JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存：17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6

JEDEC确认用于台式PC的CAMM2内存：17.6Gbps的DDR6和14.4Gbps的LPDDR6 我们已经看到 LPDDR5(X/T) 变体在一系列其他产品中的应用，最近的产品是LPCAMM2 模块，由于其模块化外形尺寸小，并提供更高的容量和升级选项，它将彻底改变 PC市场。关于对 LPDDR6 内存的预期，Synopsys 将 14.4 Gbps 的数据传输速率作为该标准的最高定义，入门速率为 10.667 Gbps。LPDDR6 还将使用由两个 12 位子通道组成的 24 位宽通道，入门带宽可达每秒 28 GB，使用最快的 14.4 Gbps 模式时，带宽可达每秒 38.4 GB。至于 DDR6，据说该内存的初始草案将于今年制定，预计将于 2025 年第二季度发布 v1.0 规格。至于内存速度，DDR6 内存标准将采用 8.8 Gbps 的导入速度，最高可达 17.6 Gbps。预计 DDR6 将进一步扩展到 21 Gbps，这是一个非常高的带宽，在 PAM 信号标准中还提到了 NRZ。目前，最快的 DDR5 内存 DIMM 的内存速度可达 9000 MT/s，我们已经看到超频速度超过 11000 MT/s，但 DDR6 内存甚至不需要超频就能轻松突破 10K MT/s 大关，超频速度可能超过 20K MT/s。另一个值得关注的话题是 CAMM2 内存标准，美光、三星、SK hynix 甚至中国制造商龙芯中科都采用了这一标准。CAMM2 是下一代标准，它解决了传统 SO-DIMM 和 DIMM 内存的几个问题，如可升级性、可维修性、主板复杂性和功耗。它得到了内存供应商的广泛支持。目前，CAMM2 基于 DDR5、LPDDR5 和 LPDDR5X 标准，容量高达 256 GB。JEDEC 还谈到了下一代 LPDDR6 CAMM2，它将进一步完善 CAMM2 模块，提供与我们刚才提到的同样快的速度，而且还消除了现有设计中对螺丝的需求。最重要的一张幻灯片让我们提前看到了未来用于台式机和服务器 PC 的双通道CAMM2 内存解决方案。CAMM2 DIMM 将不再垂直放置，而是水平放置，目前最多展示了两个 DIMM。CAMM2 不再需要焊接连接器，而是将拓扑结构完全转移到模块上。这一新设计可在台式 PC 平台上实现最高性能和最大容量。这肯定需要一种全新的主板设计方法，而且我们预计这种设计不会很快推出，但我们可以预计某些主板供应商，特别是那些通过超频（2DIMM 设计）来挑战内存极限的供应商将来会使用 CAMM2 DIMM。 ... PC版： 手机版：

Dell 为其新款 Precision 笔电引入 CAMM DDR5 内存模组，多达128GB容量

Dell 为其新款 Precision 笔电引入 CAMM DDR5 内存模组，多达128GB容量 ·摊大饼，比倾斜安装的 SO-DIMM 更薄。 ·根据内存颗粒数量、单双面分布不同，有至少四种尺寸。 ·Dell 参与设计了 CAMM 并持有一部分专利，但Dell希望它成为行业标准。 ·新款电脑将于2022Q2上市

