SK 海力士正在调查其芯片在新华为手机中的使用

SK 海力士正在调查其芯片在新华为手机中的使用 SK海力士公司对华为最新款手机中使用其芯片的情况展开调查，此前该设备的拆解显示了其内部的内存和闪存。 为彭博新闻社拆解该设备的 TechInsights 表示，总部位于深圳的华为 Mate 60 Pro 使用了 Hynix 的 LPDDR5 和 NAND 闪存。 据 TechInsights 称，这款手机的零部件几乎完全由中国供应商提供，而海力士的硬件是从海外采购材料的一个孤立例子。 总部位于利川的海力士公司发言人星期四在给彭博新闻社的一份声明中表示，“自美国对华为实施限制以来，该公司已不再与华为开展业务，针对这个问题，我们已开始调查以了解更多细节”。“SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。” 目前尚不清楚华为如何从海力士采购存储芯片，海力士的大部分半导体是在中国的工厂生产的。 一种可能性是，华为可能正在利用其早在 2020 年美国对其实施全面贸易限制之前积累的零部件库存。

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上 消息显示，韩国半导体制造商SK海力士（SK hynix Inc．）将扩大其高带宽内存（High Bandwidth Memory）生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。该公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。SK海力士财报显示，该公司第四财季实现了1131万亿韩元（约84.6亿美元）的营收和3460亿韩元（约2.59亿美元）的运营利润，这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为盈利。SK海力士扭亏为盈主要归因于HBM3（High Bandwidth Memory 3）和DDR5（Double Data Rate 5）的强劲销售。与上一年相比，SK海力士在2023年的DDR5和HBM3销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了继续这一上升趋势，SK海力士计划开始大规模生产人工智能芯片HBM3E，并加快第六代HBM4的开发。“我们预计HBM3E产品在2024年将会有巨大的需求，计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将TSV产能翻倍，”公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资，公司还表达了更谨慎的立场，“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”SK海力士计划准备生产MCRDIMM和LPCAMM2，前者是一种将多个DRAM集成到一个基板上的高容量服务器模块，后者是一种基于低功耗（LP） DDR5X的高性能移动模块，二者旨在满足AI服务器需求和设备端AI市场。在专注于生产高附加值产品的同时，SK海力士计划将资本支出的增长最小化，强调稳定的业务运营。“与上一年相比，我们将投资削减了一半以上，以应对需求疲软的情况。我们在2024年的策略是保持谨慎的态度，专注于确保增长和盈利的领域，同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。”首席财务官金宇贤表示。SK海力士解释说，自从2023年第三季度以，该公司来一直保持谨慎的生产策略，包括减产，导致销售超过了生产，随后改善了库存水平。“我们将继续保持谨慎的生产策略，直到2024年实现库存正常化，同时预计DRAM的产量将在上半年保持稳定，NAND闪存的产量将在下半年保持稳定，”该公司表示。分析师预计，该芯片制造商2024年的的运营利润将10万亿韩元（约合88.5亿美元）。还有分析师预计该公司2024年运营利润将达到10.6万亿韩元（约合94.2亿美元），分析师认为，主要因为人工智能芯片需求预计将增加。自2023年年初以来，SK海力士股价因其AI能力上涨近50%。 ... PC版： 手机版：

SK海力士正在测试低温蚀刻设备 可在-70℃低温下生产闪存

SK海力士正在测试低温蚀刻设备 可在-70℃低温下生产闪存 与传统的蚀刻工艺相比，东京电子的这款低温蚀刻设备在工作温度上形成了鲜明对比。传统蚀刻工艺通常在0℃到30℃的温度范围内进行，而这款新设备能在-70℃的低温下运行，这样的低温环境为生产更高性能的3D NAND提供了可能。据东京电子提供的论文数据，这款新的蚀刻机能在短短33分钟内完成10微米深的高深度比蚀刻，效率比现有工具高出三倍以上。这一显著的技术进步不仅提高了3D NAND的生产效率，还有望进一步推动闪存技术的发展。目前，SK海力士的321层3D NAND采用了三重堆栈结构。而采用东京电子的新设备后，该公司可能实现以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3D NAND，这将进一步提升生产效率。然而，这一目标的实现还需等待新设备在可靠性及性能一致性方面的进一步验证。值得一提的是，东京电子的这款低温蚀刻设备在环保方面也表现出色。它采用氟化氢（HF）气体作为蚀刻介质，相较于传统系统使用的氟碳化物气体，具有更低的温室效应，为半导体行业的绿色发展提供了有力支持。此外，全球半导体巨头三星也在验证这一新技术。与SK海力士不同，三星选择了直接引进东京电子的新设备进行测试，显示出其对新技术的高度关注和积极态度。 ... PC版： 手机版：

三星和SK海力士能获得美国特许，免受因针对中国芯片业制裁所带来的影响

三星和SK海力士能获得美国特许，免受因针对中国芯片业制裁所带来的影响 华盛顿，10月6日（路透社），消息人士称，拜登政府计划让SK海力士和三星免受对中国内存芯片制造商的新限制的影响，这些限制旨在挫败中国政府的技术野心并阻止其军事进展。 消息人士称，美国商务部计划在本周发布对中国技术出口的新限制措施，如果扬子内存技术有限公司(YMTC)和长信内存技术有限公司(CXMT)等中国企业正在生产先进的DRAM或闪存芯片，那么美国供应商可能会拒绝向这些企业发送设备的请求。 然而，消息人士称，向在中国生产先进内存芯片的外国公司出售设备的许可申请将被逐一审查，可能允许他们获得设备。 其中一位知情人士说："我们的目标是不伤害非本土公司"。 白宫和商务部拒绝发表评论。SK海力士公司、三星电子有限公司、YMTC和CXMT没有对评论请求作出回应。