台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元 随着ASML（阿斯麦）公司产能的持续扩大，预计到2025年，EUV光刻机的交付量将实现30%以上的显著增长。作为这一趋势的直接受益者，台积电正紧锣密鼓地准备迎接这一供应潮。据了解，ASML去年为满足市场需求已计划增产，预计今年将交付53台EUV光刻机，而到了明年，这一数字将攀升至72台以上。不仅如此，ASML在2025年的产能目标中，更是规划了90台EUV光刻机、600台DUV光刻机以及20台前沿的High-NA EUV光刻机。这一雄心勃勃的产能规划，无疑将为包括台积电在内的全球芯片制造商提供更强大的技术支持。然而，值得注意的是，EUV光刻机的供应目前仍面临紧张局面，交货周期通常在16至20个月之间。这意味着，尽管台积电已在2024年预订了30台EUV光刻机，并计划在2025年再订购35台，但这些订单的大部分可能要到2025年甚至更晚才能实际交付。不过，考虑到台积电可能会根据市场变化和自身需求对资本支出计划进行灵活调整，上述数字可能会根据实际情况有所变动。此外，业界普遍期待台积电能在今年内接收到最新的High-NA EUV光刻机，这将为其在高端芯片制造领域的竞争力再添助力。 ... PC版： 手机版：

半导体设备市场现状：应用材料重返龙头

半导体设备市场现状：应用材料重返龙头 虽然该行业的供应渠道极其复杂，但它们也是了解正在发生的事情的关键。供应网络中某处的变化会引起网络中来回移动的涟漪。由于这些传播，您可以预测供应网络的其他区域会发生什么，并且可以预见未来。所有战略制定中的第一个问题是“发生了什么？”我们通过剖析行业及其供应链并为客户提供战略投入来谋生。当然，您可以与所有股票分析师一起参加投资者电话会议，聆听魅力超凡的盈利承诺者 (CEO) 告诉您到底发生了什么！我们仍在接听电话，但我们知道每个人都度过了一个不错的季度并获得了市场份额。我们通过分析来检查废话。它并不总是正确的，但它总是中立和独立的。所有半导体公司都有一个出色的季度并获得了市场份额！不它不是从一粒沙开始的！它从一个设备开始。有些设备比任何其他人造物体都更先进，并且不断发展。它们从默默无闻地存在于北欧大学城，如今成为中国与西方世界地缘政治博弈中的重要资产。这使得分析半导体设备市场成为我们所做的最令人兴奋的事情之一。设备市场重点企业与听到有关半导体补贴、赠款和新工厂建设的所有噪音时应该预期的相反，设备的收入并没有增长。这并不是说它不会发生，只是说它是出乎意料的。此外，美国正试图重新夺回最先进逻辑节点芯片制造的霸主地位；您应该期待 ASML 的增长，该公司为业界提供最先进的光刻设备。现在的情况正好相反，ASML 的收入下降了近 30%，而其最大的竞争对手东京电子则增长了 17%。领先的沉积公司 AMAT 在 2024 年第一季度重新成为最著名的设备公司，占据 23% 的市场份额。虽然《芯片法案》和补贴无疑最终会影响设备销售，但目前还没有发生。补贴的目标是独立于中国的影响，无论是军事还是经济。尽管如此，当西方国家分发金钱时，中国人并没有袖手旁观。自美国《芯片法案》签署以来，整体设备销量有所下降，而对中国的设备销量却有所增加。目前西方顶级设备制造商销售的设备中有近 45% 是中国购买的。《芯片法案》对设备销售产生了重大影响，尽管影响不是预期的方向。美国、台湾和韩国的设备销量显着下降，而中国对西方半导体设备的需求却有所增加。据估计，与晶圆厂建设相关的所有资本支出 (CapEx) 中 75% 是设备支出，其中光刻设备占成本的最大份额。以下是大型半导体工厂所有者的资本支出概述。