台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装

台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装 据 Tom's Hardware 报道，在本月举行的 IEDM 2023 会议上，台积电制定了提供包含 1 万亿个晶体管的芯片封装路线，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。 当然，1 万亿晶体管是来自单个芯片封装上的 3D 封装小芯片集合，但台积电也在致力于开发单个芯片 2000 亿晶体管。 为了实现这一目标，该公司重申正在致力于 2nm 级 N2 和 N2P 生产节点，以及 1.4nm 级 A14 和 1nm 级 A10 制造工艺，预计将于 2030 年完成。 ，

专家认为半导体行业将在本十年末实现1万亿晶体管芯片的目标

专家认为半导体行业将在本十年末实现1万亿晶体管芯片的目标 台积电等公司对半导体集成表现出极大的乐观，计划在未来十年内实现万亿个晶体管的目标，并将其视为迈向未来的重要一步。据他们称，3D SoIC技术的出现将对晶体管的集成起到至关重要的作用，因为现在光刻工具的能力比以往任何时候都强，使业界可以将多个芯片连接到一个更大的中间件上。目前，NVIDIA最近公布的 Blackwell GPU 架构的晶体管数量为 2,080 亿个，这意味着未来十年内该行业的晶体管数量有望达到这个数字的 5 倍。此外，互联技术也将在其中发挥重要作用，因为通过 CoWoS 等先进封装技术实现 2.5D 或 3D 集成后，专家们可以在每个系统中堆叠数量更多的晶体管，而不仅仅是将它们安装到单个芯片上。同样，台积电在最近举行的 IEDM 大会上透露，该公司计划到 2030 年通过 3D 异质集成技术提供超过一万亿个晶体管，这意味着在性能提升方面，预计未来会有显著的数字增长，因为半导体行业的发展远不止节点缩小这么简单。对我们和半导体行业来说，未来确实充满希望，随着人工智能浪潮的到来，创新之火将蔓延到每个技术领域，最终为消费者和客户市场打开新的大门。您可以从IEEE Spectrum了解更多。 ... PC版： 手机版：

研究人员制造出寿命比以前长数百万倍的时间晶体

研究人员制造出寿命比以前长数百万倍的时间晶体 研究人员成功延长了时间晶体的寿命，证实了弗兰克-威尔切克（Frank Wilczek）提出的一个理论概念。这标志着量子物理学向前迈出了重要一步。多特蒙德工业大学的一个研究小组最近成功地制造出了一种非常耐用的时间晶体，它的寿命比以前的实验所显示的要长几百万倍。通过这一研究，他们证实了诺贝尔奖获得者弗兰克-威尔切克（Frank Wilczek）大约在十年前提出的一个极其有趣的现象，而这一现象已经出现在科幻电影中。 这项研究成果现已发表在《自然-物理》杂志上。空间晶体，是原子在大长度尺度上的周期性排列。这种排列赋予了晶体迷人的外观，就像宝石一样具有光滑的切面。物理学通常把空间和时间放在同一层面上处理，例如在狭义相对论中，麻省理工学院（MIT）物理学家、诺贝尔物理学奖获得者弗兰克-威尔切克（Frank Wilczek）在2012年提出了一个假设：除了空间中的晶体，时间中也一定存在晶体。他说，要做到这一点，它们的一个物理特性必须在时间上自发地开始发生周期性变化，即使系统没有经历相应的周期性干扰。看似火焰的是对新时间晶体的测量：每个点都对应一个实验值，从而得出时间晶体核自旋极化周期性动态的不同视图。图片来源：Alex Greilich/多特蒙德大学这种时间晶体是否可能存在，几年来一直是科学界争论不休的话题，但很快就出现在电影院里：例如，在漫威影业出品的电影《复仇者联盟：终局之战》（2019）中，时间晶体就扮演了核心角色。从 2017 年起，科学家们开始在少数场合成功展示了潜在的时间晶体。Alex Greilich 博士在多特蒙德工业大学物理系凝聚态物质研究中心工作。资料来源：多特蒙德工业大学然而，与威尔切克最初的想法不同的是，这些系统受到具有特定周期性的时间激发，但随后又以两倍长的周期发生反应。2022 年，在玻色-爱因斯坦凝聚态中才展示了一种晶体，虽然激发与时间无关，即恒定不变，但它在时间上表现出周期性。不过，这种晶体的寿命只有几毫秒。亚历克斯-格雷利希博士领导的多特蒙德工业大学物理学家现已设计出一种由砷化镓铟制成的特殊晶体，在这种晶体中，核自旋充当了时间晶体的储存器。晶体在持续光照下，通过与电子自旋的相互作用形成核自旋极化。正是这种核自旋极化自发地产生了振荡，相当于时间晶体。目前的实验结果表明，这种晶体的寿命至少为 40 分钟，比迄今为止证明的寿命长 1000 万倍，而且有可能存活得更长。通过系统地改变实验条件，可以在很大范围内改变晶体的周期。然而，也有可能进入晶体"熔化"的区域，即失去周期性的区域。这些区域也很有趣，因为这时会表现出混沌行为，这种行为可以维持很长时间。这是科学家们第一次能够利用理论工具来分析这类系统的混沌行为。编译来源：ScitechDaily ... PC版： 手机版：

世界第一AI芯片“WSE-3”升级4万亿晶体管、90万核心

世界第一AI芯片“WSE-3”升级4万亿晶体管、90万核心 2021年的第二代WSE-2升级台积电7nm工艺，面积不变还是46225平方毫米，晶体管增至2.6万亿个，核心数增至85万个，缓存扩至40GB，内存带宽20PB/s，互连带宽220Pb/s。如今的第三代WSE-3再次升级为台积电5nm工艺，面积没说但应该差不多，毕竟需要一块晶圆才能造出一颗芯片，不可能再大太多了。晶体管数量继续增加达到惊人的4万亿个，AI核心数量进一步增加到90万个，缓存容量达到44GB，外部搭配内存容量可选1.5TB、12TB、1200TB。乍一看，核心数量、缓存容量增加的不多，但性能实现了飞跃，峰值AI算力高达125PFlops，也就是每秒12.5亿亿次浮点计算，堪比顶级超算。它可以训练相当于GPT-4、Gemini十几倍的下一代AI大模型，能在单一逻辑内存空间内存储24万亿参数，无需分区或者重构。用它来训练1万亿参数大模型的速度，相当于用GPU训练10亿参数。四颗并联，它能在一天之内完成700亿参数的调教，而且支持最多2048路互连，一天就可以完成Llama 700亿参数的训练。WSE-3的具体功耗、价格没公布，根据上代的情况看应该在200多万美元。 ... PC版： 手机版：