区政府监管单位。天眼查信息显示,张江集团是上海微电子的第四大股东。消息传出后,张江集团股价飙升了8%。 不过,张江集团之后对文章进行了修改,目前的文章中拿掉了关于28纳米的表述:“作为国内唯一一家掌握光刻机技术的企业,上海微电子致力研制先进的光刻机。” 上海微电子(SMEE)成立于2002年,是由中国多家产业集团和投资公司共同投资组建的高科技股份有限公司。公司主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。 在美国去年加大力度遏制中国芯片产业发展的背景下,美国商务部将上海微电子列入黑名单。 另据彭博社报道,虽然28纳米芯片于2011年首次问世,但上海微电子的最新成果意味着中国可能已将与该领域领先者的差距缩小了几年。 此前,中国自己的光刻技术落后荷兰公司约20年。尽管现在的光刻技术更加成熟,28纳米芯片对于智能手机和电动汽车等众多产品仍然至关重要。 2023年12月20日 3:55 PM

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上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机 不过,张江集团之后对文章进行了修改,目前的文章中拿掉了关于28纳米的表述,改为:“作为国内唯一一家掌握光刻机技术的企业,上海微电子致力研制先进的光刻机。”

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中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机,没下文了。现在

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机,没下文了。现在又宣布今年年底交付。即使真能交付,和能量产、质量稳定也是两回事。国外2011年已量产28纳米芯片。但如果中芯因为华为被制裁,以后中国就要靠这款期望中的国产28纳米光刻机。但国外咨询机构早扒过,这款光刻机的中国供应商仍然要靠外国提供必需的配件,美国仍然随时可制裁。一个国家想搞完全国产的光刻机是痴心妄想。阿斯麦生产一台EUV光刻机要由24个国家的500多个供应商提供45万个配件。

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ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺 ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值),临界尺寸(CD)为13.5nm,最小金属间距为26nm,单次曝光下的内连接间距约为25-30nm,适合制造4/5nm工艺。使用双重曝光,可将内连接间距缩小到21-24nm,就能制造3nm工艺了,比如台积电N3B。第二代EUV光刻机提高到了0.55 NA,临界尺寸缩小到8nm,金属间距最小约为16nm,可制造3-1nm,比如Intel就透露会在1.4nm节点上首次使用。ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时确认,ASML正在调查开发Hyper NA技术,继续推进各项光刻指标,其中NA数值将超过0.7,预计在2030年左右完成。它表示,这种新型EUV光刻机适合制造逻辑处理器芯片,相比高NA双重曝光成本更低,也可用来制造DRAM内存芯片。ASML已披露的数据显示,低NA光刻机的成本至少1.83亿美元,高NA光刻机更是3.8亿美元起步。根据微电子研究中心(IMEC)的路线图,2030年左右应该能推进到A7 0.7nm工艺,之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm,但那得是2036年左右的事儿了。 ... PC版: 手机版:

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兴业证券:建议持续关注光刻机产业链相关零部件上市公司 兴业证券研报表示,光刻工艺是集成电路制造的关键步骤,光刻机是半导体工业皇冠上的明珠。全球晶圆厂设备开支保持强劲,光刻机需求持续提升。光刻机作为芯片制造光刻环节的核心设备,目前全球前道光刻机被ASML、尼康、佳能垄断,实现光刻机的国产替代势在必行,具有重大战略意义。建议持续关注光刻机产业链相关零部件上市公司。 - 电报频道 - #娟姐新闻: @juanjienews

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