《芯片法案》签署后，资本支出每季度突破 40 亿美元，但此后一直在下降。毫不奇怪，设备收入随着资本支出的发展而变化，但有两个有趣的偏差：1、随着时间的推移，设备在资本支出中所占的份额越来越大2、除非《芯片法案》签署之后。毫无疑问，《芯片法案》和其他补贴推动了这一变化，但并未朝着预期的方向发展。我们并不是试图暗示《芯片法案》不会对美国半导体行业产生重大影响，只是说它可能会产生一些意想不到的副作用。首先，《芯片法案》改变了半导体投资的时机，也影响了半导体投资的地点。其次，它改变了资本支出的支出方式。大大简化后，半导体工厂主将大笔资金花在四项活动上：由于半导体设备脆弱且老化速度快，因此大量资本支出用于维护和一对一更换，以防止产能下降。内存公司在经济低迷时期未能做到这一点 。目前，半导体工厂所有者已经降低了升级现有工厂以获得补贴的优先级。美国政府和其他人希望你把你的大盒子放在他们的后院来访问糖果罐。目前，存储器之外有充足的容量和最小的逻辑节点，但我们正处于半导体周期的早期。我们正在修改供需方程，这可能会对整个行业产生巨大影响。很快，我们将再次受到容量限制，而这一次，我们将不会通过升级活动来建立容量。随着个人电脑和智能手机潜在的人工智能升级周期，它可能会变得令人讨厌。突然之间，所有来自补贴的产能都将在 2026 年初上线，从而创造出一个潜在的“半导体周期之母”。但中国呢？所有这些花钱都是为了阻止中国主导半导体行业的企图。自从中国当局了解到价值不在于组装而是锁定在组装的半导体中以来，这种情况已经发生了几十年。已经进行了大量投资，但事实证明这比预期要困难。随着地缘政治紧张局势加剧，中国当局将重点从建设半导体制造能力转向投资半导体设备，因为最先进的设备被禁运。尽管与西方制造商相比，中国半导体设备行业规模较小，但其复合年增长率却以近 50% 的惊人速度增长，直到 2023 年最后一个季度达到 20 亿美元以上。增长在 2024 年第一季度停止21.9% 的下降幅度超出了农历新年所能解释的范围。通过比较今年的假期影响和去年的情况就可以看出这一点。看起来供应链拥堵。幸运的是，我们的小数字框可以为讨论增添趣味。中国设备制造商增长迅速，但也积累了大量库存。接近三年的库存意义重大，尤其是在需求崩溃的情况下。通过生产单位统计，我们可以了解中国本土的需求情况。可以看出，大多数重要的半导体产品的增长速度不如以前。总的来说，它们与去年持平。半导体制造除外。较一年前大幅增长 44.6%，供应的市场几乎持平。中国人向西方市场大量提供廉价产品并不是因为他们愿意，而是因为他们没办法。中国已经在与关税作斗争，拜登政府本周让关税变得更糟。半导体关税将从25%提高到50%，电动汽车将被征收100%关税。这不会让中国的供应过剩变得更容易。正如您所看到的，目前市场上发生了很多事情，很难准确预测哪些战略决策将被证明是正确的。我们将继续监测所有渠道，寻找真相。 ... PC版： 手机版：

据台媒电子时报报道，台积电已决定推迟或削减 40% 或更多的 ASML EUV 设备订单

据台媒电子时报报道，台积电已决定推迟或削减 40% 或更多的 ASML EUV 设备订单 设备业者表示，随着销售中国受到限制，加上面板、内存陷入寒冬，而台积电等晶圆代工客户也缩减扩产与资本支出计画，全球前十大设备厂已有多家业者对于2024年营运展望转趋保守，现已提前进行各项成本费用撙节计划。

ASML是全球领先的极紫外光刻机制造商，其技术对于高阶半导体制造至关重要。ASML预测2025年销售低于预期，这意味著全球晶片制

