ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位 媒体报道，ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备，一台要价3.5亿欧元，大小等同于一台双层巴士，重量更高达150公吨，相较于两架空中巴士A320客机，装机时间推估需要六个月，并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成，不仅价格高昂又相当耗时。英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备，不过，英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产，不过，日前英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不会在18A制程采用High NA EUV量产，代表暂时延后采用High NA EUV光刻机设备。至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上，脚步则慢于英特尔。业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，代表生产成本将大幅增加，由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加，成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。业界人士推测，台积电预计最快在1.4纳米（A14）才导入High NA EUV光刻机台，代表2025年才可望有采购设备的消息传出，若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下，台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器，仅是大量采用的时间先后顺序差别。事实上，进入7纳米以下后，台积电就开始导入EUV光刻机设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复光刻需求下，孔径重复对准的精准度要求愈来愈高，让EUV光刻机成为必备设备，不仅提高良率，也能降低生产成本。 ... PC版： 手机版：

代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备

代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备 台积电张晓强博士于 5 月 14 日出席在阿姆斯特丹举办的技术研讨会，他直言：“ASML 的 High-NA EUV 太贵了，我非常喜欢 High-NA EUV 的能力，但不喜欢它的价格”。 2024-04-25 2024-05-05

传 ASML 遭砍单，台积电砍逾四成订单

传 ASML 遭砍单，台积电砍逾四成订单 英特尔、三星电子与台积电疯狂争抢 EUV 设备的热度已降温，大客户 台积电 甚至传出大砍逾4成 EUV 设备机台数量或延后拉货。制程技术与客户规模远不及台积电的 三星电子、英特尔，为缩小先进制程烧钱黑洞预估也将跟进，此也让ASML对于2024年展望转趋保守，全年业绩将明显承压。 ====糊==== 如果不制裁的话这产能该由谁来消耗呢

台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点

台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点 台积电高管周二表示，不一定需要使用 ASML 下一代 High NA EUV 机器，用于即将推出的芯片制造技术 A16，该技术正在开发中，预计于 2027 年推出。High NA 光刻工具有望帮助将芯片设计缩小三分之二，但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本，以及 ASML 的旧技术是否可能更可靠、更好。每台 High NA EUV 工具的成本预计超过 3.5 亿欧元，而 ASML 常规 EUV 机器的成本则为 2 亿欧元。台积电是全球最大的合同芯片制造商，也是 ASML 常规 EUV 机器的最大用户。而另一方面，英特尔则已经打包预定了 ASML 今年所有的 High NA 设备出货量。

ASML 计划2030年推出 Hyper-NA EUV 设备，单台价格高达7.2亿美元

ASML 计划2030年推出 Hyper-NA EUV 设备，单台价格高达7.2亿美元 台积电可能会使用现有EUV设备实现1.6纳米技术 三星也在考虑High-NA设备的采用时机，可能会直接跳过High-NA EUV，转向Hyper-NA系统，尽管这存在一定的风险。

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：