微星主板首秀CAMM2、Mini_CUDIMM内存槽 下代普及四大徒手DIY设计

微星主板首秀CAMM2、Mini_CUDIMM内存槽 下代普及四大徒手DIY设计 CAMM2内存原本是为了笔记本设计的，可以大大节省内部空间，从而配备更高档的显卡等其他部件，或者升级散热系统，或者加大电池容量，或者兼而有之。微星这款Z790 PROJECT ZERO PLUS CAMM2第一次把它搬到了桌面主板上，除了一样可以做大容量，最大好处就是节省纵向空间，不会再与庞大的高端散热器产生冲突，不管是风冷还是水冷。同时，由于集成度更高，而且单根就能达成双通道，兼容性更好，所需要的PCB电路板、PMIC电源控制单元等元器件更少，成本可以做得更低，未来单条CAMM2能比两条DDR5更便宜。微星目前搭载的CAMM2容量最高是128GB DDR5，正面12颗芯片，背面4颗，共计16颗。为了给内存散热，微星设计了一个大面积的散热片，完整覆盖CAMM2内存及其周围区域，通过导热垫与CAMM2本体亲密接触。当然，它也可以和处理器、显卡等同时纳入水冷散热系统，微星现场就做了一个演示平台。一条CAMM2内存对比两条传统DIMM内存。CAMM2内存的背部，一半是内存芯片，另一半是安装接口，密集的小触点。所以，CAMM2是无法直接安装在内存上的， 需要右侧那个类似转接卡的东西，装在CAMM2和主板中间。就是说，CAMM2内存并非焊死在主板上，依然是可更换、可升级的，但由于它最初并非针对桌面环境、频繁插拔设计的，针脚也很细小，比较脆弱。同时，由于主板上只有一条CAMM2，所以要想升级容量，不能像传统DIMM那样一条变两条、两条变四条，而只能一换一。CAMM2在设计上也非常的灵活，还有很大的扩充空间。比如可以做得“瘦”一点，就是现在一半的宽度，背面是接口，正面是少数芯片，但这样容量就太小了。再比如可以做得长一点，方便进一步扩大容量，微星主板上也预留了空间。总之，CAMM2内存虽然也有一些不足之处，但能带来的好处是非常多的，只要内存厂商、主板厂商都愿意去做、去推，完全有可能普及开来，至少在一定范围内普及。除了行业标准的CAMM2，微星还联合Intel，共同设计了另一种革命性的内存形态，暂时命名为“Mini_CUDIMM”。一如其名，它非常的迷你，长度大大缩减，除了减少空间占用，最大好处就是可以精简和缩短内存与处理器之间的走线，从而更好地优化电路，达到近乎完美的程度，做到足够低的延迟。因为我们知道，内存要想稳定达到更高的频率，电路和走线设计至关重要，越简单越好。Mini-CUDIMM内存还在研发设计中，尚未最终完成。这次，微星也展示了两款Intel下一代主板，支持新的Arrow Lake处理器，下半年登场。它们都有全新的微星专属DIY设计，大大简化拆卸操作。比如升级的EZ M.2 Clip II、M.2 Shield Frozr冰霜铠甲，无需螺丝，就可以徒手轻松拆装M.2本体和散热片。比如EZ PCIe Release，只需一根手指，轻轻一按，就可以拿下大型显卡。再比如EZ天线，无需旋转，一只手就能轻松插拔Wi-Fi天线接口。Intel CEO帕特·基辛格也亲自来到微星展台，观看了微星的下一代主板，并在主板上亲笔签名留念，引发现场一阵阵欢呼。当然，支持锐龙9000系列的AMD新一代X870主板也不能少，微星这次展示了两款，一是针对主流玩家的MAG X870 Tomhawk WiFi，二是面向专业用户的PRO X870-P WiFi。它们也都配备了EZ M.2 Clip II、M.2 Shield Frozr、EZ PCIe Release、EZ天线等一系列简化设计。扩展接口上USB极大丰富，标配两个USB4 40Gbps(支持DP输出)，还有USB-C 10Gbps、USB-A 10Gbps、USB-A 5Gbps、USB 2.0。二者都配备了14+2+1相供电、80A或者60A SPS切换式供电器、两个8针CPU供电接口、7W/mK高导热率散热片、PCIe 5.0 x4 M.2接口，5G有线网卡、Wi-Fi 7无线网卡等。 ... PC版： 手机版：