ASML是全球领先的极紫外光刻机制造商，其技术对于高阶半导体制造至关重要。ASML预测2025年销售低于预期，这意味著全球晶片制造需求正在放缓，尤其是逻辑晶片（CPU）领域的需求减弱，影响晶片制造设备的订单。 这对包括Intel、台积电等使用ASML设备的公司的股价形成负面压力，整体半导体供应链可能面临投资放缓的风险。 虽然ASML的业绩令人失望，但报告中提到，AI相关市场的需求依然强劲。这对辉达是利好消息，因为辉达的图形处理单元（GPU）主要用于AI应用领域。 辉达的GPU供应持续吃紧，且最新的Blackwell GPU已经超额订单，表明其AI相关业务前景乐观，长期来看辉达股价仍有望上升。 尽管辉达股价因ASML报告而下跌，这一反应似乎过度。辉达的AI GPU业务与ASML的逻辑晶片设备需求并无直接关联。 ASML报告中，AI需求仍然强劲，而辉达的AI产品订单依然超过供应，显示其未来营收仍有强劲的增长潜力。对于投资者来说，这场下跌可能是过度反应，长期来看辉达依然是一个强势的成长型企业。

谁给了日本半导体设备商泼天的富贵？

谁给了日本半导体设备商泼天的富贵？ 设备行业的销售额和出货量往往和晶圆厂新建、扩建，以及订单的增减有密切关系。对这份数据的解析，不但要考虑到前道设备与后道设备因不同价值链和景气度传导造成的“波纹效应”，还需要观察某些外部的地缘政治因素，如美国一系列出口管制以及日本去年7月正式实施的《外汇及对外贸易法》对6大类23种尖端半导体制造设备实施出口管制的影响。如果从日本海关这一重要的进出口数据窗口再耙梳对华设备出口的变化，交叉对比SEAJ的这个图表，可以丰富对中日或者东亚半导体设备行业发展变化的认知。日本海关数据显示，从去年9月份开始，日本半导体设备出口就牢牢占据对华所有出口大类中增长率最高的前三位，集微网统计过去五个月的数据如下：从上述图表中我们可以看到，单半导体设备一项，过去5个月就占了对华总出口额的十分之一左右。而且在去年12月，设备出口居然同比翻倍。而且这个月SEAJ的数据是3057亿，对华出口就有2222亿，占比高达72%！于是，我们可以基本做出判断，如果没有中国大陆对半导体设备如此旺盛的需求，很难想象今年1月份SEAJ数据会出现同比和环比的双向涨幅。综合SEAJ和日本海关的这份数据，再对比日本和欧美等头部半导体设备公司的同时间跨度的财报，结合众多媒体公开报道和评论，所呈现出来的复杂多维的解读面向颇值得业界注意。10月份财季，ASML，应用材料，Lam等国际WFE设备巨头财报纷纷表示在华销售额突然暴增，平均占比超过惊人的45%，有评论认为这是中国半导体制造需求端因美国出口管制刺激的结果，但ASML全球高级副总裁、中国区总裁沈波在上海世博会期间告诉集微网，该现象的出现主要是之前囤货的订单开始放量，是“把之前的欠账补上”。可以推断，这个更符合事实的解释同样适用于对应用材料，Lam的财报解读。从中国进口设备的地域上看，自2021年以来自日本的设备进口占比一直排第一，但从去年4月份起外界对中国大陆半导体设备聚焦的目光更多投射在光刻领域，主要是因为各类数据显示来自荷兰设备进口额开始暴增，明显超过了日本，但从今年12月开始，结合中国海关数据，日本会再次反超荷兰，如下图：解读数据的多维呈现可以与上述数据做参照的是众多一线日本半导体设备厂商的2024年展望。光刻设备供应商佳能。在1月30日的发布会上，佳能宣布，预计到2024年，中国市场的销售额将占其销售额的40%左右，而五年前这一比例约为20%。成膜设备供应商Kokusai Electric。Kokusai Electric社长金井文之在去年12月的一次采访中提到，今年对中国的销售比例有可能升至40%的高位。成膜、刻蚀设备供应商东京威力科创。东京威力科创常务执行官Hiroshi Kawamoto表示，2021 年10月至12月期间，该公司在中国的销售额比例升至46.9%。