台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装

台积电规划1nm芯片制造工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装 据 Tom's Hardware 报道，在本月举行的 IEDM 2023 会议上，台积电制定了提供包含 1 万亿个晶体管的芯片封装路线，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。 当然，1 万亿晶体管是来自单个芯片封装上的 3D 封装小芯片集合，但台积电也在致力于开发单个芯片 2000 亿晶体管。 为了实现这一目标，该公司重申正在致力于 2nm 级 N2 和 N2P 生产节点，以及 1.4nm 级 A14 和 1nm 级 A10 制造工艺，预计将于 2030 年完成。 ，

台积电2nm制程量产预计将延迟到2026年底

台积电2nm制程量产预计将延迟到2026年底 据经济日报报道，台积电先进制程近况备受各界关注，根据 Counterpoint 研究团队发布的最新报告，预计台积电3纳米旗舰智能手机应用将在2024年下半年增长，但2纳米制程量产将推迟至2026年底。Counterpoint Research 半导体研究副总监 Brady Wang 表示，台积电的主要增长来源于其先进制程技术。随着人工智能半导体的需求急剧增加，台积电在短期内的表现将更加突出。不过该机构分析也提到，预计台积电2纳米技术的量产将推迟至2026年，届时将随着苹果 iPhone 18 系列的推出而问世。

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 在 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 期间台积电透露，该公司 1.4 nm制程工艺研发工作进展顺利。与以往制程命名不同，台积电的 1.4nm 制程工艺被命名为 A14。 台积电尚未透露 1.4nm 制程工艺的量产时间和具体参数，但考虑到 2nm 制程工艺在 2025 年量产，而 N2P 则定于 2026 年底量产，因此 1.4nm 制程工艺预计会在 2027 年到 2028 年量产。

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产

台积电已在研发1.4nm制程工艺 预计2027到2028年量产 （英文） 虽然台积电方面并未透露1.4nm制程工艺的量产时间和具体参数，但外媒在报道中提到，考虑到2nm制程工艺在2025年量产，N2P制程工艺在2026年年底量产，1.4nm制程工艺预计会在2027年到2028年量产。

网传台积电宣布 3/5nm 制程涨价：AI 产品涨 5~10%，非 AI 产品涨 0~5%

网传台积电宣布 3/5nm 制程涨价：AI 产品涨 5~10%，非 AI 产品涨 0~5% 据台湾消息人士 “手机晶片达人” 透露，台积电计划从 2025 年 1 月 1 日起对 3/5 纳米制程技术进行涨价，而其他制程的价格将保持不变。台积电打算将 3/5 纳米制程的 AI 产品价格提高 5% 至 10%，而非 AI 产品的价格将上涨 0% 至 5%。（TechWeb）