都说板载内存好 却没几个人愿意买单？

都说板载内存好 却没几个人愿意买单？ 而为了追求纤薄时尚、长续航，笔记本厂商可谓是绞尽脑汁，将电脑内部每一寸空间都压榨到极致。其中，采用板载内存设计成为了一种常见做法。而随着这种“焊死内存”的做法逐渐延伸到追求性能和扩展性的游戏本上时，便引来了更多消费者的疑议。↑传统插槽式内存（可替换升级）↑板载内存（不可替换升级）板载内存 既不省心又不省钱？板载内存的起源可以追溯到苹果MacBook系列笔记本电脑，起初是为了节省空间、提高能源效率、优化生产流程等目的。板载内存的争议点主要集中在其缺乏升级性、消费者权益问题，以及维修难度增加等方面。板载便意味着用户将失去内存升级的灵活性和便利性，以往很方便替换、升级的硬件变成了“一锤子买卖”。于是，当我们购买电脑时，便要英明地预估未来对于内存和硬盘容量的需求度。如果对此不确定，只能多花些预算去选择原厂高内存、硬盘的机型配置以确保电脑整机拥有更久的使用寿命。以苹果MacBook电脑为例，内存和硬盘容量是关键的购买选配项，但它们的价格却贵如“黄金”每增加16GB内存或256G硬盘容量就要增加1000元以上的支出，价格远超出行业标准定价。我们往往不得不为了解决未来的焦虑而多花很多钱。↑升级芯片规格只要750元而当我们未来要进行更大计算量的工作时，即便当初已经花重金选购了大内存版本，但内存和硬盘容量仍有不足的风险。电脑除了内存容量不足以外，哪儿都没有毛病，但就是因为无法扩充内存容量而导致软件经常闪退，让电脑不得不在计划外进行报废！另外，一旦内存和硬盘出现故障，维修成本和难度也会大幅上升。对用户来说，板载内存似乎是一个弊远大于利的事情，多花钱不说，还可能不好用。那么为什么它却变成了笔记本设计趋势了呢？抛开内存成为某些厂商的生意经以外，板载内存确实有助于制造出更薄、更轻的笔记本电脑。另外，板载内存的成本较低，生产过程更加简单和高效，这有助于降低生产成本。此前惠普的体验工程高级总监 Haval Othman给出回应表示，板载内存可以：1.节省笔记本内部空间。2.生产成本更低、且生产难度降低。3.内存速度更快、更高效。4.电池更加耐用。随着内存迭代，频率不断攀升，SO-DIMM 接口对于这种高带宽的内存显然是力不从心了，在板载内存上面现如今已经突破到 8000MT/s 的大关。普通 SO-DIMM 只能限制在主流的4800MT/s-64000 MT/s 左右，频率对比板载内存确实少了一大截。大容量内存更易让消费者产生正向感知大幅降低发热和耗电的 LPDDR内存对电气信号抗干扰要求就更高，显然板载内存的形式要优于传统插槽形式。不过，如果你以为板载内存能让所有人都对系统性能有感知性的提升，那可就有些天真了。实际上，除非你是做一些超级专业的工作或追求极致性能的玩家，否则你很难感受到内存频率带来的这种微小的性能差异。反倒是内存容量的大小对于用户应用效率的影响更大。此前，PConline也做过相关测试，在分别使用单条内存、双条内存与双条大内存的前提下，对不同负载的执行效率进行测试，大内存带来的应用效率收益十分明显，尤其对于做影视剪辑或3D建模的同学来说，往往升级一条内存条就能解决燃眉之急，对于游戏发烧友来说，情况也是如此。当年就有一批“8G妥妥够用”的同学，在玩《巫师3》等3A大作的时候就被内存容量拖了后腿，好在当时的游戏本还都可以升级内存，只花了几百块钱就解决了烦恼。如今随着本地AIGC的爆火，内存需求更是雪上加霜，当用户选择了小容量板载内存的产品时，恐怕只能怀着沉甸甸的银子去寻找新的伙伴了。另外，我们不可否认板载内存提升了电脑结构稳定性和耐久度。毕竟少了可拆卸部件，整体的结构坚固度自然就高了一些。尤其对于笔记本电脑这种需要随身携带的设备来说，耐用性可是一个重要的考量因素。可反过来看，以前如果我们电脑的内存条出了问题，只需再买一条新的就搞定了。可如今板载内存一旦损坏就必须把整个主板卸下来换新，这可不是普通消费者能玩得转的活儿。加上主板的费用，保修期一过，修理的支出往往高得吓人。更完美的选择？对于这场板载内存的争议，我的态度其实是既不能全盘否定，也不能过于偏激。我们要看到目前板载内存确实给消费者带来一些不便，但追求轻薄机身和优化生产效率也是笔记本厂商必须权衡的现实考量。更重要的是，科技发展没有止境，未来新技术的出现,或许能让所有纠葛迎刃而解。比如最近获批的 CAMM2 内存标准，它不仅集成了内存和插槽两种设计，而且容量和频率都有了大幅提升。目前，CAMM2内存基于DDR5、LPDDR5和LPDDR5X标准，容量高达256GB。CAMM2内存与多数人传统观念中的“内存条”有着很大的区别，更像是一块焊接了内存颗粒及主控的纤薄PCB。在安装时，只需要将PCB版放入指定的区域中并拧上固定螺丝即可iFixit 曾拆解了联想 ThinkPad P1 Gen 7 移动工作站，可以看到其配备了 LPCAMM2 内存模组，可以不降低 LPDDR 的能效情况下实现可插拔。从图片上看，有三个限位孔和三个螺丝固定，底座则是类似于 CPU 的 LGA 针脚。另外，每个LPCAMM2 内存默认都是真·双通道设计。相对比于传统的 SO-DIMM，LPCAMM2 内存节约了 64% 的空间，降低了 57% 的功耗。实现了 8533MT/s 的传输速度。目前CAMM2已经获得了镁光、三星、海力士及龙芯中科等厂商的支持，基本上囊括了目前主要的内存制造商。镁光也已经推出了零售的产品，64GB LPDDR5X-7500 售价在 2300 元左右。总的来说，板载内存的兴起反映了笔记本电脑行业的发展趋势，即追求更轻薄、更高效的设备。然而，这一趋势也带来了不少挑战，尤其是对于那些希望升级硬件的用户。我们也期待未来的CAMM2内存能够解决当前的限制，为用户提供更多的选择和灵活性。 ... PC版： 手机版：

