【英特尔下一代CPU拟采用台积电5nm制程工艺】

【英特尔下一代CPU拟采用台积电5nm制程工艺】 5月5日消息，据报道，业内知情人士表示，英特尔第14代CPU“Meteor Lake”，将部分采用台积电5nm工艺制造，以防生产及发布时间延迟。英特尔此前表示，Meteor Lake CPU将使用自家Intel 4（7nm）工艺制造。另外，消息人士透露，Meteor Lake CPU将于2023年推出，这也有望成为台积电在今年内扩产5nm制程的动力之一。

传 Intel 20Å 工艺量产延后，Arrow Lake CPU 将转交 台积电 3nm代工？

传 Intel 20Å 工艺量产延后，Arrow Lake CPU 将转交 台积电 3nm代工？ 爆料人称，其看到的英特尔最新的路线图已经不再列出Intel 20A工艺，说明英特尔已经寻求外部代工厂生产Arrow Lake。而造成这一改变的根本原因则可能是因为Intel 20A制程的量产延后了。

英特尔将 1nm (10A) 工艺纳入路线图，计划采用“协作机器人”打造完全 AI 自动化工厂

英特尔将 1nm (10A) 工艺纳入路线图，计划采用“协作机器人”打造完全 AI 自动化工厂 英特尔代工直面会活动已经结束，但英特尔公司对其中一份演示文稿进行了错误的保密传达现在英特尔表示该演示文稿可以向公众公开，因此还有更多消息可以分享：英特尔此前未宣布的 Intel 10A (大约 1nm)工艺将于2027年底进入生产/开发，标志着该公司首个 1nm 节点的到来。其已经宣布的 14A (1.4nm) 节点将于2026年投入生产。 Intel 4 和 Intel 3 工艺的产能建设速度不如 20A/18A，因为该公司第三方代工业务的大部分都来自 18A 节点。随着向支持 EUV 的节点过渡，英特尔还将稳步减少 14nm 、12nm 、10nm、 Intel 7 节点的总体产量。 该公司还致力于未来创建完全自主的人工智能工厂，计划在其生产流程的所有环节中使用人工智能，从产能规划和预测到产量提高和实际的车间生产运营，这是一项“10 倍提升”的工作。

Intel 18A工艺要到2026年才能大规模量产

Intel 18A工艺要到2026年才能大规模量产 它首次引入RibbonFET环绕式晶体管、PowerVia背部供电，能效比提升最多15％。至于18A工艺，也就是1.8nm级别，将会首次大规模引入新一代EUV极紫外光刻，继续优化Ribbon晶体管，再次提升10％的能效比。它也在2022年就完成了初步测试，将是Intel对外代工的主力，也是Intel反超台积电的关键点。Intel CEO帕特·基辛格最新表示，基于18A工艺的第一款客户端产品Panther Lake、第一款服务器产品Clearwater Forest，将在2025年开始投产，而大规模量产则要等到2026年。这两款产品都早已出现在路线图上，但细节上未公开，只知道Clearwater Forest将是第二代基于纯E核的至强，架构代号Darkmont，而第一代的Sierra Forest今年上半年登场，最多288核心288线程。终于Panther Lake，应该是第三代酷睿Ultra。基辛格指出，Intel 2025年的晶圆生产主力还是Intel 10/7工艺，2025年开始上量Intel 3，并有小批量的Intel 18A，然后在2026年就会大规模出货Intel 18A。至于Intel 14A，具体投产节点仍未公布，看起来应该能在2026年落地。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

全力押注18A工艺节点 率先接收新型极紫外光刻机 英特尔即将领先台积电？

全力押注18A工艺节点 率先接收新型极紫外光刻机 英特尔即将领先台积电？ 目前，台积电和三星代工都在出货3nm芯片，明年下半年，两家公司都可能量产2nm芯片。据Motley Fool报道，今年晚些时候，英特尔将使用其 20A 工艺（相当于台积电和三星代工厂的 2 纳米），该工艺将用于制造英特尔的 Arrow Lake PC 芯片。因此，到那时，英特尔将拥有工艺领先地位，并且只有在明年英特尔推出其 18A 工艺节点（与台积电和三星代工厂相比时相当于 1.8 纳米）时，这种领先地位才会持续下去。后两者将于明年下半年推出 2nm 节点。英特尔的工艺节点将从今年的20A增加到2027年的14A预计到 2027 年，当英特尔的 14A（1.4 纳米）加入台积电和三星代工厂的 1.4 纳米产量时，所有人都将迎头赶上。最重要的是，随着工艺节点的缩小，这些芯片所使用的晶体管的尺寸会变得更小。这意味着一个组件内可以安装更多晶体管。芯片内的晶体管越多，通常芯片的功能就越强大和/或能效越高。但从今年晚些时候的 20A 生产开始，英特尔将凭借美国芯片制造商称为 PowerVia（也称为背面供电）的关键功能，在台积电和三星代工厂方面领先一些。台积电预计将在其 N2P 节点中使用这项技术，该节点将于 2026 年开始使用。三星代工预计将在明年推出的特定节点上使用背面供电，尽管三星代工尚未证实这一点。那么PowerVia是什么？大多数为芯片供电的小电线都位于构成硅元件的所有层的顶部。随着这些芯片变得越来越强大和复杂，顶部连接电源的电线正在与连接组件的电线竞争。这导致电力浪费和效率低下。PowerVia 将给芯片供电的电线移动到芯片的背面。因此，时钟速度可提高 6%，从而提高性能。再加上使用更先进的工艺节点带来的性能提升，其结果是使用更强大的芯片来运行更强大的设备。英特尔率先接收其高数值孔径极紫外光刻机英特尔首席执行官基辛格表示，“我把整个公司的赌注都押在了18A上。” 英特尔预计其18A节点的性能和效率将超过台积电的最佳水平。英特尔还与 Arm 签署了一项协议，允许 Arm 的芯片设计客户拥有使用英特尔 18A 工艺节点构建的低功耗 SoC。上个月，英特尔同意使用其 18A 工艺为微软打造定制芯片。四家未透露姓名的大公司（尚不清楚微软是否是这四家公司之一）已签约让英特尔使用 18A 工艺生产其芯片。 ... PC版： 手机版：