晶圆清洗设备供应商SCREEN Semiconductor Solutions。公司高管预计，本财年在中国的销售比例预计将从上一财年的19%增至44%。另外，后道检测设备供应商爱德万测试的大陆营收占比超过三成，尼康上一财年大陆营收占比约26%，以及迪斯科（DISCO）中国大陆营收占比原为36%，这些企业在新财年相关数字都有望大部攀升，如果突破40%也并不让人意外，更不用说WFE设备商东京电子去年下半年超过45%的营收都来自大陆，公司社长河合利树公开表示：“2023年中国的新客户增加了约20到30家”。其次，中国大陆晶圆厂给一众日本设备商带来了丰厚的利润，出了出货量本身之外，Omdia分析师南川明还指出中国客户很爽快，很少划价，一般按照要价购买，所以面向中国的利润率很高，背后则折射出了中方的设备需求急迫度。另外，为了减小不确定的外部出口管制带来的负面影响，增加面向中国大陆供货的可持续性，某些日本半导体设备上出现了对华“定制性”设备的产线开拓方向。如尼康为了卷佳能，开发了面向通用性功率半导体市场的设备产线，将于2024年夏季时隔24年推出采用成熟技术的光刻机新产品，使用1990年代初实用化、被称为“i线”的成熟一代光源技术。上周，Silicon Valley Research Initiative创始人Eric Bouche拜访了集微网，他指出，根据他在日本多年的市场调研情况，判断今年后道光刻设备将是细分市场的热门，颇值得业界同行关注。综合来看，日经亚洲数据显示，日本国内半导体制造设备的6家主要企业（Tokyo Electron、迪思科、爱德万测试、Lasertec、东京精密、SCREEN控股）的2023年度(Lasertec的财年截至同年6月)的研发和设备投资额合计约为5470亿日元，预计与5年前的2018财年相比增至1.7倍。究其原因，2023年日本半导体设备的投资额上涨和相关资本市场的火爆，是由外需和内需双轮共同驱动的结果。据SEMI的数据分析，2024年中国大陆月产晶圆有望由2023年的760万片增加到860万片（12寸当量），而日本本土的四家新厂落地，也有可能让月产能从去年的450万片增加到今年460万片（12寸当量），两国共合计增110-120万片的月年增产能，由此带动的设备需求的大幅增加是显而易见的。日本在建fab厂图反求诸己：当好日本半导体设备商的“金主爸爸”2024年是否可以看作全球和中国半导体市场新一轮的“复苏元年”？作为某种程度指示灯效应的中日半导体设备交易是一个绝佳的观察窗口。展望中日半导体设备贸易的未来，笔者认为有以下几点值得注意。首先，需要把日本本土整体半导体产业政策动向，和日本地方区域性的对外贸易走向结合来考察。去年7月23日，日本经济产业省针对6大类23种半导体制造设备出口的《外汇及外国贸易法》修改令正式生效实施，这则政策出台背后的成因较为复杂，除了给美国有所交代之外，日本地方产业团体的游说也颇值得玩味。日本不同港口对应不同的产业利益团体，形成了党派和地方产业集群互相博弈的态势，需综合关注日本外务省，财务省，经产省的综合信息，日本中央省厅对地方调研的各类报告需重点关注。日本不同关口的对华、对韩半导体设备出口（2020年数据）其次，国内设备厂商需和海外同行“同频共振”。自2020年以来，中国大陆已经成为全球最大半导体设备市场，而且集微网前一段时间统计全球前十大半导体设备供应商的销售数据及排名显示，北方华创预计2023年营收为209.7亿至231亿元，其增长幅度达42.77%至57.27%，远超其他本土半导体设备企业，是首次闯入全球TOP10的中国半导体设备厂商。