AMD的Zen 3和Zen 2 CPU易受 "Zenhammer"漏洞影响 导致内存泄漏

AMD的Zen 3和Zen 2 CPU易受 "Zenhammer"漏洞影响 导致内存泄漏 Rowhammer 是一个相当古老的漏洞，最初是在 2014 年通过卡内基梅隆大学和英特尔公司的合作研究发现的。该漏洞通过促使内存单元漏电来影响 DRAM 的内容，有可能使内存中的比特发生翻转，从而破坏内存中的数据。此外，它还可能导致入侵者获取敏感信息，该漏洞已扩展到 AMD 的 Zen 系统，因此现在被称为"Zenhammer"。来自苏黎世联邦理工学院（ETH Zurich）的独立研究人员找到了一种方法，通过翻转安装在 Zen 2 和 Zen 3 系统中的 DDR4 内存中的位，通过 Rowhammer 实现来破坏内存内容。以下是他们的研究成果：尽管 DRAM 具有非线性特性，但 ZenHammer 仍能反向设计 DRAM 寻址功能，使用专门设计的访问模式来实现适当的同步，并在模式中精心安排刷新和栅栏指令，以提高激活吞吐量，同时保留绕过 DRAM 内缓解措施所需的访问顺序。研究表明，AMD 系统存在漏洞，与基于英特尔的系统类似。在成功利用秘密 DRAM 地址功能后，研究人员能够调整定时例程，并通过大量测试，将 Rowhammer 的效果整合到系统中，在 Zen 2 和 Zen 3 系统中翻转内存内容。虽然这种情况对于相对较老的 AMD 消费者来说令人震惊，但 Team Red 已经对该问题做出了快速反应，并发布了一份安全简报来解决该问题。AMD 将继续评估研究人员关于首次在 DDR5 设备上演示 Rowhammer 位翻转的说法。AMD 将在完成评估后提供最新信息。AMD 微处理器产品包括符合行业标准 DDR 规范的内存控制器。对 Rowhammer 攻击的易感性因 DRAM 设备、供应商、技术和系统设置而异。AMD 建议您与 DRAM 或系统制造商联系，以确定是否容易受到这种新变种 Rowhammer 的攻击。AMD 还继续建议采用以下现有 DRAM 缓解 Rowhammer 式攻击，包括：使用支持纠错码 (ECC) 的 DRAM使用高于 1 倍的内存刷新率禁用内存突发/延迟刷新使用带有支持最大激活计数 (MAC) (DDR4) 内存控制器的 AMD CPU原代号为"那不勒斯"的第一代 AMD EPYC 处理器第 2 代 AMD EPYC 处理器，原代号为"罗马"原代号为"米兰"的第 3 代 AMD EPYC 处理器使用配备支持刷新管理 (RFM) (DDR5) 内存控制器的 AMD CPU原代号为"Genoa"的第四代 AMD EPYC™ 处理器对于特别关注 Zenhammer 的用户，建议自行实施AMD建议的缓解措施，以避免受到该漏洞的影响。与此同时，该公司正在对情况进行评估，并提供覆盖面更广泛的更新。 ... PC版： 手机版：

