【ASML：将获台积电“大量”2纳米相关订单，年内向台积电和英特尔交付High-NA EUV光刻机】

【ASML：将获台积电“大量”2纳米相关订单，年内向台积电和英特尔交付High-NA EUV光刻机】 据媒体报道，ASML首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）称，将于第二、三季度开始获得台积电“大量”（significant）2纳米相关订单。此外，达森最近还在电话会议中表示，台积电和英特尔年内将获得ASML的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机。（界面）

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜 然而，ASML 对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径 EUV 光刻机，用于其即将推出的 14A 制程节点。正如 ASML 在提交给美国证券交易委员会的文件（第 13 页）中提到的，英特尔在 2024 年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台 TWINSCAN EXE:5200 系统。台积电和三星也已经确认有意采用 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机。

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

消息称三星将投资 10 万亿韩元用于半导体设备，大量采购 ASML EUV 光刻机

消息称三星将投资 10 万亿韩元用于半导体设备，大量采购 ASML EUV 光刻机 此前，三星电子宣布计划到 2025 年拥有 100 台 EUV 光刻机。市场估计三星目前的 EUV 机群约为 40 台。如果这 50 台设备的能够顺利交付，那么三星到 2028 年将能够拥有约 100 台设备。

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位 媒体报道，ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备，一台要价3.5亿欧元，大小等同于一台双层巴士，重量更高达150公吨，相较于两架空中巴士A320客机，装机时间推估需要六个月，并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成，不仅价格高昂又相当耗时。英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备，不过，英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产，不过，日前英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不会在18A制程采用High NA EUV量产，代表暂时延后采用High NA EUV光刻机设备。至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上，脚步则慢于英特尔。业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，代表生产成本将大幅增加，由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加，成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。业界人士推测，台积电预计最快在1.4纳米（A14）才导入High NA EUV光刻机台，代表2025年才可望有采购设备的消息传出，若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下，台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器，仅是大量采用的时间先后顺序差别。事实上，进入7纳米以下后，台积电就开始导入EUV光刻机设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复光刻需求下，孔径重复对准的精准度要求愈来愈高，让EUV光刻机成为必备设备，不仅提高良率，也能降低生产成本。 ... PC版： 手机版：