未来，也许会有更多本土设备厂商跨越27亿美元这一“前十营收门槛”，达成这一成绩的重要前提在于完成更多的商业闭环。集微网之前调研上海某硅片厂，公司董事长向集微网讲述了一则故事，两位日本清洗设备工程师在指导企业现场操作时，在实操中做了一点微小的改动，就通过控制气流走向显著提升了清洗工艺，这个know-how的掌握，是他们长期在加州理工上千次空气洞试验的结果。从lab到fab厂的各种踩坑环节，也同样需要中国工程师不断尝试摸索，尽快缩小差距，和海外同行在“feature by feature，bug by bug”的较量中实现同频共振。(校对/朱秩磊) ... PC版： 手机版：

ASML回击关于其最新EUV设备的指责

ASML回击关于其最新EUV设备的指责 在该公司最近的财报电话会议上，ASML的CEO也回答了有关该报告的问题，称这项新技术“在逻辑和内存芯片制造方面显然是最具成本效益的解决方案”。ASML的Twinscan EXE High-NA EUV光刻设备对于生产小于2nm的下一代制程工艺至关重要，但它们也比现有的Twinscan NXE Low-NA（低数值孔径）极紫外（EUV）光刻设备贵得多，有人说它们的成本在3亿~4亿美元之间。它们还有其它特点，例如尺寸大，这也是一些分析师认为这些工具不适用于所有生产线的原因。正如人们所预料的那样，ASML不同意这一评估，该公司的首席财务官告诉Bits and Chips，订单符合公司的预期，而SemiAnalysis低估了通过避免昂贵的双重和四重曝光来降低流程复杂性的价值。他还表示，人们可以简单地与英特尔谈谈双重曝光带来的复杂性，他指的是英特尔在10nm方面的失败，至少部分是由于缺乏EUV技术。英特尔是当今 High-NA 的主要客户，最近收到了第一台High-NA设备的第一批零件。制造更简单双重和四重曝光涉及多次重复暴露晶圆的同一层，以创建比通常可能更小的特征尺寸，但它会带来缺陷，这会影响良率，并且比简单地一步刻印该层的成本更高。使用Low-NA设备进行双重和四重曝光的总体成本，以及与使用High-NA设备进行单次曝光相比，是ASML和分析师之间争论的主要焦点。到现在为止，热心的读者可能会问，如果Low-NA的EUV设备可以通过使用双重和四重曝光设备实现与前者相同的特征尺寸，为什么High-NA 的EUV会如此麻烦？事实上，英特尔正在将应用材料公司的 Centura Sculpta 图案整形工具插入其20A制程中，以避免在某些情况下出现昂贵的 EUV 双重曝光。ASML认为，实施双重曝光会带来某些缺点：EUV双重曝光会导致生产时间更长，出现缺陷的可能性更大，并可能影响所生产芯片的性能。然而，由于 EXE：5000 的分辨率（CD）为8nm，芯片制造商可以简化其制造流程。晶圆代工厂当然了解使用高数值孔径EUV扫描仪的利弊，因此他们已经开始了研发工作。“我们的客户将在 2024-2025 年开始研发，并在 2025-2026 年进入大批量生产，”ASML 的一份声明中写道。ASML最近分享了有关其新型High-NA设备的更多细节，以下是这些设备工作原理的概要。新设备即将到来ASML的下一代Twinscan EXE具有0.55数值孔径（NA）镜头，因此它将达到8nm的分辨率，这标志着目前提供13nm分辨率的EUV设备有了实质性的进步。这意味着它可以刻印出比单次曝光的低数值孔径设备小 1.7 倍的晶体管，从而实现 2.9 倍的晶体管密度。低数值孔径光刻系统可以达到类似的分辨率，尽管需要两次曝光，但需要昂贵的双重曝光工艺。实现8nm的分辨率对于使用sub-3nm制程工艺技术生产芯片至关重要，该行业计划在 2025~2026年之间采用该技术。