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品 GDDR 7大战即将拉开序幕

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品 GDDR 7大战即将拉开序幕 起初，显卡内存兼容CPU内存，主要使用DDR内存，然而鉴于图像处理需求逐年攀升，显卡逐渐转向采用专门为图形处理器（GPU）设计GDDR。由于GDDR具有更高的数据传输速率和带宽，在推动GPU的发展过程中起到了很关键的作用。GDDR技术发展历程历经二十余年发展，GDDR家族已经迭代至第七代，GDDR家族主要有GDDR、GDDR2、GDDR3、GDDR4、GDDR5 和 GDDR6，以及最新推出的GDDR 7。在此，我们先看下前六代的技术和性能上的情况。来源：imec虽然GDDR专为GPU设计，但是最开始的一二代GDDR和GDDR 2并没有比DDR提升很多，因此也没得到GPU厂商的大规模采用。所以GDDR的正式被认可和迭代可以说是从GDDR3开始。自GDDR3开始，Nvidia和AMD等主要GPU厂商的参与使得GDDR标准得到了大幅提升，得益于制程工艺的不断进步，GDDR3内存的数据传输速率从最初的1GHz一路攀升至2.5GHz，实现了大幅提升，并保持了长达五年的生命周期，为现代图形处理和计算提供了强大的支持。GDDR4在GDDR3的基础上，进一步提升了数据传输速率和能效。虽然GDDR4在技术上取得了进步，但由于当时NVIDIA和ATI之间对于GDDR 4标准意见相左，且存在激烈的竞争关系，NVIDIA没有采用GDDR 4，这导致其市场占有率相对有限，成本很高，GDDR4很快就被历史所遗忘。GDDR5大幅提升了带宽和速度，成为2008年后高性能显卡的标配。GDDR5具有更高的时钟频率和数据传输速率，广泛应用于各类图形处理和计算任务中。GDDR5之后，NVIDIA还与美光推出了GDDR5X半代产品，用于NVIDIA高端显卡。而GDDR6则在数据传输速率和能效方面进一步提升，成为现代高端GPU的主流选择。GDDR6X引入了PAM4（Pulse Amplitude Modulation 4）信号技术，显著提高了数据传输速率。Nvidia在其Ampere架构，如GeForce RTX 3080和RTX 3090，率先采用了GDDR6X内存。可以看出，从最初的GDDR到最新的GDDR6，GDDR内存经历了多次技术迭代和性能提升。每一代GDDR内存都在数据传输速率、带宽和能效方面不断优化，满足了GPU和图形处理日益增长的需求。如今，它已成为人工智能和大数据应用领域中最受欢迎的内存芯片之一。GDDR7大战打响 三星和SK海力士打头阵目前，三星、美光和SK海力士均已开始提供GDDR7内存样品，GDDR 7大战即将拉开序幕。三星和SK海力士在今年3月份NVIDIA的GTC大会上均宣布了各家GDDR7的相关指标。两家公司都展示了16Gb（2GB）密度的产品，24Gb（3GB）更高版本没有在这一波浪潮中展现。按照三星的披露，三星GDDR7芯片能够在仅1.1 V的DRAM电压下实现32 Gbps的速度，这超过了JEDEC的GDDR7规范中的1.2 V，这一性能是通过首次应用PAM3信号实现的。再加上三星特有的其他电源管理创新，能源效率提高了20%，将待机功耗降低 50%，从而减少整体功耗。三星还在封装基板方面进行了一些创新，它使用了一种导热性高、热阻低的环氧模塑料 （EMC） 进行 GDDR7 封装，以确保有源元件（IC本身）不会过热，与 GDDR6 芯片相比，热阻降低了70%。这些芯片采用512M x32组合，采用266针FBGA 封装。而SK海力士表示它将提供速度高达40 Gbps的GDDR7芯片。与其前身GDDR6相比，最新的GDDR7产品提供的最大带宽达到160GB/s，是其上一代产品（GDDR6位80GB/s）的两倍，功耗效率提升了40%，同时，内存密度提升了1.5倍，使得视觉效果也进一步得到增强。独立的四通道的模式，提高了内存并行处理能力，每个通道支持32字节的数据访问。除了四通道模式，GDDR7还支持双通道模式，提供了灵活的配置选项，以适应不同的应用需求和系统架构。SK海力士GDDR7技术指标（来源：SK海力士）SK海力士GDDR7采用与GDDR6相同的板尺寸，大小为12mm x 14mm，这意味着在设计和制造过程中，GDDR7可以直接替换现有的GDDR6模块，而无需对电路板进行重新设计。