ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：

台积电不用新一代EUV光刻机 2030年的1nm再说

台积电不用新一代EUV光刻机 2030年的1nm再说 Intel此前公布的路线图上，18A之后已经安排了三个新的制程节点，但尚未具体命名。基辛格透露其中一个相当于1.5nm工艺，预计命名为15A，将在德国工厂量产。台积电对于高NA EUV光刻机引入计划则一直守口如瓶，有多个消息来源称台积电还在观望评估，目前计划要等到1nm工艺节点才会上马，而时间要等到2030年左右了。台积电目前正在冲刺2nm工艺，预计2025-2027年间量产，单芯片可集成超过1000亿个晶体管，单个封装可超5000亿个。然后是1.4nm、1nm，其中后者计划2030年左右量产，将在单颗芯片内集成超过2000亿个晶体管，单个封装内则超过1万亿个，相比N2工艺翻一倍。有趣的是，Intel也计划在2030年做到单个封装1万亿个晶体管，可谓针锋相对。 ... PC版： 手机版：

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机 2月10日，ASML 在荷兰总部向媒体展示新一代 High NA EUV 光刻机 Twinscan EXE:5000。 这台光刻机尺寸等同于一台双层巴士；重达150吨，相当于两架空客A320客机；价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）；全套系统需要250个货箱装运，需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成，不仅价格高昂也相当耗时。 Twinscan EXE:5000 可以制造8nm线宽电路，从而实现晶体管密度比前一代提高至2.9倍。

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

ASML公布下一代"Hyper-NA"极紫外光刻技术发展路线图

ASML公布下一代"Hyper-NA"极紫外光刻技术发展路线图 Hyper-NA工具仍处于早期研究阶段，它将把数值孔径从High-NA的0.55提高到0.75，使芯片的晶体管密度在2030年代初超过High-NA的预计极限。更高的数值孔径可减少对增加复杂性和成本的多重图案技术的依赖。Hyper-NA 为商业化带来了自身的挑战。主要障碍包括降低成像对比度的光偏振效应，这就需要偏振滤光片来降低光吞吐量。为了保持分辨率，抗蚀材料可能还需要变得更薄。虽然台积电等领先的超紫外芯片制造商可以利用现有的 0.33 NA 超紫外工具，通过多图案化技术将扩展范围再扩大几个节点，但英特尔已采用 0.55 高-NA 来避免这些复杂性。但是，随着High-NA达到物理极限，Hyper-NA很可能在本十年晚些时候成为整个行业的必备技术。除了 Hyper-NA 之外，除了昂贵的多光束电子光刻技术之外，目前几乎没有其他可供选择的图案化解决方案，而多光束电子光刻技术的吞吐量又比不上 EUV 光刻技术。为了继续经典的扩展，业界可能需要最终过渡到与硅相比具有更优越电子迁移率特性的新型沟道材料，这就需要新的沉积和蚀刻能力。 ... PC版： 手机版：