高数值孔径EUV的使用使晶圆厂能够避免对EUV双重曝光的需求，简化流程，可能提高产量并降低成本。但它也带来了很多挑战。最新的Twinscan EXE光刻设备配备了0.55 NA镜头，与现有机器完全不同。主要区别是新的和更大的镜头。但是，更大的镜头需要更大的反射镜，这就是为什么Twinscan EXE设备也具有变形光学设计的原因。这种方法解决了较大的反射镜导致光线以更陡峭的角度照射到光罩上的问题，从而降低了反射率并阻碍了图案转移到晶圆上的问题。变形光学器件不是均匀地缩小图案，而是以不同的方式放大图案：一个方向放大4倍，另一个方向放大8倍。这降低了光在十字线上的入射角，解决了反射率问题。此外，这种方法允许芯片制造商继续使用标准尺寸的光罩，从而最大限度地减少对半导体行业的影响。这种方法存在一个问题：它将成像场的大小减半（从33mm x 26mm到16.5mm x 26mm），通常称为High-NA使十字线尺寸减半。成像场尺寸减半促使芯片制造商修改其芯片设计和生产策略。随着高端GPU和AI加速器越来越挑战成像场尺寸的限制，这一变化尤为重要。由于其变形光学元件和曝光场的尺寸只有 Twinscan NXE 系统的一半，因此 Twinscan EXE 设备需要对每个晶圆执行两倍的曝光次数，这会使现有机器的生产率减半。为了保持生产率，ASML显著提高了晶圆和掩模阶段的速度。EXE的晶圆级加速速度为8g，是NXE的两倍，而其掩模版级的加速速度是NXE的4倍，为32g。这一增强功能使Twinscan EXE：5000每小时能够以20 mJ/cm²的剂量刻印超过185个晶圆，超过了Twinscan NXE：3600C在相同剂量下刻印170个晶圆的产量。ASML计划到2025年使用Twinscan EXE：5200将产量提高到每小时220片晶圆，以确保High-NA技术在芯片制造中的经济可行性。同时，新节点（即较低分辨率）需要更高的剂量，因此，Twinscan NXE：3600D将剂量增加到30 mJ/cm²，尽管每小时需要160片晶圆。出于某种原因，ASML没有提到其EXE系统在30 mJ / cm²剂量下的性能。更大的晶圆厂ASML的高数值孔径EUV Twinscan EXE光刻设备在物理上比低数值孔径EUV Twinscan NXE光刻机大。现有的和广泛部署的ASML的Twinscan NXE将光源放在下面，这需要非常具体的晶圆厂建筑配置，这使得维修这些设备变得更加棘手。相比之下，High-NA Twinscan EXE 机器水平放置光源，简化了晶圆厂的建造和维修，但需要更大的洁净室空间。另一方面，这使得升级现有晶圆厂变得更加棘手。同时，台积电已经拥有多个专门为Low-NA EUV Twinscan NXE光刻机建造的晶圆厂。将这些晶圆厂升级到High-NA Twinscan EXE设备是一项复杂的任务。考虑到设备的成本、掩模版尺寸减半、将这些设备安装到现有晶圆厂的复杂性、现有Low-NA设备的性能，以及许多其他无法在一个框架内考虑的具体因素，我们可以理解为什么华兴资本的分析师认为台积电暂时还没有准备好采用高数值孔径 EUV设备。总结高数值孔径扫描仪具有更高的分辨率、更大的尺寸和一半的曝光场，因此需要开发新的光刻胶、计量、薄膜材料、掩模、检测工具，甚至可能制造新的晶圆厂。从本质上讲，向High-NA设备的过渡将需要对新设备和基础设施进行大量投资，因此采用起来并不容易。然而，High-NA EUV是未来，在我们看到有多少芯片制造商将这些设备投入生产以及何时投入生产之前，大规模部署它在经济上是否可行的问题不会得到明确的答案。 ... PC版： 手机版：