此外，GDDR7内存还配备了专用的内存实现方案和PCB（印刷电路板）设计，以最大化其性能和效率。（来源：SK海力士）SK海力士的16Gb GDDR7 芯片基本已经准备就绪，将在今年晚些时候批量出货。三星的也在出样品的过程中。虽然尚不清楚谁将成为三星和SK海力士GDDR7内存的首批客户，但是考虑到两家均在NVIDIA GTC2024上进行展示，这也很清楚地表明NVIDIA是其中之一。姗姗来迟的美光2024年6月4日，美光宣布开始为下一代GPU提供GDDR7内存样品，它有28GB/s和32Gb/s两种速度。新一代GDDR7采用美光科技的1β （1-beta） DRAM 技术制造，在能效和性能上实现了大幅提升。美光在宣布这一消息时公布了一些诱人的数字。该公司表示，32Gb/s GDDR7提供的内存带宽比GDDR6高出60%，在384位总线上可达到1.5TB/s的内存带宽。这比其前代产品有了显著的飞跃，前代产品在RTX 4090等 GPU上的384位内存总线上最高可达1TB/s。同时，工作电压降低至1.2V，上一代为1.35V，美光表示，其GDDR7的效率比GDDR6 提高了50%，实现节能的方式主要包括分割电压平面、部分设备运行和休眠模式。采用FBGA更薄的封装高度（1.1mm对比1.2mm）和高热导EMC封装，提供65%更好的热阻，这为台式机和笔记本电脑提供了更好的热管理。美光GDDR6与GDDR7特点比较美光GDDR7的这些特性提升使其在游戏、生成式AI、高性能计算（HPC）领域前景广阔。也就意味着GDDR7可能与HBM相竞争。如美光所述，在游戏领域，GDDR7预计在每秒帧数（FPS）方面可提升超过30%，特别是在光线追踪和光栅化工作负载下；在生成式AI应用中，GDDR7提供超过1.5 TB/s的高系统带宽，预计可将生成式AI文本到图像生成的响应时间减少多达20%；对于HPC，GDDR7预计能够减少处理时间，实现复杂工作负载（如动画、3D设计、科学仿真和金融建模）的无缝多任务处理。据美光的公告，其GDDR7内存将于2024年下半年直接从美光以及通过精选的全球渠道分销商和经销商发售。NVIDIA使用美光的内存是板上钉钉了，因为此前美光专门为 Nvidia 制造了GDDR6x，不过在美光GDDR7的公告中也提到了AMD，因此AMD也可能会加入这一行列。GDDR 7最大的技术变化2024年3月，JEDEC发布了GDDR7 内存标准规范。JEDEC 是微电子行业标准制定领域的全球领导者。如下图所示，GDDR7的每引脚带宽最高可达48 Gbps，远高于GDDR6和GDDR6X的24 Gbps。在256位总线宽度下，GDDR7的总带宽达到1024 GB/sec，显著高于GDDR6和GDDR6X的768 GB/sec。GDDR7的工作电压为1.2 V，比GDDR6和GDDR6X的1.35 V更低。在信号技术上， GDDR7采用PAM-3信号技术，而GDDR6X采用PAM-4，GDDR6则使用传统的NRZ信号技术。GDDR7的最大密度达到64 Gb，是GDDR6和GDDR6X的两倍。GDDR7采用266 FBGA封装，高于GDDR6和GDDR6X的180 FBGA。图表展示了GDDR7相对于前几代在带宽、功耗和封装上的显著改进。来源：anandtechGDDR7最大的技术变化在于内存总线从2位不归零 （NRZ） 编码转换为3位脉冲（-1、0、+1）幅度调制 （PAM3） 编码。PAM3使GDDR7能够在两个周期内传输3位数据，仅这一变化就让数据传输效率提高了50%。随着向PAM3信号的转变，内存行业有了一条新途径来扩展 GDDR 设备的性能并推动图形和各种高性能应用的持续发展。之前的GDDR标准使用非归零（NRZ）技术，通过两种信号电平来传输编码为1或0的数据。这种方法在多个GDDR世代中都足够使用，但随着时钟速度和系统复杂性的增加，成为了一大瓶颈。为了解决这一挑战，美光与英伟达推出了采用多级信号技术的创新GDDR6X技术。美光是唯一提供GDDR6X的公司，GDDR6X利用PAM4信号技术，提供了业界领先的>1.1 TB/s带宽。美光在GDDR6X方面的成功和经验为下一代使用类似信号方法的GDDR奠定了基础。虽然PAM3每周期传输的比特数量低于GDDR6X上的PAM4，但PAM3提供了50%的更高电压裕度，并且编码复杂度更低，这减... PC版： 手机版：