【台积电放弃 N3 工艺？】按照台积电的规划， 3nm 节点内有四代制造工艺，逐代的性能、晶体管数和成熟度都有着提升。在放弃 N

【台积电放弃 N3 工艺？】按照台积电的规划， 3nm 节点内有四代制造工艺，逐代的性能、晶体管数和成熟度都有着提升。在放弃 N3，也就是第一代 3nm 工艺后，台积电也开始着手准备更具性价比和成熟度的 N3E 二代工艺。 #抽屉IT

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程 目前，三星电子是唯一一家商业化GAA 3nm芯片加工技术的芯片制造商，并于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。这也被解读为AMD将与三星合作开发3nm GAA技术芯片，这一合作可能将帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。与此同时，台积电的3nm产能已被苹果、高通等大客户全包下。台积电计划从2nm节点开始将GAA技术应用于其芯片制造工艺，预计将于2027年达到1.6nm工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。业界分析人士指出，如果AMD与三星在3nm节点技术上合作，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的市场份额差距。长期以来，三星与AMD一直在图形处理单元（GPU）和高带宽内存（HBM）芯片方面进行合作，HBM近期成为人工智能设备的热门DRAM。去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon图像锐化功能引入三星Exynos应用处理器产品组合中。作为更广泛合作的一部分，三星还同意向AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。 ... PC版： 手机版：

台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装

台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装 据 Tom's Hardware 报道，在本月举行的 IEDM 2023 会议上，台积电制定了提供包含 1 万亿个晶体管的芯片封装路线，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。 当然，1 万亿晶体管是来自单个芯片封装上的 3D 封装小芯片集合，但台积电也在致力于开发单个芯片 2000 亿晶体管。 为了实现这一目标，该公司重申正在致力于 2nm 级 N2 和 N2P 生产节点，以及 1.4nm 级 A14 和 1nm 级 A10 制造工艺，预计将于 2030 年完成。 ，

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

台积电3nm工艺提价 6nm/7nm却降价了

台积电3nm工艺提价 6nm/7nm却降价了 业内人士表示，台积电3nm涨价底气在于，苹果、高通、英伟达与AMD等四大厂包揽台积电3nm家族产能，甚至出现了排队潮，一路排到2026年。受此影响，采用台积电3nm制程的高通骁龙8 Gen4价格将会上涨，消息称骁龙8 Gen4的最终价格将超过200美元，也就是说单一颗芯片的价格在1500元左右，相关终端价格预计也会有所上涨。对此，台积电方面表示，客户不要担心涨价，公司正在努力控制成本。相比之下，6nm、7nm制程工艺相对而言没有3nm那么抢手，台积电作出了上述降价举措。相关文章:台积电拟对英伟达涨价 大摩称其他客户或也将跟进台积电回应涨价传闻：定价以策略而非机会为导向 持续与客户紧密合作 ... PC版： 手机版：

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图

【台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图。其中，台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管（GAAFET）架构的2nm（N2）制程工艺，将于2025年量产。 #抽屉IT