SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存

SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存 韩国半导体巨头SK海力士11月21日发布消息称，已开始量产用于存储数据的 NAND 闪存的321层产品。预计将用于面向人工智能的数据中心和“边缘AI”等领域。自2025年上半年开始交货。此前最尖端的 NAND 闪存为238层。与238层相比，321层的数据传输速度提高了12%，读取数据时的电力效率也提高10%以上。单位芯片面积的数据容量也增加59%。NAND 闪存被用于智能手机和数据中心。SK使用了4D技术，集成度比属于业界标准的3D (3维) 更高，实现了321层。SK表示：“没有发现其他公司超过300层的产品”。 日经新闻-电报频道- #娟姐新闻:@juanjienews

SK海力士新设AI芯片开发和生产部门

SK海力士新设AI芯片开发和生产部门 SK海力士宣布已完成2025年的高管任命和组织架构优化。任命1名总裁、33名新高管和2名研究员。SK海力士引入了以“C-Level”为中心的管理体系，根据核心职能分配责任和权限，实现快速决策。业务单元被划分为包括 AI 基础设施(CMO)、未来技术研究院(CTO)、开发(CDO)和生产(CPO)在内的五大部门。 新成立的开发部门整合了DRAM、NAND、解决方案等所有内存产品的开发能力，最大限度地发挥全公司的协同效应，开发下一代人工智能内存等未来产品。新成立的生产部门将统筹前端与后端内存生产，以推动技术工艺协同，并改善包括即将到来的龙仁半导体集群在内的国内外晶圆厂的生产技术。 Businesses Korea-电报频道- #娟姐新闻:@juanjienews

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。

SK 海力士正在调查其芯片在新华为手机中的使用

SK 海力士正在调查其芯片在新华为手机中的使用 SK海力士公司对华为最新款手机中使用其芯片的情况展开调查，此前该设备的拆解显示了其内部的内存和闪存。 为彭博新闻社拆解该设备的 TechInsights 表示，总部位于深圳的华为 Mate 60 Pro 使用了 Hynix 的 LPDDR5 和 NAND 闪存。 据 TechInsights 称，这款手机的零部件几乎完全由中国供应商提供，而海力士的硬件是从海外采购材料的一个孤立例子。 总部位于利川的海力士公司发言人星期四在给彭博新闻社的一份声明中表示，“自美国对华为实施限制以来，该公司已不再与华为开展业务，针对这个问题，我们已开始调查以了解更多细节”。“SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。” 目前尚不清楚华为如何从海力士采购存储芯片，海力士的大部分半导体是在中国的工厂生产的。 一种可能性是，华为可能正在利用其早在 2020 年美国对其实施全面贸易限制之前积累的零部件库存。

SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：